ZnO非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性

本文研究了不同工艺条件制备的ＺｎＯ非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性，根据介电频谱和低温温谱，认为音频损耗机理是载流子跳跃传输，低温－１３８°Ｃ和－８７．５°Ｃ处的损耗机制是热离子极化．实验发现并理论推导了ＺｎＯ非欧姆陶瓷元件的阻性电流正比于其电容和压敏电压的乘积，这一关系可作为ＺｎＯ元件的质量控制手段．     

氧化锌非线性电阻的加速老化试验规律

通过加速老化试验,考察了泄漏电流随时间的变化以及老化试验前后电阻片的伏安特性变化情况,获得了有用的实验规律,并初步探讨了影响电阻片稳定性的因素。     

ZnO压敏陶瓷的高温热释电现象

发现具有相变的Ｂｉ２Ｏ３系和不具有相变的Ｐｒ２Ｏ３系ＺｎＯ压敏陶瓷能从４００℃附近起产生热释电电流，这是在高温热过程中ＺｎＯ压敏陶瓷内有电荷迁移的直接证据，研究了升温速度和热循环次数对Ｂｉ２Ｏ３系和Ｐｒ２Ｏ３系ＺｎＯ压敏陶瓷热释电规律的影响．结果表明，在一定升温速度范围内高温热释电电流Ｉ－Ｔ曲线与升温无关；热历史对Ｐｒ２Ｏ３系ＺｎＯ压敏陶瓷的Ｉ－Ｔ曲线几乎没有影响，但对Ｂｉ２Ｏ３系的Ｉ－Ｔ曲线的影     

无间隙避雷器的稳定性问题评述

氧化锌电阻的工作寿命直接关系到无间隙避雷器的发展前途。本文分析了影响氧化锌电阻寿命的各种因素;介绍了寿命测试手段;评述了根据试验数据,利用阿累尼乌斯公式估算寿命的方法,认为它方便可行,能为无间隙避雷器的设计提供依据。     

直流ZnO避雷器有关技术问题的讨论

论述了交直流换流站中过电压的特点、避雷器的种类和设置的位置、各种避雷器承受的正常电压和过电压。正常电压波形的特点是直流与锯齿形波的叠加。从电压波形对伏安特性的作用规律、长期稳定性、多柱ZnO压敏电阻片并联、热击穿特性等方面，论述了直流ZnO避雷器设计制造必须解决的几个问题。     

Co_2O_3对ZnO晶粒电阻率的影响

研究(1-x)ZnO+xCo_2O_3一元掺杂ZnO陶瓷系统,通过测定瓷体中ZnO晶粒的自由电子浓度和晶粒电阻率,并利用扫描电镜分析ZnO晶粒本身的缺陷结构,就Co_2O_3对ZnO晶粒电阻率的影响进行了研究。     

ZnO非欧姆性陶瓷元件导电均匀性的液晶显示与分析

本文介绍一种应用液晶热图显示技术半定量测定ZnO元件导电均匀性的方法.此法可用于单片筛选、並联配选等,从而为提高ZnO避雷器阀片导电均匀性增添了一种新的检测手段.ZnO元件的导电均匀性大致可分为两种类型.一类对通流容量影响较大,另一类对非线性(压比)、泄漏电流影响较大.     

环氧粉末包封的ZnO压敏电阻器的湿热劣化规律研究

研究了３种湿热方式作用下ＺｎＯ压敏电阻器的性能劣化规律，以及环氧粉末的固化条件的影响。分析与讨论了湿热联合作用下ＺｎＯ压敏电阻器受潮机理，以及温度和压力在湿热劣化过程中的加速作用。     

ZnO压敏电阻片残压比与微观结构参数的关系

实验研究了厚度ｄ 对ＺｎＯ压敏电阻片残压比Ｋｒ 的影响规律， 表明残压比同样存在几何效应；实验还表明残压比Ｋｒ 随电位梯度Ｅ１ｍ Ａ成反比例下降，随平均晶粒尺寸μ的增大而增大； 找到了一个综合微观结构参数 平均晶粒尺寸μ和晶粒尺寸方差σ２ 的乘积（σ２μ）， 能较好地反映电性能与微观结构参数的关系。提出了计算机模拟微观结构模型，并用计算机模拟了残压比Ｋｒ 和厚度ｄ、Ｋｒ 和平均晶粒尺寸μ以及Ｋｒ 和乘积σ２μ的关系， 模拟结果与实验结果基本一致