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设计了一种新颖的伪垂直结构PNP晶体管。在锗硅BiCMOS工艺基础上,仅增加基区和集电区两道离子注入,以低成本工艺实现了优良的性能。晶体管电流增益在30以上,击穿电压大于7V,特征频率10GHz,满足高速电路设计的要求。 相似文献
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通过分析中国证券市场现实投资环境和实际特点,建立了一个考虑完整费用的证券投资组合模型。针对标准粒子群算法容易陷入局部最优和搜索精度不高的缺点,提出了基于捕食策略的粒子群算法,将其用于求解投资组合模型。捕食搜索策略可以通过调节限制级别来控制粒子群的搜索空间,从而平衡全局搜索和局部搜索。通过实例分析验证了算法的有效性。 相似文献
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采用数值方法研究了冷气和封严气对低压涡轮内部流场的影响。在设计膨胀比下详细对比分析了冷气和封严气的流量变化对涡轮表面静压、叶栅通道马赫数、叶栅损失及流场结构的影响;计算结果表明：冷气流量增加,低压涡轮膨胀比增加,低压涡轮导叶和动叶表面载荷增加;导叶叶栅通道主流马赫数减小而转子的主流马赫数变化较小;冷气流量变化对导叶40%叶高以下区域、转子径向40%叶高以下和80%～90%叶高区域的总压恢复系数和能量损失系数影响较大。轮毂和机匣封严气呈束状进入转子叶栅通道且腔内封严气流动受旋转轮盘抽吸效应影响较大。 相似文献
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刘冬华 《数字社区&智能家居》2010,(3X):2299-2300
无纸化考试系统中,客观试题的自动评分相对于操作题的自动评分实现起来比较容易。该文主要对无纸化考试系统的操作部分试题的自动评分问题进行分析,以Word操作题为例阐述操作题的自动评分的具体实现。 相似文献
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非外延集电区的超高压锗硅异质结双极晶体管 总被引：1，自引：1，他引：0
介绍了在0.18 μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的“L形”二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区.该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压... 相似文献
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GB 51251-2017《建筑防烟排烟系统技术标准》第3.1.3条第2款对前室机械加压送风口设置作了严格要求,为了研究加压送风口不同设置方式对前室防烟效果的影响,以采用机械加压送风防烟形式的单入口独立前室为研究对象,借助PyroSim分别对前室加压送风口的位置、送风角度和送风口布置方式对前室门洞断面风速和前室烟气流动的影响进行了模拟研究。结果表明：送风口设置在前室门正上方时防烟效果最好,其次是在正对前室门的位置;合适的送风角度能够将送风气流引向前室门以改善防烟效果;正对前室门设置送风口时横向布置比竖向布置防烟效果更好。 相似文献
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获得高电阻率的、完整性好的CdZnTe晶体是研制高性能的CdZnTe γ射线探测器的关键.运用热力学关系估算了Cd1-xZnx熔体平衡分压,尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源进行Cd0.8Zn0.2Te晶片的热处理,研究了退火对Cd0.8Zn0.2Te晶片质量的影响.结果表明：在1069K下用Cd0.8Zn0.2合金源（PZn=0.122×105Pa和PCd=1.20×105Pa）对Cd0.8Zn0.2Te晶片退火5天以上,可提高晶体电阻率一个数量级和晶体红外透过率10%以上,并可消除或减小晶片中的Te沉淀,同时避免了Zn的损失,改善Zn的径向分布.可见,采用Cd1-xZnx合金源代替Cd源控制进行CZT退火处理优于仅采用Cd源控制的退火处理. 相似文献
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由于蓄冰空调的实施给空调用户带来诸多实惠 ,特别是空调负荷具有特点的建筑物 ,更多的空调用户都希望把常规空调系统改造成蓄冰空调系统。本文正是针对一个实际的常规空调系统改造成蓄冰空调系统的工程 ,阐述了单工况制冷主机改造成双工况制冷主机的有关问题及实施措施、方法 相似文献
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设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构PNP器件.基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的影响.在确定器件结构和制作工艺的基础上,进一步优化了器件特性.基于仿真得到的工艺条件所制作的PNP器件,其特性与仿真结果基本一致.最终优化的PNP器件的电流增益为38,击穿电压大于7V,特征频率为10 GHz.该PNP晶体管改善了横向寄生硅基区PNP晶体管的性能,减少了垂直SiGe基区PNP晶体管工艺的复杂性,采用成本低廉的简单工艺实现了优良的器件性能. 相似文献