非球形导电粒子与绝缘体复合材料的介电增强研究

导电粒子掺入到绝缘体中会显着提高其介电常数,理论上这种增强超出了C-M方程和其它偶极近似的结果.近来有人[1]引入一种有效集结模型来描述这种增长规律,其中对于非球形导电粒子的影响引入一个形状因子u₀来描述,但他们都是把绝缘体作为基体来处理.本文的目的在于采用对等来处理这种介质,像文献[2]一样来修正D-J方程,同时与铜、铝微粒掺入聚乙烯中的实验规律进行了比较,微观分析了微粒的形貌和分布,得到与理论相符合的结果.      

PTC陶瓷掺杂高分子PTC材料的研究

研究了PTC陶瓷粉末掺杂高分子PTC材料的电性能,发现掺杂后复合材料的室温体积电阻率降低,PTC强度增加,这为解决高分子PTC材料中室温体积电阻率高与PTC强度低的矛盾提供了一条新的途径,同时发现绝缘高介陶瓷粉末对高分子PTC材料也有改善作用。另外,辐照交联可以很好地加材料的PTC强度和降低NTC强度。对实验现象从理论上进行了定性分析。     

氧化锌压敏陶瓷晶粒电阻率的研究

<正> 本文首次对ZnO系陶瓷材料的晶粒电阻率(包括载流子浓度与迁移率)与各种因素的关系进行专门的研究,所用方法及结果对类似材料的研究亦将有重要的启示作用。 本文分别用高频阻抗分析法和红外反射光谱法测量了纯ZnO以及Co_2O_3、Al_2O_3等不同掺杂量ZnO电阻片的晶粒电阻率和晶粒载流     

聚合物/炭黑复合材料PTC特性的理论研究进展

关于聚合物／炭黑复合物材料ＰＴＣ特性的机理研究,提出了许多理论模型,文中几个具有代表性的模型,即（１）导电链与热膨胀模型;（２）隧道导电模型;（３）炭粒聚集态结构变化及迁移模型;（４）欧姆导电机理及相变模型等进行分析和讨论,指出了各种模型的特点与缺陷,认为进一步研究了ＰＴＣ现象的机理,完善相应的理论模型,是该领域中一项长期的工作。     

由电介质物理教学与科研50年看电气绝缘学科发展

本文从电介质物理课程创建和发展的角度,介绍了该课程的教学内容和思路,以及课程教学对科研工作的影响,特别是影响到科研从基础研究拓展到应用研究、从应用研究拓展到生产实际。在此基础上,说明该课程的建设和发展对于研究领域的扩展和电气绝缘学科的成长都具有极其重大的意义。     

ZnO压敏陶瓷与有机绝缘材料间界面电荷及其作用

用热刺激电流和电声脉冲法研究了ＺｎＯ压敏陶瓷与绝缘材料间界面电荷分布。发现绝缘材料显著地影响界面电荷性质和密度，压敏陶瓷酯型聚氨酯界面存在大是电荷，而压敏陶瓷与聚酯改性有机硅界而没有电荷。     

坯体成型密度对ZnO压敏陶瓷致密化和晶粒生长过程的影响

研究了ＺｎＯ压敏陶瓷坯体成型密度对烧成瓷体的致密化和晶粒生长的影响。依据扫描电镜观察分析了晶粒大小、分布情况并测量了瓷体密度。着重指出：控制好晶粒大小、分布和瓷体密度可以改善瓷体电性能；提高坯体成型密度不仅加速了瓷体的致密化，而且能降低晶粒起始生长温度，增大晶粒生长速率，促进晶粒长大。     

Fe2O3在ZnO压敏陶瓷中的作用

研究了Fe_2O_3对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。试验表明,Fe_2O_3添加的摩尔含量小于0.1％能提高ZnO压敏陶瓷的非线性和压敏电压;但当其添加量大于0.1℃时,非线性急剧下降;Fe_2O_3添加量大于1％时,压敏电压下降。通过X射线衍射等微观分析,认为过量Fe_2O_3使ZnO压敏陶瓷非线性下降的原因主要是由于Fe_2O_3与ZnO在晶界处形成了具有低电阻率(ρ=10~2Ω·cm)的尖晶石相ZnFe_2O_4     

烧成温度对ZnO陶瓷性能的影响

本文对不同温度下烧成的无添加剂纯ZnO陶瓷的性能(如密度、晶粒生长过程、电导、非化学计量比等问题)进行了较全面的研究,给出了有意义的实验分析数据。     

氢氧化铝对硅橡胶耐漏电起痕性影响规律的研究

系统研究了氢氧化铝含量及微粉粒径对硅橡胶耐漏电起痕性能的影响规律,探讨了提高该性能的机理。综合研究氢氧化铝对硅橡胶电气性能和物理机械性能的影响后,得出了氢氧化铝填料的最佳含量和粒径要求。