A physical-based pMOSFETs threshold voltage model including the STI stress effect

The physical threshold voltage model of pMOSFETs under shallow trench isolation(STI) stress has been developed.The model is verified by 130 nm technology layout dependent measurement data.The comparison between pMOSFET and nMOSFET model simulations due to STI stress was conducted to show that STI stress induced less threshold voltage shift and more mobility shift for the pMOSFET.The circuit simulations of a nine stage ring oscillator with and without STI stress proved about 11%improvement of average delay time.This indicates the importance of STI stress consideration in circuit design.     

FINFET的三维模拟

采用三维模拟软件对具有FINFET结构的SOI-MOSFET进行了模拟.研究了FINFET的I-V特性、亚阈值特性、短沟道效应等.模拟发现,通过降低fin的高度可以有效地抑制短沟道效应与提高器件的性能,因此fin的高度是器件设计中一个关键参数.模拟结果表明FINFET在特性上优于传统的单栅器件.     

椭圆球面波信号乘加卷积运算后频谱特性研究

椭圆球面波函数(Prolate Spheroidal Wave Function, PSWF)集是时频域能量聚集性最佳的信号形式, 在提高系统频谱利用率、降低频带间干扰方面具有天然的优势.针对椭圆球面波信号在放大、检测及滤波等工程应用中频谱发生变化的问题, 重点研究了椭圆球面波信号相加、相乘和时域卷积运算后频谱特性的变化, 通过理论分析和仿真验证给出了椭圆球面波信号乘加卷积运算后频谱特性的变化规律, 讨论了乘加卷积运算对椭圆球面波函数工程应用的影响, 为椭圆球面波脉冲信号相关研究提供一定的理论参考.     

Experimental Research on Tank Exhaust's Thermal Restraint Based on Thermoelectric Generation Theory

Aimed at the high temperature of tank's exhaust, the principle of applying thermoelectric generation technology to tank thermal restraint was analyzed. Its application experiments were conducted to test the exhaust temperature under different rotating speeds, The experiment results show that the thermoelectric generator can output sufficient electric energy to drive fans; the external surface temperature of radiator is reduced by over 65.0% compared with exhaust surface due to the combination effect of thermoelectric conversion, fan cooling and heat radiation; the exhaust surface temperature rise caused by increase of the engine's rotating speed results in the increases of the temperature difference of the thermoelectric generator's cold and hot sides, the fan's driving voltage and heat convection, thus, the effect of fan's cooling is more obvious than that of the temperature rise caused by exhaust.     

Al_2O_3高k栅介质的可靠性

利用反应溅射方法制备了等效氧化层厚度为3 45nm的Al2 O3栅介质MOS电容,研究了Al2 O3作为栅介质的瞬时击穿和恒压应力下的时变击穿等可靠性特征.击穿实验显示,样品的Al2 O3栅介质的等效击穿场强大小为1 2 8MV/cm .在时变击穿的实验中,Al2 O3栅介质表现出类似于SiO2 的软击穿现象.不同栅压应力作用的测试结果表明,介质中注入电荷的积累效应是引起软击穿的主要因素,其对应的介质击穿电荷QBD约为30～60C/cm2 .     

亚100nm多栅MOSFET的三维模拟

使用三维模拟软件对具有FINFET的多栅结构(主要是双栅和三栅)进行了模拟.对比了双栅和三栅的I-V特性.发现三栅的特性要优于双栅;减小FIN宽度(即两个侧栅之间的距离),双栅和三栅结构特性之间的差距变小.     

线上线下混合式教学中学员主动学习促进策略研究

本文基于线上线下混合教学模式,从教学内容优化和教学组织形式两个方面,提出了促进学生主动学习"电子技术"课程的策略.包括:教学内容与课程思政的有机融合、理论知识与工程案例的有效结合、课内实验与课下实验的交叉组合;混合教学目标的设计、混合教学活动的组织以及混合教学自我评价的设计.通过该策略的研究,可帮助学员形成自主学习的能力,有利于教学质量的提升.     

N掺杂纳米TiO_2的制备及光催化性能研究

以盐酸羟胺为N源,按r(盐酸羟胺:钛酸四丁酯)分别为1:2,1:1,3:2,2:1和3:1掺杂,采用sol-gel法一步制备N掺杂纳米TiO2。研究了焙烧温度和N掺杂量对样品晶相结构及其在紫外光和紫外–可见光下对罗丹明B光催化活性的影响。结果表明,增大N掺杂量可抑制样品由锐钛矿相向金红石相转变。r(盐酸羟胺:钛酸四丁酯)为2:1时,样品经500℃焙烧后对罗丹明B的紫外光催化降解率1h内达54.81%,样品经600℃焙烧后对罗丹明B的紫外–可见光催化降解率2h内可达99.13%。     

改进的树型结构RFID防碰撞算法

将整棵大查询树分为若干分支,在每一个分支内进行标签识别,减少碰撞发生的概率。算法分为前缀确定和分支查询2个阶段,在前缀确定阶段读取所有标签前缀,每个前缀代表一个分支,依次遍历每一分支;查询过程采用后退式搜索策略和动态搜索方式。理论分析和仿真实验表明,算法能够从查询次数、时延、吞吐率多方面改善RFID系统的整体性能。     

汗潜指纹紫外偏振反射特性研究(特约)

汗潜指纹是犯罪现场最常见的指印类型,具有特征消失快且不易被检测等特点。根据其特点,使用紫外偏振成像探测技术进行目标检测,相比传统强度图像,偏振参量图像可以提高目标对比度,有助于辨别不同背景中的目标。但紫外偏振成像探测技术对角度、波段及客体材料等较为敏感,所以通过设计合理的实验,分析了汗潜指纹紫外偏振反射特性随角度、波段及客体材料的变化特点。结果表明:汗潜指纹在不同角度下表现出规律的偏振特性;在系统提供的四个光谱偏振通道中,近紫外波段相比之下有很好的可重复性和区分性;不同客体材料偏振特性差异变化较大,对比分析样本的紫外偏振反射特性能有效提高潜指纹的探测和识别性能,为汗潜指纹紫外偏振成像探测技术提供依据。