π-共轭希夫碱聚合物的合成及其荧光性能

共轭高聚物荧光性能的研究已成为当今的研究热点，尤其对于有一定限制的蓝色发光材料。这一波段的发光对于全色显示是不可缺少的，因此，选择适当的单体和聚合方法，合成既具有优良发光性能又能在此波段发光的共轭聚合物并对其进行研究，具有重要的理论意义和广阔的应用前景。本文以对苯二胺与乙二醛、己二胺缩聚合成了几种不同的配比的局部共轭聚希夫碱PHGP，通过红外光谱、此外光谱、元素分析、分子量测定对其进行了表征。此外，缩聚物在甲酸中可完全溶解，故对其液态荧光性能进行了研究，结果发现，PHGP是既能辐射强荧光，又易于加工处理的蓝光区发光材料。     

对闻喜县水危机的思考

针对闻喜水资源在开发利用中存在的主要问题，提出了科学节水、合理开源、保护水环境、实行水资源统管等切实可行的对策和建议。     

闻喜水资源现状及供水对策探讨

闻喜县水资源紧缺，超采、污染等问题严重，导致水事纠纷不断发生，从未来工农业发展需水预测来看，用水矛盾更加尖锐。当前应坚持“开源、节流、治污”三措并举，“鲜水、中水、客水”三水齐用，充分利用地表水，多措并举抓节水，合理利用天上水，强制利用再生水，严控利用地下水，走可持续发展水利之路。     

热处理工艺对AC PDP中MgO保护膜性能的影响

保护膜的表面特性严重影响ＡＣ ＰＤＰ的性能,本文以电子束蒸发法制得的ＭｇＯ保护膜为例,有关热处理条件对保护膜表面基本特性,如结晶结构,表面形貌及成分等的影响进行了研究。     

AC PDP多脉冲放电特性一维流体模型的数值分析

本文建立了ＡＣ ＰＤＰ单元放电的一维流体模型,对ＡＣ ＰＤＰ单元的多脉冲放电特性进行了数值分析,模型是基于对电子和离子输运的二元流体描述,包括各种粒子的连续性方程和简单的动量舆方程以及Ｐｏｉｓｓｏｎ方程和电路方程计算过程中,假定放电气体为Ｈｅ且处于局域平衡状态,各种粒子的反应几率设为Ｅ／Ｐ的函数,通过Ｂｌｏｔｚｍａｎｎ方程解出,模拟了在５０ｋＨｚ方民压驱动下发生在ＡＣ ＰＤＰ单元内的多脉冲放电行为     

槽栅NMOSFET结构与性能仿真

基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维器件模拟器 MEDICI对深亚微米槽栅 NMOSFET器件的结构参数 ,如结深、凹槽拐角及沟道长度等对器件性能的影响进行了仿真研究 ,并与相应的常规平面器件特性进行了对比 .研究表明在深亚微米范围内 ,槽栅器件能够很好地抑制短沟道效应和热载流子效应 ,但电流驱动能力较平面器件小 ,且器件性能受凹槽拐角和沟道长度的影响较显著     

尺寸驱动式整体修改AutoCAD工程图的实现

提出了对用AutoCAD绘制的工程图进行尺寸结构修改时,只输入尺寸变动信息,由软件完成大量相应图样内容变动的尺寸驱动式图形整体修改技术方法,分析了尺寸驱动式整体修改技术实现的基本条件和操作命令。     

迷你型机械制图可变组合模型基块库的研制与应用

阐述了应用迷你型机械制图可变组合模型基块库,加强形体分析动手实践,配合学生的自主研究性学习,解决机械制图课中的一些教学重点和难点,有效提高学生的三维构型能力和创新能力的设计理念。提出了借助学生实习完成基块加工,以实现低成本制造目标的方法,以及基块库的多种应用方式。     

施主型界面态引起深亚微米槽栅PMOS特性的退化

基于流体动力学能量输运模型,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究,并与受主型界面态的影响进行了对比.研究结果表明同样浓度的界面态在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件,且N型施主界面态密度对器件特性的影响远大于P型界面态,N型施主界面态引起器件特性的退化趋势与P型受主界面态相似,而P型施主界面态则与N型受主界面态相似.沟道杂质浓度不同,界面态引起的器件特性的退化则不同.     

槽栅MOSFET's的阈值电压解析模型

给出了槽栅MOSFET的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律.分析和对比结果显示,该模型较好地表征了小尺寸槽栅器件的阈值电压特性,是一个较为理想的解析模型.