电源滤波器在医用电气设备中的应用

本文通过分析电磁干扰的主要类型以及其在医用电气设备中的危害,着重讨论将电源滤波器应用于医用电气设备中,以解决医用电气设备的电磁干扰现象。     

SVPWM变频空调永磁同步压缩机控制系统

针对目前轨道车辆变频空调控制器存储容量有限,不能支持列车通信,风速调节模式单一的问题,开发了一种以MN103SFE4G芯片为主要控制芯片,采用无速度传感器矢量控制方法对永磁同步压缩机进行控制的新型变频空调压缩机控制系统,提出了系统主电路、通讯电路、定子相电流检测和转子角速度估计的设计方案.选择id =0的速度电流双闭环...     

BSIM4和ULTRA-BULK模型对称性和连续性的检验

以对比的形式用GUMMEL对称测试电路的模拟结果检验了伯克利大学的BSIM4和北京大学的ULTRA-BULK两个CMOS器件模型的对称性和连续性特性。SPICE模拟结果表明:工业标准模型BSIM4在电荷、电流高阶导数以及电容等的连续性和对称性上具有一系列的缺陷,而最新发展的基于表面势的MOSFET解析模型ULTRA-BULK却表现出必需的连续性和对称性。既然这些属性对于模拟电路和射频电路设计都是非常重要的,那么新一代CMOS模型采用基于表面势的各种MOSFET解析模型将是必然的发展。     

第三世界水电发展趋势

在许多发展中国家目前即便是经济还不够发达,电力消费很低,而未来的电潜力很大,其用电量将继续扩大。世界银行估计在今后十年内第三世界用电量每年将增加7%,预计许多国家还会增长更快一些。由于预测需用电量增长的趋势,导致了第三世界在六十年代电站建设上的第一次大波动。由于比水电设备低廉,许多燃油电厂建立起来了,且因原来进口石油每桶费用仅2～3美元,当时没有设计人员怀疑过依靠燃油办厂。第三世界电力起步很低,许多设计者估计电力需要最每年增长10%。70年代初     

组织工程支架研究进展

简述了组织工程支架的重要性及要求,综述了制备组织工程支架所用生物活性陶瓷、天然高分子及合成高分子材料的特点,着重介绍了静电纺丝法、热致相分离法、溶剂浇铸/粒子沥滤法和冷冻-干燥法制备组织工程支架的原理,提出了组织工程支架研究存在的问题,并展望了组织工程支架未来的研究方向。     

有源阵列天线的系统噪声

有源阵列天线系统的噪声是有源相控阵雷达、通讯等系统噪声的主要成分,本文从微波网络理论入手,结合统计理论对有源阵列天线的噪声温度进行理论分析,为有源阵列天线系统噪声的分析、设计和测试提供了完整的数学模型和方法.     

新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生SOI NMOSFET界面陷阱和界面电荷的研究

报道了用新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱和界面电荷的理论和实验研究.理论分析表明:由于正向栅控二极管界面态R-G电流峰的特征,该峰的幅度正比于热载流子应力诱生的界面陷阱的大小,而该峰的位置的移动正比于热载流子应力诱生的界面电荷密度. 实验结果表明:前沟道的热载流子应力在前栅界面不仅诱生相当数量的界面陷阱,同样产生出很大的界面电荷.对于逐渐上升的累积应力时间,抽取出来的诱生界面陷阱和界面电荷密度呈相近似的幂指数方式增加,指数分别为为0.7 和0.85.     

一种基于130 nm CMOS工艺的K波段上/下双向混频器

基于130 nm RF CMOS工艺,提出了一种可实现上/下双向变频功能的K波段有源混频器.当收发机工作于接收模式时,双向混频器执行下变频功能,将低噪放大器放大后的射频信号转换为中频信号;当收发机工作于发射模式时,双向混频器则实现上变频功能,将输入的基带信号转换为射频信号并输出至功率放大器.后仿真结果表明,在0 dBm...     

本征掺杂环栅MOSFET器件连续表面势电压方程及其在从积累到反型区域的解析解

本文提出了本征掺杂的长沟环栅MOSFET器件的连续表面势方程并讨论了其物理解。这个 方程适用于器件从积累到强反型的工作区域。原始方程通过简化Poisson方程的精确解得到, 然后通过经验修正得到满足连续性条件的表面势电压方程,允许表面电势及其导数由 解析式表示,同时在积累到反型、线性到饱和区域精确连续。基于这个结果,我们对 表面电势和中心电势对器件尺寸的依赖关系进行了分析,并通过三维的器件模拟进行 了验证。     

一种D波段平行微带线90°相位反相器

基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款D波段的并行微带线90°相位反相器,它由一个180°核心反相器和带有两个并列双地槽的平行微带线构成。采用两侧带有并列双地槽的平行微带线结构可以有效地改善该90°反相器的阻抗匹配和能量损耗,从而实现低的插入损耗、回波损耗和相位误差。通过3D建模和电磁场全波分析得到,该90°相位反相器的回波损耗S11的 －20 dB带宽为116~218 GHz,基本覆盖了整个D波段,在155 GHz工作频率处S₁₁可以达到－65 dB;插入损耗S21的－1 dB带宽为80~220 GHz,在155 GHz工作频率处S₂₁可以达到－0.47 dB;±5°相位误差带宽为150~163 GHz,在155 GHz工作频率处的相位误差为1.15°,非常适合于D波段的应用。