浅析水利工程堤坝防渗加固施工技术

近年来,随着科学技术的不断发展变化,水利工程堤坝防渗技术得到了快速的发展,在工程实际中,根据不同的实际情况可以选择不同的防渗技术,以达到科学,合理,经济的目的,然虽然有很多技术可以在实际应用中得到广泛的应用,但是其中一些重要的环节仍然存在很多问题,文章就其中的一些问题进行了简要的分析与讨论。     

3 300V SiC SBD嵌入式MOSFET研制

研制了一种3 300 V 碳化硅（silicon carbide, SiC） 肖特基二极管（schottky barrier diodes,SBD）嵌入式金属-氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistors,MOSFET）,即在传统MOSFET结构中集成一个由钛形成的肖特基接触。在芯片制造过程中,通过增加Ni退火后的表面处理工艺,使得栅源短路失效率降低约58%。研究发现,当二极管电流密度J_SD=100 A/cm²时,嵌入式二极管电压降V_SD（SBD）=2.1 V,寄生二极管的开启电压约为8 V,这说明嵌入式SBD可以抑制MOSFET寄生二极管开启,降低碳化硅MOSFET“双极退化”风险。另外,该芯片的阈值电压为3.05 V,比导通电阻和阻断电压分别为18.9 mΩ·cm²和3 955 V,在高压轨交市场具有广阔的应用前景。