渗透汽化-隔壁塔精馏耦合初步分离费托合成水的过程研究

费托合成水中含有醇、酮、酸等多种高附加值含氧有机物可提取出来作为高附加值产品,但由于费托合成水处量大,共沸体系复杂,通常需要首先对其进行初步分离。设计了直接两塔精馏、渗透汽化-两塔精馏、直接隔壁塔精馏、渗透汽化-隔壁塔精馏四种可供选择的初步分离工艺。根据渗透汽化实验数据在Aspen Plus中构建渗透汽化过程模型并进行模拟,结合灵敏度分析得到精馏过程的最佳工艺参数和模拟结果,并对四种工艺的能耗和有效能损失进行对比。结果表明,渗透汽化-隔壁塔精馏工艺具有明显的节能优势,其能耗较直接两塔精馏可降低15.85%,有效能损失降低45.74%。经渗透汽化膜预浓缩后,溶液的浓度可进入隔壁塔的适宜分离浓度区间,以充分发挥隔壁塔优势。由于渗透汽化所需能量可由余热等低品位热源提供,在余热充足的煤化工领域中可显著降低有效能损失。对于该过程而言,当渗透汽化膜价格低于438元/m²时,渗透汽化-隔壁塔精馏耦合工艺将会表现出较高的经济性。     

涂料的耐核辐射性能研究

开展了耐核辐射涂料研发项目的预实验,研究了2种涂料样品在室温下空气气氛中经60Coγ射线照射后的辐照效应。采用傅里叶红外分析仪(FTIR)对辐照前后的样品成分和结构变化进行了分析,并筛选出在核辐照条件下结构比较稳定的基团。结果表明:在60Coγ射线辐照下,涂料中不同化学基团表现出的辐照效应各不相同,在5×106Gy的吸收剂量范围内,苯环、酯羰基和醚键等基团比较稳定,耐核辐射性能好,醛基和亚氨基等基团不稳定;CC双键和羧羰基等基团在吸收剂量不大于5×106Gy的60Coγ射线辐照后,会发生辐照交联和辐照接枝等反应。预实验取得了比较满意的结果,达到了开展预实验的目的。     

无接触供电系统在热处理设备中的应用

无接触供电系统是现代电力传输系统发展的一项重大突破。本文从无接触供电系统的原理出发,对此技术在热处理设备中的应用进行了阐述,以及与传统供电方式相比的技术优势等几个方面进行了探讨。     

空调压缩机铝活塞石墨型铸造

车用空调器压缩机活塞(见图1),材质为过共晶铝—硅合金,含硅量17%以上。由于其表面和内在质量要求高,且要求在一月内试制出50件,若用砂型铸造,很难达到质量要求;用金属型铸造,则因设计、制造周期过长,成本高,不能按期供货。为解决这一铸造难题,我们采用了石墨型铸造方法,既满足了铸件质量要求,又缩短了试制周期,降低了生产费用。     

CsI(Tl)光电二极管探测器模拟研究

基于一台COMET公司MXR-225/22型号,最大出射X射线能量为225keV的X射线机,在此基础上要尽可能得到高的探测效率和输出光子产额。通过GEANT4[1]工具包建立模型,模拟得到了改变CsI(Tl)晶体的厚度、X射线能量以及入射角的情况下,其探测效率、输出率以及输出光子产额的变化;同时,通过实验测得光电二极管暗电流曲线,并且根据模拟结果,结合光电二极管的特性参数,计算了在管电压为225kV,不同管电流、不同距离的情况下,探测器输出电流的大小,并与实验测得的数据进行对比。     

基于GEANT4的工业CT微通道板探测器特性模拟

基于GEANT4工具包及使用225kV最高管电压X射线机,探讨了在不同的X射线入射能量下,改变微通道板工作电压及几何参数时,增益、探测效率及空间分辨率的特性变化情况,为实际应用提供了参考。结果表明:微孔直径20μm、长径比40、开口面积60%、偏角8°;工作电压970V,工作环境真空度10-3Pa时,微通道板探测器能满足工业CT系统的要求。     

渗碳后直接淬火工艺在机车牵引齿轮上的应用

本文着重探讨渗碳后直接淬火工艺在机车牵引齿轮上的应用问题.选用不同的齿轮材料进行了渗碳后直接淬火工艺试验,探讨了直接淬火的工艺控制问题以及该工艺对齿轮材料的要求.     

SO_4~(2-)/ZrO_2固体超强酸催化剂金属离子复合、改性及在乙酰丙酸制备中的研究

采用共沉淀法制备了SO42-/ZrO2-Fe2O3和SO42-/ZrO2-Al2O3双金属固体超强酸催化剂,其中SO42-/ZrO2-Fe2O3对葡萄糖水解生成5-羟甲基糠醛的反应有利,而SO42-/ZrO2-Al2O3对5-羟甲基糠醛脱羧生成乙酰丙酸的反应有利。采用沉淀-浸渍法制取两种金属离子改性的SO42-/ZrO2催化剂,该类催化剂对葡萄糖水解制5-羟甲基糠醛和5-羟甲基糠醛脱羧生成乙酰丙酸的反应均有利。     

N、0、Ga、Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究

采用光致发光手段研究了几种不同注入离子N、O、Mg、Si和Ga对n型GaN蓝光发射带的影响。其中离子的注入剂量分别为10^13、10^14、10^15和10^16cm^-2，注入温度为室温。注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行10min的热退火。通过对实验测得的光致发光谱的分析，给出了不同注入离子对n型GaN蓝光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱，进而确定蓝光发射起源于注入离子引入的间位缺陷。     

反符合屏蔽4πβ计数器^3He中微量^3H2分析装置

介绍了一种低本底微量气态氚测量装置的结构，性能以及＾３Ｈｅ中微量＾３Ｈ２的分析结果，它具有结构简单，动态精度高等优点，定量测量下限为Ｎ（＾３Ｈ２）／Ｎ（＾３Ｈｅ）〈１０＾－１１。