破碎波作用下单桩基础局部冲刷试验研究

破碎波在近岸地区会引起剧烈的泥沙运动,导致破碎带内单桩基础发生局部冲刷,严重威胁单桩基础结构稳定性。该文在波浪水槽中采用中值粒径0.32mm的原型沙铺设平床沙坑,开展破碎波单桩冲刷试验,规则波经过坡度1:20的斜坡后,浅化破碎在矩形沙坑区域,分析桩基和破碎点的间距与波长之比α对单桩基础最大局部冲刷深度S_max及冲刷形态的影响。研究结果表明：破碎波翻卷产生湍流以及流动的纵向发展是引起冲刷的重要因素,使得相对距离α与最大冲刷深度S_max密切相关;沙床在破碎波作用下形成沙坝和滩槽结构,持续影响单桩局部冲刷的演变过程,当相对距离α=0.35～0.55时,由桩基引起的净冲刷最为显著,同时在滩槽地形叠加下,桩周的最大局部冲刷深度可达0.5倍桩径。     

掺镱大功率光子晶体光纤激光器热效应分析

数值模拟分析了大功率光子晶体光纤(PCF)激光器的温度场和热应力场.通过引入等效热传导率对光子晶体光纤结构进行简化,建立了光子晶体光纤激光器的三维温度场模型.利用有限元方法数值模拟得到了自然对流换热时光子晶体光纤中的温度场及光纤端面的热应力场,并对强制对流换热时光子晶体光纤的冷却效果进行了数值模拟分析.结果表明,对于选取的PCF,通过采取强制对流换热措施可以承受1000 W的抽运功率而不会产生热效应损伤,如果需要通过提高抽运功率以获得更大功率的激光运转,则需要改变光纤的结构.     

周宝信：实施标准战略 提升核心竞争力

记者近日获悉,TD-SCDMA（以下简称“TD”）三期网络建设投资规模将达580多亿元,这一数字甚至超过了TD一期和二期的投资总和,TD运营的快速发展更加吸引业界的关注、作为中国电信业百年史上的重大突破,从标准制定到技术完善再到逐步实现产业化,TD走出了一条以标准创新带动产业发展的道路,其中有哪些经验值得借鉴？通信标准领域近期还有哪些热点值得关注？日前,《世界电信》记者（以下简称“WT”）采访了中国通信标准化协会（CCSA）秘书长周宝信：周宝信认为,拥有我国自主知识产权的通信标准对于产业的发展起到了巨大的推动作用,而完善的标准研究体系与机制正是实现上述目标的重要保障。随着基于具有我国自主知识产权的TD、软交换和IPTV等设备的大规模使用,通信标准对我国信息通信领域的巨大作用必将日益凸显     

通信电台三阶互调信号特征及解调产物研究

电台之间互调干扰问题影响着通信对抗试验的开展,其中三阶互调干扰对装备的影响通常无法避免。对三阶互调干扰的信号特征进行研究,推导出不同调制样式的的三阶互调产物的包络检波和鉴频器解调产物的数学表达式,某些调制的信号互调产物可以使用对应的解调方式获得干扰源。最后利用实测数据验证了某些调制的信号互调产物与干扰源信号特征相似。     

基于云计算技术的5G移动通信网络优化路径试析

随着我国网络信息技术的快速发展,5G技术已成为我国各行各业发展中不可或缺的一部分.5G技术与传统的4G技术具有明显的差异,可以使用5G基础的网络设备对数据计算技术的要求更为严格,因此为了进一步促进5G移动通信网络技术在各行业中的创新和应用,更需要借助云计算技术对5G移动通信网络进行优化,进而提高5G移动通信网络.本文中...     

多散射介质中光子密度波扩散方程的求解

将光源作为一个复数点光源,根据实验研究模型的要求,求解了多散射介质中光子密度波扩散方程,找出了与入射面相对应面的光子通量和介质中吸收系数改变量之间的关系。所得结论能直接用于多散射介质中成像问题的实验研究之中,即通过对光子通量的检测,反演出吸收系数改变量的分布,从而达到多散射介质中的成像问题的解决。     

瑞利衰落信道中可变包长可变调制方式SR-ARQ系统性能研究

提出了可变包长可变调制方式的选择重传自动重传请求系统(VS-AM-SR-ARQ),研究了其在瑞利衰落信道下的性能,推导出吞吐量的一般表达式,并提出了用两步法求出最佳的切换门限值.理论分析和数值计算结果表明,可变包长可变调制方式的ARQ系统可以更好地适应衰落信道,其吞吐量性能要优于普通的ARQ系统.     

链路连通性验证在链路管理协议中的研究

首先对链路管理协议中链路连通性验证功能进行了系统地分析,详细描述了其实现过程,然后对比性地讨论了链路连通性验证在SDH/SONET和DWDM网络中的修正和扩展.     

高能A一辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光

采用能量2GeV、剂量1010-1013cm-2的Ar+辐照P型Cd096Zno.04Te材料,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究.实验结果和分析表明,Ar+辐照在Cd.6Zn004Te中产生了更大密度的受主型缺陷和散射中心,引起材料载流子(空穴)浓度的增大和迁移率的降低.随着辐照剂量的增大,载流子迁移率的降低要比载流子浓度增大得快,导致材料电阻随辐照剂量增大而增大.