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991.
以十六烷基三甲基溴化铵为模板,六水氯化铝和十八水硫酸铝在低温开放体系分别与正硅酸乙酯直接进行固/液反应,合成非晶结构的铝掺杂氧化硅微介孔材料。并用XRD、HRTEM、SEM/EDS、低温N2吸附、FTIR和原子吸收光谱TAS等技术对产物的结构和吸附性能进行表征。探讨了微介孔的形成机理。结果表明,在酸性和阳离子表面活性剂共存条件下,所制得的铝掺杂氧化硅微介孔材料呈不规则形状,其孔壁均为无定型;掺杂金属铝进入氧化硅晶格。铝源中配阴离子不仅影响材料的物相织构、材料的元素组成,而且还影响其吸附性能。  相似文献   
992.
根据酸碱中和的原理制备了Dawson型磷钼钒镍杂多酸盐NiH6P2Mo16 V2O62,采用傅里叶变换红外光谱(FT-IR),X射线衍射(XRD)对所制备磷钼钒镍杂多化合物进行了表征。以磷钼钒镍杂多酸盐作为催化剂,采用初始速率的方法研究了过氧化氢一步将苯氧化为苯酚动力学行为。结果表明:该羟基化反应速率对底物苯、双氧水和催化剂都是一级反应,反应活化能为31.47 kJ/mol,根据所建模型推测过渡金属Ni对催化反应只起到辅助作用。  相似文献   
993.
随着电子封装技术的发展,传统键合金丝在性能和价格上已经不具备优势。采用复合和改性等方法可以开发出满足要求的键合金丝替代品。总结了金包银复合键合丝、钯包铜复合键合丝、金合金键合丝和银合金键合丝共4种键合金丝替代产品的性能特点、成分配比、生产技术难点和关键点,介绍了部分典型产品,并对替代产品的发展趋势进行了展望。  相似文献   
994.
虚拟同步发电机(VSG)能够实现新能源机组友好并网。然而,传统的VSG技术主要适用于电网电压平衡工况,这使得VSG在电压不平衡情况下面临输出电流不平衡及过流等问题,为此提出一种基于动态电压补偿的VSG平衡电流控制架构及方法。通过负序电流抑制和峰值电流抑制策略,分别生成对应的补偿电压,使得VSG在电压不平衡时仍能输出平衡电流,且可抑制电网电压跌落瞬间的暂态冲击,以及确保稳态运行时的电流不超过安全阈值。同时,所提控制方法并未改变VSG等效为电压源的属性,保留了VSG的电压支撑能力。不同工况下的仿真测试结果验证了所提出控制方法的正确性和有效性。  相似文献   
995.
基于向量投影的数据检验PCA方法   总被引:10,自引:3,他引:10  
提出了一种基于向量投影的数据检验PCA方法,该方法在对测量参数相关性分析的基础上,采用主成分分析进行建模,提取了其中的主要特征信息,实现了高维复杂数据的降维,通过数据重构可对各测量数据进行正确的估计,采用向量投影的方法对重构残差向量进行变换,通过得出的两类结构化残差可对故障仪表进行正确的检测与定位。以国产200MW机组为具体对象,给出了该方法的算例和检验结果。  相似文献   
996.
在干扰对中继节点和目的节点都产生影响时,根据是否考虑直接传输,提出了2种最小化中断概率的机会中继协议. 考虑直接传输时,目的节点采用最大比值合并直接传输和中继传输. 推导了2种机会中继协议在独立不同分布瑞利信道中的中断概率. 仿真结果表明,就中断概率而言,考虑干扰的机会中继优于不考虑干扰的机会中继,考虑直接传输的机会中继优于不考虑直接传输的机会中继.  相似文献   
997.
虎杖白藜芦醇提取工艺的初步研究   总被引:18,自引:0,他引:18  
以虎杖白藜芦醇提取率为考察指标,进行提取方法的筛选,并采用正交试验考察溶剂种类、溶剂浓度、pH值、浸提时间4个因素的影响,研究虎杖白藜芦醇粗品提取工艺的优化条件。选出的最佳提取工艺条件为:提取温度20℃,料液比(g:mL)为1:10,pH值为8,80%乙醇提取24h。提取工艺采用恒温搅拌提取方法为宜。  相似文献   
998.
采用高强度(平均离子强下10年、20年、30年雨量)模拟酸雨淋滤珠江三角洲地区的潮土,用重铬酸钾滴定法测定淋滤后土壤的有机质含量。研究表明:高强度模拟酸雨对土壤有机质含量的影响不大。各层土有机质含量变化最大的为下降13.04%,最小的为-1.33%。  相似文献   
999.
为了保障基层群众对事故灾难的应急处置能力,依据灾时应急响应能力、灾害防御能力、灾时应急救援能力、资源保障能力和灾后经验总结能力建立了灾时应急保障能力影响因素指标体系。利用Amos 24.0与SPSS 24.0软件构建了灾时应急保障能力结构方程模型。结合调查问卷,分析了各影响因素对基层应急保障能力的影响程度及原因。研究结果表明:基层灾时应急保障能力主要受灾时应急救援能力与灾后经验总结能力影响,可加强基层群众内部和政府部门协调群众处理事故的管理能力,使群众加深对事故的反思;存在群众对应急预案不了解和应急规章制度认知不足等情况,需保证各单位制定事故防范政策与应急预案,并落实到每位群众,提升灾时应急保障能力。  相似文献   
1000.
设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,薄膜电阻器表面的最高温度为108℃。实验结果表明,所制备的TaN薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比小于1.25;加载20W直流功率96小时,电阻器的阻值变化小于2%,表面最高温度为105℃;在25-125℃温度范围内电阻器的温度电阻系数为-40ppm/℃。  相似文献   
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