采用砷发射极掺杂提高截止频率

采用砷作为一种 N~ 发射极掺杂剂提高微波晶体管的截止频率。对于同样的表面几何形状来说,若采用砷,能获得3.2千兆赫的截止频率;若用磷,截止频率只达680兆赫。据报导,美帝国际商业机器公司的主要改进办法是:采用砷时,放慢扩散速度,这样就能更好地控制基区厚度;其次是扩散分布陡得多。     

X 波段1瓦雪崩二极管放大器

美帝雷锡昂公司研制了一种用于通讯、电子对抗和其他雷达应用的 X 波段雪崩二极管放大器。这种新器件是把若干个微态砷化镓二极管组合在一起;它在10～12千兆赫下额定     

锻造轴端面开裂研究

对锻造轴坯端面开裂的缺陷进行了分析研究。结果表明：加热不当和锻造方法不当是造成轴端面开裂的原因。     

砷化镓碰撞雪崩二极管连续输出功率达4瓦

美帝雷锡昂公司研制一种在 C 和 X 波段下连续输出功率达4瓦的砷化镓碰撞雪崩二极管。三年前,理论设计时要求探索一种比其他材料有更大功率、更低噪声、更高效率和更高工作温度的材料。经过考虑之后,选用砷化镓材料。最初,研制一种台式结构的碰撞雪崩二极管。由结产生的热通过材料本体传到散热片,所以器件的功率较低。     

采用低位错工艺制造低噪声器件

最近,日本东芝公司采用低位错工艺制成了低噪声晶体管和集成电路,所用衬底材料的位错低于500/厘米~2,并保证在制造过程中不引入位错。在一般方法中,扩散前掺杂剂的非常高的表面浓度和片子表面上的厚玻璃层增高了片子有源区的位错数目。后者是由于与硅有不同的热膨胀系数,前者由于掺杂剂通常采用的掺杂剂(如磷和硼)的晶格尺寸不同于硅。高浓度也可引起掺杂剂的不规则沉积。     

交互式绘图软件的制作方法

本文简明扼要地阐述了一种容易被人接受的交互式绘图软件的制作方法，并对其中的关键技术以流程图的方式作了介绍。     

含磷类血管紧张素转化酶抑制剂的3D—QSAR研究

文章利用限制性构象搜寻（Ｃｏｎｓｔｒａｉｎｔｓ Ｓｅａｒｃｈ）,确定了血管紧张素转化酶（ＡＣＥ）掏剂的药效团模型（活性构象或重叠规则）。用比较分子场分析法（Ｃｏｍｐａｒａｔｉｖｅ ＭｏｌｅｃｕｌａｒＦｉｄｌｄ Ａｎａｌｙｓｉｓ,ＣｏＭＦＡ）建立了含磷类ＡＣＥ掏剂的３Ｄ－ＱＳＡＲ模型。较高的交叉验证回归系数（q＾２＝０． ７２１）及此模型对不同类型抑制剂活性的预测结果,说明了其可靠性和较好的活性预测能