高能球磨制备430L不锈钢纳米晶粉末

采用XRD、MS2000粒度分析仪和SEM对430L粉末在高能球磨中的晶粒尺寸、粒度和形貌演变进行了研究.结果表明:高能球磨可制备430L纳米晶粉末,球料比一定,随着球磨时间的延长,晶粒尺寸逐渐减小,且球磨初期,晶粒尺寸减小最快,其后延长球磨时间,晶粒尺寸缓慢减小;在高能球磨中,冷焊、断裂和加工硬化现象始终存在;430L粉末粒度的演变依次经历了快速增大、快速减小、基本保持不变和缓慢减小四个阶段.初步确定了制备430L纳米晶粉末的合理球磨时间约为20～30 h.     

浅议计算机技术在广播电视工程中的应用

计算机技术的日渐成熟,使得人们在认识计算机的强大功能之后将其广泛应用在各行各业。广播电视工程作为一种可视化信息传讯的工程,计算机技术的应用对其发展起着非常重要的作用。本文从计算机技术在广播电视工程中的应用的必要性着手,分析计算机技术在广播电视工程中的应用,探讨其计算机技术在广播电视工程的应用效果。     

分析电力调度工作中的安全风险及其防护措施

本文分析了电力调度工作中的安全风险,包括因误下命令、误送电或延误送电等引起的风险等;同时探讨了安全风险的防护措施,包括误操作安全风险的防护方法,以提高电力调度系统的安全性,旨在提高电力调度水平。     

包头出行智慧

包头市的杜先生最近迷上了微信里的一个公众服务号。自从开始使用这个微信公众服务号,每天清晨在家的时候,杜先生不再忙乱得像打仗一样,而是井井有条。轻松地打开微信,查询每天上班要乘坐的公交车还有几分钟到站,再依据到站时间下楼、走到公交站台、上车。     

舟山海洋经济突围

在中国的东海上,1390个岛屿构成了舟山。舟山一直是中国相对富裕的一个城市。这片曾经以渔业为主的“东海渔仓”,凭借优越的地理位置,多次入围中国最富城市前几名。     

贺东东：向网络服务制造迈进

数字制造现今已成为不可逆转的潮流。在世界范围内,德国西门子公司、美国通用电气携带“工业4.0”和“工业互联网”的概念来势汹汹。中国的工业企业如何理解数字制造？在未来的先进制造中,中国制造应该如何应对？中国工程机械制造知名企业三一集团对未来的制造有着自己的理解。     

土壤对滴滴涕的吸附行为及影响因素研究

以采自现代黄河三角洲地区不同特性的土壤为研究对象,研究了滴滴涕(DDTs)在土壤中的吸附行为及土壤各特性参数对吸附行为的影响。实验结果表明:DDTs在该地区土壤中的吸附为弱非线性吸附,符合Lang-muir吸附等温方程,分配作用占主导地位;影响DDTs的吸附量的主要因素为土壤中有机质含量,其对Langmuir方程中最大吸附量的影响程度可用本文构建的定量方程描述;DDTs的吸附量与土壤的粘粒含量呈正相关,与土壤pH值及土壤可溶解盐含量无明显相关。本研究为构建现代黄河三角洲地区土壤中持久有机污染物的归趋提供数据支持。     

消防系统水箱水位的模糊控制与改进

对消防系统中水箱水位进行了模糊控制研究,在相关理论基础上,设计了水箱水位模糊控制器,研究了控制对象的数学模型,并在基本模糊控制的基础上提出了3种改进的控制方案,通过仿真实验,证明了所设计的控制器和改进的控制方案对该系统控制的有效性和可行性.     

用于内容精确认证的脆弱水印方案

为验证图像在处理过程中是否被篡改,研究了用于内容精确认证的水印方案。通过对应用要求的分析,构建了一个满足这些要求的水印嵌入过程所遵循的一般性协议。遵循水印协议和脆弱水印算法基本框架实现了一种脆弱水印方案。方案将图像的奇异值作为参与乘积哈希的元素生成认证码,使用了MHC（Midified HuffmanCodeing）编码对图像的低比特平面进行压缩。实验结果表明,该方案完全可以满足应用的要求。     

Crystallization and conductivity mechanism of ITO films on different substrates deposited with different substrate temperatures

ITO thin films were grown on PC(polycarbonate), PMMA(polymethyl methacrylate) and glass substrates by r.f. magnetron sputtering. The electrical, structural and chemical characteristics of ITO films were analyzed by the Hall Technique, X-ray diffraction, and X-ray photoelectron spectroscopy. XPS studies suggest that all the ITO films consist of crystalline and amorphous phases. The degree of crystallinity increases from less than 45% to more than 90% when the substrate temperature increases from 80 to 300 ℃. The In and Sn exist in the chemical state of In3+ and Sn4+, respectively, independent of substrate type and temperature. The enrichment of Sn on surface and In in body of ITO films are also revealed. And, the oxygen deficient regions exist both in surface layer and film body. For ITO films deposited under 180 ℃ , the carrier concentration are mainly provided by oxygen vacancies, and the dominant electron carrier scattering mechanism is grain boundary scattering between the crystal and the amorphous grain. For ITO films deposited over 180 ℃, the carrier concentration are provided by tin doping, and the dominant scattering mechanism transforms from grain boundary scattering between the crystal grains to ionized impurity scattering with increasing deposition temperature.