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191.
半导体激光线阵(LDB)在制作和封装过程中会发生弯曲,从而引起发光弯曲,即"smile",这影响其在抽运固体激光和外腔半导体激光阵列线宽窄化中的使用.利用平凸柱面镜在一定程度上可矫正半导体激光线阵的"smile".通过几何光学方法对平凸柱面镜矫正半导体激光线阵的"smile"进行理论分析,利用不同焦距平凸柱面镜对不同半导体激光线阵的"smile"进行矫正,并通过ORIGIN软件对"smile"的矫正进行模拟,其结果与实验相吻合.结果显示,抛物线状"smile"矫正效果很好,相对矫正量高达90%,选择合适小焦距平凸柱面镜对"smile"矫正较明显且模拟误差小,修正透镜焦距参数可减小误差. 相似文献
192.
193.
针对在未知杂波和检测概率的跟踪环境中标准的标签多伯努利(LMB)算法跟踪精度较低、粒子覆盖集过大致使复杂度较高的问题,引入区间分析技术,提出基于箱粒子滤波的鲁棒LMB跟踪算法。建立目标增广空间模型,基于箱粒子滤波方法,推导出有杂波状态标签和LMB元素标签的预测、更新方程,并用多目标箱粒子LMB滤波递推估计目标状态。仿真结果表明,当杂波和检测概率先验未知,与现有非标签、非鲁棒算法相比,所提算法可实现在低检测概率和高杂波强度环境下对目标的稳定跟踪,同时大幅度提高算法的运行效率。 相似文献
194.
为分析大质量破片对多层盖板炸药冲击起爆阈值的影响因素,采用SPH和FEM相结合的方法开展了不同盖板厚度和不同盖板间隔情况对起爆阈值影响的数值模拟。在此基础上,采用二级轻气炮作为加载手段,进行了大质量钨合金破片冲击不同盖板及间隙情况下炸药冲击起爆试验研究,获得了起爆阈值。数值模拟与试验结果相一致,表明采用SPH与FEM相结合的方法可以较好地模拟此类问题。通过拟合得到了大质量破片冲击起爆阈值速度与冲击角度之间的经验关系式。分析结果表明,大质量破片冲击产生的大量二次破片对起爆阈值速度和起爆延迟时间具有较大的影响。 相似文献
195.
196.
首先针对现有技术方案及存在问题,分析了目前客服坐席人员身份认证方案的不足,提出了瘦终端应用场景和传统终端应用场景中基于指纹识别技术的强制认证方案及实现流程,最后,通过比较,总结了这种方案的优点,基于指纹识别技术的4A系统强制认证方式值得在客服强制认证中推广. 相似文献
198.
采用高温固相法在还原气氛中合成K(Na)BaBP2O 8:Eu2+系列硼磷酸盐蓝色荧光粉,研究煅烧温度 以及用Na+掺杂替换K+对荧光粉晶体结构和发光性能的影响。利用热重-示差扫描量热 (TG-DSC)、X射 线衍射(XRD)、荧光(PL)光谱和色坐标(CIE)等手段确定了 荧光粉的合成温度,并对荧光粉的晶体 结构和发光性能进行表征。结果表明,800~875℃制备的KBaBP2O 8:0.03Eu2+荧光粉具有KBaBP2O8纯相 结构,属于四方晶系,空间群I42d,荧光粉的最佳合 成温度为875℃。K(Na)BaBP2O8:Eu2+系列荧光粉 可被波长为365nm的近紫外光有效激发,与InGaN芯片( 350~410nm)相匹配;其发射光谱为 400~650nm的不对称宽带,发射峰位于456nm 左右,对应Eu2+的4f65d1-4f7-5d0跃迁。利用van Uitert经 验公式计算了Eu2+取代KBaBP2O8中Ba2+和K+时所占的晶体学格位,得出 449.4nm、439.1nm两个发射属 于Eu2+占据8配位的Ba2+和K+的5d-4f跃迁发射 ,511.0、506.7nm两个发射属于Eu2+ 占据6配位的 Ba2+和K+的5d-4f跃迁发射。用适量Na+替换K+可 以明显提高荧光粉的发光强度,其最佳掺杂摩尔比例为 Na/K=0.35/0.65,此时荧光粉的主晶相没有改变,但XRD衍射峰向大角度方向偏移。K(Na)Ba BP2O8:Eu2+ 荧光粉的CIE点可落在从蓝光到蓝白光区域,在近紫外LED应 用中可以根据实际需要灵活选择。 相似文献
199.
本文提出了一种在MIMO信道发射端和接收端的任意方向上测量空间相关性的方法。通过测量到达角度、离开角度和多径通道的相关功率谱来计算MIMO信道发射端和接收端的角度能量谱和空间相关度。由相关阵列对MIMO信道容量进行估值,估值结果与直接测量值一致。 相似文献
200.
Interent的快速发展对网络规模的要求越来越大,对网络链路的带宽要求也越来越高,所以需要宽带Internet新技术来优化专门传递IP业务量的骨干网络,以适应网络核心中出现的这种增长。在ATM上支持IP协议的技术有重叠模型和集成模型两类基本互通类型。集成模型中的几种方式,如Tag交换,ARIS,IP交换和信元交换路由,都采用标记交换。多协议标记交换(MPLS)作为一种新兴的技术能改进逐跳路由和转 相似文献