实时频谱分析仪在高能物理应用中的优势

1引言在高能物理（HEP）应用中,操作人员和研究人员面临的重大挑战是维持最大束功率和束流在粒子加速器中保持稳定性。为达到目标,操作人员需要在束流慢加速时及各实验中收集粒子束的光谱信息。     

2008年电工行业经济运行情况及2009年走势预测

2008年已经结束,从目前得到的统计数据看,电工行业在2008年的前三季度总体保持了平稳快速增长势头,经济运行效率和运行质量依然较好。但从第三季度开始,美国次贷危机和全球金融风暴对我国电工行业的影响却日益显现：一是工业总产值、工业销售产值的累计增速逐月下降。     

新型高级玻璃纤维滤纸机的研制简介

新型超细玻璃纤维滤纸具有1.过滤净化度高、流阻小,即纸页单位面积孔多,孔径小;2.松厚度、均一性好;3.化学结构稳定,耐酸、耐碱。4.隔热,绝缘等优点,是广泛用于核工业,军工,化工、医药、科研等方面的高档工业用纸。被重庆市科委列为科研项目。由于玻璃纤维属矿物纤维,比重大,具有脆性,纤维间亲和力小,其打浆、成型、施胶、干燥,卷取等抄造工艺都比较特殊,同时浆料含酸性,pH<3,设备需较高的防腐性。一般纸机不能实现抄造,需一种特殊结构的新型纸机来实现抄造,设计难度较     

红外半导体材料HgMnTe的缺陷腐蚀

窄禁带、含Ｈｇ的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大,蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发,研究了ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀工艺,探索出一种适合于ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀液．从实验结果来看,该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷,如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等,而且腐蚀质量高．以此为基础,我们还分析了ＡＣＲＴ和Ｂｒｉｄｇｍａｎ两种方法生长的ＨｇＭｎＴｅ晶体中缺陷的形貌特点及分布情况     

高可用性集群系统及其状态机研究

网络通信维护的高代价不是一般企业能够承担得起的,因此发展了高可用集群技术.介绍了最常见的双节点高可用集群系统的原理及其双机热备份系统的状态机.目前在电信网管、计费、智能网、短消息的系统应用中,无一例外都使用了双机热备份的系统.     

托管及外包服务——实现网络最大价值新方略

据统计．全球电信服务的市场容量约为每年2000亿美元。其中,包括系统集成、网络优化、运维管理,及培训服务支出等作为运营商成本支出的费用就占到1500亿美元,一些电信研究机构认为,面对越来越复杂的网络,运营商希望获得合作伙伴的更多服务,来提升他们的效率和业绩,而当他们将内部的成本支出转化为托管或外包的形式．较高的运营增长即可出现。     

2005,诺基亚持续扩大市场领先优势

2005年——诺基亚进入中国的第20个年头,12月,在商务部中国世界贸易组织研究会颁布的“2005中国品牌风云榜”中, 诺基亚当选“中国国民品牌”,成为惟一入选的外资企业。同年,诺基亚再次获得由北京大学管理案例研究中心和《经济观察报》社共同评选的“中国最受尊敬企业”称号,成为连续三年获此殊荣的企业。 2005年前9个月,诺基亚在大中国区销售手机2300万部,比去年同期增长 77％,销售额超过33亿美元(27亿欧元), 预计在中国内地、香港和台湾的总体市场份额超过30％,进一步拉大了与第二位竞争对手的距离。同期,诺基亚出口额达23     

平行缝焊盖板镀层结构的热分析

平行缝焊是陶瓷封装中应用最为广泛的高可靠性气密性封装方式之一。由于焊接过程中,盖板表面镀层会发生熔化、破坏等过程,可伐基底会被暴露在环境中,导致盐雾腐蚀失效。利用Abaqus有限元分析软件,选择2种代表性的可伐盖板镀层结构,分析不同加载温度条件下可伐盖板及其表面镀层的温度分布。仿真结果表明,当可伐盖板采用Ni/Au的镀层结构时,控制焊接温度范围为1200~1400℃,有希望保证平行缝焊耐盐雾腐蚀可靠性,并给出其耐盐雾腐蚀机理。     

下一代网络中的软交换技术

１软交换的定义随着计算机和通信技术的不断发展，在一个公共的分组网络中承载话音、数据、图像已经被越来越多的运营商和设备制造商所认同。在这样的业务驱动和网络融合的趋势下，诞生了下一代网络（NGN）模型，实现于分组网络中，采用分布式的网络结构，能够有效地承载话音、数据和多媒体业务。作为NGN的核心技术，软交换的发展越来越受到关注；作为NGN的控制功能模块，软交换技术能够为NGN具有实时性要求的业务提供呼叫控制和连接控制功能。我国信息产业部电信传输研究所对软交换的定义是：“软交换是网络演进以及下一代分组网络的…     

高阻值Cd1-xZnxTe晶体的生长及其性能测试

通过适当的工艺措施，采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd.9Zn0．1Te晶锭．测试结果表明：该晶锭结晶质量良好，位错密度低，成分均匀，杂质含量低，红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd.9Zn0．1Te的值．并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度，分析了生长高性能晶体的条件，研究了生长Cdl-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系．