等离子体显示器中的膜层

等离子体显示器被认为是实现大屏幕壁挂电视显示最有希望的方案。等离子体显示器件中所用膜种类繁多，膜层结构复杂，成膜质量要求极高，成膜技术与加工工艺要求苛刻。ＰＤＰ的性能、质量、生产效率、成品率、器件成本直接取决于所用膜材料和成膜质量及成膜技术水平。本文对ＰＤＰ中所用膜的种类、材料及成膜技术的现状、进展以及存在的问题进行了论述。     

AC PDP介质保护膜的制备方法

本文分析了ＡＣＰＤＰ保护膜对制备方法的特殊要求，描述了各种制备方法的优缺点，介绍了几种最近发展起来的新方法。提出了几种适用于ＡＣＰＤＰ保护膜制备的方法。     

基于eNSP的VLAN和OSPF综合实验设计与实现

虚拟局域网(VLAN)技术和路由协议部署是计算机网络课程的核心知识点。将两个知识点相融合,设计了一个综合实验方案,以中小型企业网为背景,采用华为eNSP仿真软件,完成VLAN划分、VLAN间路由、开放最短路径优先(OSPF)协议部署等任务,并给出了各设备的具体配置方法,并对结果进行了分析验证。     

大棚蔬菜膜下滴灌技术的应用与探索

闻喜县在大棚蔬菜种植中，尝试应用膜下滴灌技术，并针对大棚设计了成套滴灌设备，分析了滴灌设备的优点，进行了投入与产出的对比分析认为可在以后的生产实践中大力推广。     

杂质浓度对槽栅PMOSFET抗热载流子特性的影响

基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici研究了深亚微米槽栅 PMOS器件衬底和沟道掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响 ,并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释。研究发现 ,随着沟道杂质浓度的提高 ,器件的抗热载流子能力增强 ;而随着衬底掺杂浓度的提高 ,器件的抗热载流子性能降低。这主要是因为这些结构参数影响了电场在槽栅 MOS器件内的分布和拐角效应 ,从而影响了载流子的运动并使器件的热载流子效应发生变化     

深亚微米槽栅NMOSFET结构参数对其抗热载流子特性的影响

基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型,用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数,如沟道长度、槽栅凹槽拐角角度、漏源结深等,对器件抗热载流子特性的影响进行了模拟分析,并与常规平面器件的相应特性进行了比较.结果表明即使在深亚微米范围,槽栅器件也能很好地抑制热载流子效应,且其抗热载流子特性受凹槽拐角和沟道长度的影响较显著,同时对所得结果从内部物理机制上进行了分析解释.     

施主型界面态引起深亚微米槽栅PMOS特性的退化

基于流体动力学能量输运模型 ,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面 PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究 ,并与受主型界面态的影响进行了对比 .研究结果表明同样浓度的界面态在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件 ,且 N型施主界面态密度对器件特性的影响远大于 P型界面态 ,N型施主界面态引起器件特性的退化趋势与 P型受主界面态相似 ,而 P型施主界面态则与 N型受主界面态相似 .沟道杂质浓度不同 ,界面态引起的器件特性的退化则不同     

大悬挑结构抗风拉索弹簧-阻尼减振支座性能试验与风振控制研究EI北大核心CSCD

为提高大悬挑结构的抗风性能,提出将圆柱螺旋弹簧与筒式黏滞阻尼器相结合设计形成弹簧-阻尼减振支座,并将其布置在柱顶与拉索配合起到竖向减振的作用。对该弹簧-阻尼减振支座的力学性能进行试验研究,依次开展了轴向刚度与低周往复加载试验共计61种工况,探究了静位移、位移幅值与加载频率对支座力学性能的影响,并基于有限元软件对安装弹簧-阻尼减振支座前后的体育场结构进行风振动力响应分析。结果表明:支座的轴向刚度随加载等级的增加而增大;支座的滞回耗能性能随位移幅值的增加而增大,等效阻尼比和等效刚度则随位移幅值的增大而减小;与支座性能随位移幅值的变化情况相比,其力学性能随加载频率的变化幅度更小,各个区段变化范围均小于±10%;静位移对支座的滞回耗能性能、等效刚度和等效阻尼比影响较小。弹簧-阻尼减振支座对大悬挑结构的风振响应具有显著的控制效果,最大达92.16%,平均38.79%。     

构建应用型本科院校创新创业教育体系探析

近年来,很多应用型本科院校开始高度关注创新创业教育体系的构建,取得了一定的成绩,但由于起步较晚等诸多原因,就目前来看,创新创业教育体系尚未完全形成,在发展道路上仍然遇到诸多困难。文中从应用型本科院校教育本质和大学生创新创业教育基本内涵出发,对当前构建应用型本科院校创新创业教育体系的现状和存在的问题进行了分析,提出了应用型本科院校创新创业教育体系构建的措施。     

介质保护膜制备参数对AC PDP放电特性的影响

以ＭｇＯ为例,对ＡＣ ＰＤＰ中电子束蒸发介质保护膜制备的工艺参数,如成膜时基板温度、沉积速率、成膜后的热处理条件等对ＡＣ ＰＤＰ工作特性的影响进行了系统的研究和分析,讨论了保护膜成分、结构、形貌等对发射特性和ＡＣ ＰＤＰ工作特性的影响,探讨了成膜的最佳工艺,并根据在放电过程中,由离子轰击产生的ＭｇＯ膜表面特性的变化和假设氧对ＭｇＯ膜表面特性的作用,对观测到的放电特性对ＡＣ ＰＣＰ板各种制造工艺参数