首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   715篇
  免费   8篇
  国内免费   38篇
电工技术   29篇
综合类   19篇
化学工业   65篇
金属工艺   43篇
机械仪表   20篇
建筑科学   54篇
矿业工程   74篇
能源动力   9篇
轻工业   81篇
水利工程   46篇
石油天然气   21篇
武器工业   2篇
无线电   96篇
一般工业技术   17篇
冶金工业   49篇
原子能技术   9篇
自动化技术   127篇
  2024年   3篇
  2021年   4篇
  2020年   4篇
  2019年   6篇
  2018年   7篇
  2016年   4篇
  2015年   5篇
  2014年   11篇
  2013年   9篇
  2012年   15篇
  2011年   21篇
  2010年   17篇
  2009年   24篇
  2008年   18篇
  2007年   33篇
  2006年   9篇
  2005年   25篇
  2004年   35篇
  2003年   57篇
  2002年   23篇
  2001年   19篇
  2000年   31篇
  1999年   29篇
  1998年   16篇
  1997年   18篇
  1996年   14篇
  1995年   29篇
  1994年   18篇
  1993年   19篇
  1992年   17篇
  1991年   15篇
  1990年   16篇
  1989年   21篇
  1988年   14篇
  1987年   14篇
  1986年   19篇
  1985年   14篇
  1984年   10篇
  1983年   16篇
  1982年   13篇
  1981年   6篇
  1980年   11篇
  1978年   3篇
  1977年   4篇
  1975年   4篇
  1963年   6篇
  1960年   4篇
  1956年   3篇
  1955年   5篇
  1954年   3篇
排序方式: 共有761条查询结果,搜索用时 0 毫秒
751.
The ability of high-voltage power MOSFETs to withstand avalanche events under different temperature conditions are studied by experiment and two-dimensional device simulation.The experiment is performed to investigate dynamic avalanche failure behavior of the domestic power MOSFETs which can occur at the rated maximum operation temperature range(-55 to 150℃).An advanced ISE TCAD two-dimensional mixed mode simulator with thermodynamic non-isothermal model is used to analyze the avalanche failure mechanism.The unclamped inductive switching measurement and simulation results show that the parasitic components and thermal effect inside the device will lead to the deterioration of the avalanche reliability of power MOSFETs with increasing temperature.The main failure mechanism is related to the parasitic bipolar transistor activity during the occurrence of the avalanche behavior.  相似文献   
752.
通过优选电阻炉中毛坯热处理方式,可以降低石墨化电极生产的电能消耗。 在石墨化过程中,确定电极毛坯质量的决定性因素是最终的温度(不低于2800℃)。然而,石墨化制品处于炉子的不均匀温度场之中,快速加热受到石墨化制品自身热强度限制。制品的最后成型由多种因素决定,其中主要是石墨制品在“阿切绍纳”炉中被间接加热,而且最根本的取决于在炉中被加热的碳材料(毛坯和配料)的热物理特性和电物理特性与温度的关系。  相似文献   
753.
絮凝颗粒酵母连续发酵生产酒精新工艺的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文以酵母细胞自身絮凝形成颗粒作为固定化细胞方法,建立了单釜有效容积0.5m~2、二釜串联的中试装置。以淀粉糖化液为底物,采用末级反应器连续补糖的工艺方案,在平均稀释率为0.10h~(-1)的操作条件下连续稳定运转近一个月。当淀粉糖化液总糖浓度为180~200g/L时,反应器中絮凝颗粒酵母浓度控制在30~40g(d·w)/L范围内,终点发酵液中酒精浓度达到85g/L左右,残余总糖降至5g/L以下,计算出反应器的平均设备生产强度为8.4gEtOH/1·h。  相似文献   
754.
张施磊  陈今润 《中国电梯》2005,16(23):43-46
介绍了一种基于CAN总线和公用电话交换网的带视频的分布式电梯远程监控与管理系统。阐述了系统的结构配置、通信方式和各部分的功能.并重点介绍了CAN/RS232协议转换卡的设计、低速率视频压缩技术。经对电梯进行实时监控.证实该系统稳定.取得了很好效果。  相似文献   
755.
