工作在1.8-3 GHz内的高效率GaAs pHEMT功率单片

本文报道了一款基于南京电子器件研究所GaAs pHEMT单片集成电路工艺的S波段宽带高效率功率放大器。为了提高芯片效率,该放大器采用驱动比为1:8的两级级联方式,并采用低通/高通滤波器相结合的拓扑结构设计每级的匹配电路。这种匹配电路在有效降低芯片面积的同时,在较宽的频带范围内实现对应于高效率的阻抗匹配。在5V漏压AB类偏置条件下,该功率放大器在1.8到3GHz频率范围内连续波输出饱和功率为33~34 dBm,相应的附加效率达到35%~45%,以及非常平坦的功率增益25~26 dB。芯片面积紧凑,尺寸仅为2.7mm×2.75mm。     

负压吸引在老年肢体深烧伤植皮区的应用

目的了解负压吸引（VSD）对老年肢体深烧伤清创植皮区皮片生长愈合的影响。方法观察组选老年肢体深烧伤7例,11个肢体,常规手术清创自体刃厚皮片移植后应用VSD持续吸引,维持负压-0.15～-0.25kPa之间,7～14d,7d更换一次至术后14d拆除VSD装置,对照组选老年肢体深烧伤18例,21个肢体,植皮手术后常规包扎换药,术后48h,7、14d观察2组的创面渗出、愈合时间、植皮片存活率、手术次数。结果观察组的术后创面渗血渗液发生率低,与对照组比较有显著差异（P〈0.01）,表明炎症反应轻,植皮片更易完全存活,创面愈合时间短,平均（11±4）d,对照组则愈合时间平均（18±11）d,且所有患者均不需再次手术,肢体功能恢复好,遗留瘢痕少。结论清创植皮术结合持续VSD在老年肢体深烧伤植皮伤口应用,有利于促进植皮存活,促进创面愈合,减少瘢痕形成,恢复肢体功能。     

基于3英寸0.25μm工艺的GaN HEMT宽带功率MMIC

<正>GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点,大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在:GaN HEMT可工作于高电压下,同样的输出功率工作电流较小,大大简化了系统电源和电磁兼容设计;高密度的输出功率使得芯片面积和     

毫米波10W GaN HEMT功率MMIC

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点,大大扩展了微波功率MMIC的设计空间.特别是在毫米波段,基于GaAs pHEMT的毫米波功率MMIC产品工作电压普遍只有6V左右,限制了其进一步提升输出功率的能力.GaN HEMT在毫米波段的工作电压可高达20～24 V甚至更高,其在毫米波波段的输出功率能力同样强劲,输出功率密度可高达10 W/mm以上,结合SiC衬底优良的散热能力,使其在毫米波段可获得比GaAs技术更好的性能表现.     

面向脉冲调制器的S波段高效线性MMIC功率放大器

针对脉冲调制全数字发射机中高速数字信号难以高效驱动射频功率放大器的问题,提出了一种高效线性MMIC功率放大器设计方法.采用连续F类功率放大器提高数字发射机系统的效率,采用三阶互调抵消改善临近饱和线性度.基于南京电子器件研究所 GaAs pHEMT工艺,研制了一款S波段高效率线性功率放大器进行验证.测试结果表明,在 3.4～4.0 GHz频段内,当输入功率为-10 dBm时,输出功率为 26.2～26.7 dBm,功率附加效率为53.3%～60.7%,功率增益为36.2～36.7 dB.在3.7 GHz频点,输出功率为24.5 dBm,三阶互调失真小于-30 dBc;9 dB峰均比、40 MHz 正交频分多路复用的64-QAM调制信号激励下,平均输出功率及对应的功率附加效率分别为20.5 dBm和28%,实现了-30 dBc的邻道功率比及5.5%的误差向量幅度.     

VSD持续负压灌洗、引流在高压电损伤治疗中的应用

目的观察负压吸引技术（VSD）持续负压灌洗、引流对高压电损伤创面修复的影响。方法将56个上肢受伤部位患者（35例高压电损伤患者）按不同的治疗方法分为2组：试验组和对照组,每组28个部位。对照组患者采用全身及局部治疗;试验组在对照组全身和局部治疗的基础上采用VSD持续负压灌洗、引流1～3周,7d更换1次新的VSD敷料,术后1～3周拆除负压吸引装置。观察2组患者创面肉芽生长情况,再根据创面情况选择皮片或皮瓣封闭创面。结果试验组在清创治疗后,后期覆盖创面,其中植皮为14个部位,腹部带蒂皮瓣为14个部位;对照组在清创治疗后,后期覆盖创面,其中植皮为14个部位,腹部带蒂皮瓣为14个部位。试验组创面肉芽生长快,皮片或皮瓣覆盖后愈合快;对照组创面肉芽生长相对较慢。试验组皮片、皮瓣成活率均为100．0％,均明显高于对照组的85．7％、92．9％（均P〈0．05）,试验组皮片、皮瓣移植患者的住院时间分别为（42．5±2．2）、（58．3±4．3）d,均明显低于对照组的（49．4±2．1）、（62．3±4．2）d（均P〈0．05）。结论VSD持续负压灌洗、引流能明显地改善高压电损伤肉芽生长创面情况,为进一步封闭创面提供了良好的条件,提高了皮片或皮瓣修复创面的成功率,明显缩短了住院时间。     

毫米波应用的场板结构0.15μm_gan_hemts

报道了毫米波应用的采用SiN介质辅助工艺的0.15μm场板结构GaN HEMTs。器件研制中采用了MOCVD技术外延在3英寸SiC衬底上的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料采用了掺Fe缓冲层技术。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束刻写实现,并采用了栅挖槽技术用来控制器件的阈值电压。器件fT和fmax分别为39GHz和63GHz,24V电压、35GHz下的负载牵引测试结果显示0.15mm栅宽器件输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。该0.15μm GaN HEMTs技术满足Ka波段应用要求,可用于毫米波功率MMICs的研制。     

职业培训是提高员工素质的重要途径

一、职业培训是一项综合性的系统工程 随着知识化、信息化社会的发展,世界各国企业都十分重视职业教育培训,把职业教育当成一项重大、综合的系统工程去实施。法国专门有人在研究职业教育培训工程学,他们认为职业教育培训涉及到各个方面,诸如法律的规定、资金的投入、时间的限制、教师的素质、管理的水平、实践的场所、学习的条件、设备的状