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面向含有辅助特征的工艺模型创建方法 总被引:1,自引:0,他引:1
为了创建含有工艺辅助特征的工艺模型以提高工艺规划效率,提出面向含有工艺辅助特征三维工艺模型的快速建模方法。基于工艺辅助特征的具体作用,将其分为辅助加工特征、辅助装夹特征、辅助测量特征和辅助装配特征4类;对各类型辅助特征进行参数化设计,并建立工艺辅助特征库进行管理;基于工艺辅助特征的关联准则和添加方法添加工艺辅助特征,并创建了三维工艺模型。通过NX开发的相应功能模块验证了所提方法的有效性。 相似文献
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针对传统遗传算法存在的初始种群数目庞大,寻优效率和收敛速度慢的缺点,提出了一种基于粗糙集约简决策规则和删除冗余属性的方法。首先建立基于特定栅格法的环境模型,获得机器人路径规划的初始决策表,然后根据粗糙集约简推导最小化决策规则,并用于训练初始种群。最后利用遗传算法优化初始种群,获得最优规划路径。分别在简单和复杂的环境模型下进行了实验,仿真结果表明该方法能够大大减小遗传算法初始种群的规模,缩小算法搜索范围,提高遗传算法的收敛速度和寻优效率,验证了该方法的可行性和优越性。 相似文献
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采用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,用不同的蒸发速率,在Si(111)衬底上生长SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等实验技术,对生长的样品的形貌和结构进行研究。结果表明,在优化的蒸发速率(1.0 nm·min^-1)下,所生长的薄膜质量最好。低的蒸发速率(0.25 nm·min^-1)难以抑制孔洞的形成,衬底的Si原子可通过这些孔洞扩散到样品表面,导致结晶质量变差。在高的蒸发速率(1.8 nm·min^-1)下,以岛状方式生长甚至以团簇聚集,表面的原子难以迁移到最佳取向的平衡位置,导致样品表面粗糙度变大,薄膜的结晶质量变差,甚至出现多晶。 相似文献
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在衬底温度为1000℃条件下, 利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上生长3C-SiC单晶薄膜. RHEED结果显示在Si(111)上所生长的SiC薄膜为3C-SiC, 并与衬底的取向基本一致. 采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术并结合常规X射线衍射(XRD)研究了SiC薄膜内的应变和晶体质量. 常规衍射的联动扫描曲线得到薄膜处于双轴张应变状态. 3C-SiC薄膜和Si衬底的晶格失配和热膨胀系数失配是导致双轴张应变的原因. 根据不同角度的掠入射衍射Phi扫描的摇摆曲线结果, 发现薄膜晶体质量在远离SiC/Si界面区变好. 这是由于SiC薄膜中的缺陷随着远离界面逐渐减少的原因. GID和XRD的摇摆曲线结果表明薄膜中镶嵌块的倾斜大于扭转, 表明SiC薄膜在面内的晶格排列要比垂直方向更加有序. 相似文献
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该研究从黄海海域沉积物中筛选一株能高效抑制黄曲霉(Aspergillus flavus)的海洋放线菌,通过形态观察、生理生化试验及 分子生物学技术对其进行鉴定,并以抑菌圈直径为响应值,通过Plackett-Burman试验、最陡爬坡试验及响应面试验对其产抑菌活性 物质的发酵条件进行优化。 结果表明,筛选获得一株对黄曲霉抑制活性较高的菌株B11,并鉴定其为锈赤蜡黄链霉菌(Streptomyces rubiginosohelvolus);菌株B11产抑菌活性物质的主要影响因素为发酵温度、发酵时间及接种量,最优发酵条件为:发酵温度29 ℃、发 酵时间11 d、接种量5%。 在此最优发酵条件下,抑菌圈直径达到(2.9±0.15)cm,抑菌圈直径比优化前(1.4±0.15)cm增大51.72%。 相似文献
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CT—1蒸煮助剂在麦草制浆中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
青岛海王纸业公司制浆系统全部以麦草为原料,多年来一直用烧碱——AQ法制浆,成浆纤维短、粘度高、强度低、滤水性差。为进一步提高草浆质量,公司一直在探索研究一种能够对纤维损伤少,成浆滤水性能好的制浆方法。经过对多种蒸煮助剂与蒽醌的对比实验,发现湖北省仙桃... 相似文献