在双有机溶剂体系中,用黑曲霉脂肪酶催化合成阿魏酸油醇酯,考察酶浓度、温度和底物摩尔比等因素对酯化反应的影响。结果表明:在异辛烷/丁酮体系中,当反应温度为60℃,阿魏酸和油醇的摩尔比为1∶8,即阿魏酸浓度为0.39 mg/mL和油醇浓度为4.3 mg/mL,脂肪酶浓度为0.2 g/mL时,转化率为97.6%;而在环己烷/丁酮体系中,当反应温度为60℃,阿魏酸和油醇的摩尔比为1∶8,即阿魏酸浓度为0.49 mg/mL和油醇浓度为5.37 mg/mL,脂肪酶浓度为0.25 g/mL时,转化率为91.0%。  相似文献   
756.
本文对一种交错偏振狭缝光栅消除自由立体显示反视的方法进行研究,从理论分析和实验验证两方面证明了可行性。首先讨论了狭缝光栅自由立体显示反视现象产生的机理,然后通过垂直分割成像单元,利用交错偏振狭缝光栅,在不降低立体显示的分辨率基础上消除反视,最后通过建立实验模型验证了方法的可行性。  相似文献   
757.
采用圆二色谱法研究冬夏鲢鱼鳞胶原蛋白的稳定性   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用圆二色谱法,研究比较了冬夏季鲢鱼鳞胶原蛋白的热稳定性。结果表明,对胶原蛋白溶液于30℃,33℃加热时,冬季鱼鳞胶原蛋白发生解螺旋现象,而夏季鱼鳞胶原仍保持完整的三螺旋结构;变性温度曲线显示,夏季样品的变性温度为36℃,而冬季样品出现2个峰值,分别为30℃和34℃。结果表明,夏季鲢鱼鳞胶原蛋白的热稳定性高于冬季胶原蛋白,这种不同可能与冬夏季鲢鱼生长环境温度的差异有关。  相似文献   
758.
本文主要从日本的传统住宅、寺院建筑、茶道花园等三种建筑类型的建造方式起源、过程和室内装修风格等方面,来阐述日本建筑所体现的哲学/美学观。  相似文献   
759.
利用植物乳杆菌(Lactobacillus plantarum)发酵燕麦酸面团,测定发酵过程中面团酸度和菌落总数的变化以显示菌体在体系中的生长情况,并着重研究乳酸菌发酵对燕麦蛋白的溶解度和体外消化率、氨基酸组成和营养指标的影响。结果表明:植物乳杆菌在燕麦基质中生长良好,具有较强的产酸能力;植物乳杆菌发酵可以显著(P<0.05)提高燕麦蛋白的溶解度,发酵24h和48h的样品与未发酵样品相比,分别提高了19.50%和54.06%。采用胃蛋白酶和胰蛋白酶两步法分析发酵过程中燕麦蛋白体外消化率的变化,发现植物乳杆菌发酵可以显著(P<0.05)提高燕麦蛋白的体外消化率。植物乳杆菌发酵对燕麦蛋白的总氨基酸含量及组成无显著影响,但其氨基酸评分(AAS)由原来的71.53提高到76.60,蛋白质功效比值(PER)也有所增加。  相似文献   
760.
顾忠政  殷达  聂守平  冯少彤  邢芳俭  马骏  袁操今 《红外与激光工程》2019,48(6):603015-0603015(14)
作为图像处理的一个重要手段,边缘增强技术对振幅型和相位型物体成像有着重要的作用。而基于径向希尔伯特变换的涡旋滤波技术因其能够实现各向同性边缘增强倍受关注,但传统的涡旋滤波由于中心奇点和锐利边缘引起的衍射会造成背景噪声的加剧和对比度的降低。近年来众多课题组针对涡旋滤波旁瓣抑制提出了种类各异的新型涡旋滤波器,此外基于涡旋滤波的各向同性和各向异性边缘增强技术也得到了迅速发展。文中扼要地总结了近年来几种抑制涡旋旁瓣的方法,包括拉盖尔高斯振幅调制、贝塞尔振幅调制、艾里振幅调制,并从标量涡旋滤波和矢量涡旋滤波两个方面分别综述了各向同性和各向异性边缘增强的实现方法与研究进展。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号