贮存环境对制导装备性能及寿命的影响机理分析

对制导装备贮存过程中贮存环境对其性能及寿命的影响机理进行了分析,通过分析得到影响制导装备性能的主要环境因素包括温度、湿度、通-断电。其中,温度的主要影响机理是引起力学性能、电器性能和化学反应速度的变化,湿度的影响机理是水膜、凝露的形成和产品的吸湿,通-断电的影响机理是元器件参数漂移。通过分析不同环境影响制导装备性能及寿命的影响机理,对采取有针对性的维护预防措施并提高制导装备的环境适应能力具有重要的指导意义,同时对贮存过程中的环境控制具有重要的实际意义,对于提高装备的可靠性和保障性具有重要的战略意义。     

高温氩退火对提高Si片质量的研究

首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几何参数和金属含量也做了测试,发现样品的几何参数和金属含量都没有明显的变化;最后研究了高温退火对MOS电容栅氧化层性能的影响,结果表明退火前后的样品分别制备为MOS电容,利用斜坡电压法来测试其击穿电压。实验发现,Si片经过1 200℃热处理后,MOS电容的击穿电压有了明显的提高,这表明高温退火工艺能够有效提高栅氧化层的性能。     

关于单绕组双速锥形转子制动异步电动机的设计

我们在设计单绕组双速锥形转子异步电动机时,碰到一些问题需作特别处理,本文拟对调速方案、气隙磁密比的正确估计和低速转矩计算等方面提出几点看法,以供参考。一、调速方案的选择一般用槽磁势矢量法或对称轴线法,可得到很多变速方案,但最佳方案的确定应按下列原则为依据:1.基本极和变后极的谐波含量要低,即谐波与主波磁势幅值比要小。2.基本极和变后极的分布系数较高,且二者比较接近。     

系统仿真技术在控制系统中的应用

系统仿真技术是一种以对实际系统建立正确的数学模型为基础，以计算机为工具的对实际系统进行模拟的技术。计算机技术的高速发展，使系统仿真技术在各个领域中都得到了广泛的应用。以化工及工业锅炉自动控制系统中水箱系统的液位控制问题为例，阐述了系统仿真技术在自动控制领域中的应用。     

一个脉冲发放型人工神经元

本文首先总结了生物神经元的一些基本特性,对调节联接的霍伯(Hebb)规则提出了新的见解,得出生物神经元的总和过程是间歇式的结论,通过对支配神经元活动的Hodgkin-Huxley方程进行合理简化得到一个具有类似于生物神经元动作方式的人工神经元;给出了这一模型的电路实现和解析解 ;最后,研究了该模型组成的多层网络实现异或分类问题.该模型具有生物神经元的主要特性,如总和效应、潜伏期和不应期等,并且兼顾到在工程上其容易由硬件、软件实现等问题.     

全局最小均方算法

本文提出了一种基于全局均方误差最小准则的全局最小均方（ＴＬＭＳ）算法，在理论上分析了它的统计特性和收敛性，用数字仿真技术优良地它的性能。     

用于奇异值分解的全并行神经网络

本文提出一个实时奇异值分解(SVD)的全并行神经网络,给出并证明了它的有界性定理和稳定性定理,同时给出一个模拟例子。理论和模拟结果都说明所提出的神经网络对于SVD是有效的。     

动态分布参数神经网络时空稳定性分析

本文将Hopfield自联想神经网络和Kosko异联想神经网络推广到无穷维状态空间动态神经网络,即动态分布参数神经网络,并给出了它们的有界性和稳定性。尤其是还研究了带微分算子的多维分布参数神经网络的时空稳定性以及保证稳定情况下所应满足的边界条件。最后,还给出了一个应用实例。     

一种分析微带交指滤波器的新思路

本文提出一种直接用耦合多导体多介质结构传输特性计算微波滤波器的方法，它不但考虑了相邻导体，也考虑了所有非相邻导体间的耦合，因此计算精度大大提高。此外，它还可以计算不对称耦合，适应面宽。分区均匀介质填充多导体结构有多个不同传播常数的本征模。这与均匀填充多导体结构有很大差别，即不但要考虑本征阻抗，而且要考虑不同的传播常数。本文用矩阵电报方程求出它们的本征值与本征矢量，从而求得传输特性，最后用网络等效方法优化求得滤波器特性。本文还介绍了由不同宽度谐振腔组成的滤波器的设计     

用Fourier分解法测量材料表面的Mueller矩阵

测量系统采用双旋转延迟器结构,通过两个1/4波片的周期变化,对入射光、散射光的偏振态进行调制.由探测光强的25个Fourier分解系数可以计算得到样品的Mueller矩阵.为了检测测量系统的准确性,将测量的16个自由空间Mueller矩阵分量和理想情况下的自由空间Mueller矩阵分量进行比较,并给出了每个矩阵分量的标准误差.最后,通过测量聚四氟乙烯样品板的Mueller矩阵,定量地分析样品的退偏效应.