结晶釉中硅锌矿晶体结构与物理性质的研究

本工作对不同生成条件的硅锌矿进行了系统的光性鉴定;测定了它们的晶胞参数;拍摄了反映硅锌矿结构特征的电镜照片;确定了从熔体中析出的硅锌矿沿C轴生长的结晶习性。得出如下结论: (1)在加热过程中结晶釉料内生成的硅锌矿呈粒状;在保温过程中釉熔体内析出的硅锌矿呈纤维丝状,两者晶体形态虽不同,晶胞参数却相近。 (2)硅锌矿在釉层平面内沿C轴方向生长。 (3)着色氧化物的掺加,使硅锌矿的折光率和晶胞参数都有所改变。     

磷系配方处理冷却水的现场调查

前言我厂共有大小循环水场五个。其中在第一循环水场(供常减压和催化裂化装置)第二循环水场(供气体分馏和溶剂油装置)和第四循环水场(供顺丁橡胶装置)采取了水质处理工艺。虽然三个水场使用的补充水水质相同,所采用的处理方法相同,但所得到的结果却不大一样。特别是在同一水场(第一循环水场)不同年度,不同冷换设备得到了截然不同的结果。现就我们调查的情况说明如后,供有关人员参考。     

红外在线监测与分析方法在铀氟化挥发工艺中的应用

高温氟化挥发技术是分离回收乏燃料中易裂变材料铀的干法分离技术。本研究建立了基于红外光谱技术的高温氟化挥发工艺中气相产物在线检测的技术。利用此技术发现在UF4氟化挥发反应过程中,除了UF6之外,还有Mo F6、UO2F2和HF的生成。根据这些产物相对浓度随反应进程的变化,讨论了它们可能的来源。实验工作表明红外光谱技术不仅能够用于高温氟化挥发工艺中氟化反应过程的在线监测和研究,而且可以通过装置结构材料腐蚀产物Mo F6、UF6水解产物UO2F2和HF的在线检测进一步优化工艺流程。     

“感·评·赏·悟·练”语文教学模式的建构

面对新课程改革的潮流和语文教学的困境，我们痛感改革高中语文教学模式的紧迫性和重要性。在深入学习国内外的先进教学理论后，加之多年教学实践中又有许多教学经验和体会，于是我们在教学中创造了“感·评·赏·悟·练”这种模式。本模式以“改变学习方式和教学方式”为基本指导思想，以“重感知、积累、熏陶和语感培养”为基本出发点，以“切实减轻师生的负担，让教师教得轻松，使学生学得轻松”为基本特征。我们希望通过尊重学生在学习过程中的独特体验，来发挥他们的主动性和积极性，从而提高语文教学的质量和学生的语文素养。     

辐射引发淀粉-丙烯腈接枝共聚以制备高吸水树脂

在(60)Coγ射线引发下丙烯腈(AN)可以很容易地接枝到淀粉(S)上,这种接枝共聚物(SPAN)可以制成高吸水树脂(HS-PAN)。本文报导了有关影响接枝率的因素,如剂量、剂量率、淀粉-丙烯腈摩尔比,并测得接枝PAN的分子量级为10~5。对于HS-PAN的性质也作了初步探讨。     

埋地输油管道非稳态热力计算模型研究

埋地输油管道在运行中不可避免地会遇到停输问题，油管内原油与土壤中的热力平衡状态被破坏，油温及土壤温度将重新分布，这直接影响管内原油温降情况，需研究这一非稳态热力过程，针对新疆塔中油田埋地输油管道，分析非稳态热力过程，建立了埋地管道传热计算模型，此数学模型与传统模型相比，充分考虑到大地本身恒温层对埋地输油管道传热的影响，把半无界域化为有界域，大大提高了计算结果的精确度，经过实例比较，该数学模型建立基本正确，符合实际工况，精确性较高，可直接应用于工程计算中。     

基于PLC的一次性餐具成型机控制系统

一次性餐具成型机控制系统采用松下FP1系列C40型PLC,在控制面板设计和硬件接线设计上充分考虑了易操作、可靠性高和易维护的需求,在软件设计上采用步进指令 高级指令的程序结构,从而解决了系统扫描时间过长的问题.编译和集成后的控制系统替换了原有常规控制系统,使得成型机的控制上到一个新的台阶.     

配电网合环操作环流分析系统的开发和应用

双向供电网络在电力网络结构中的普遍化，促使配电网的合解环操作成为电力系统运行操作中必不可少的环节。苏州地区电力结构复杂，合环操作频繁，对此开发了苏州地区配电网合环操作分析系统。文中介绍了该系统的研制过程和系统特点，对配电网合环计算模型及计算结果的误差进行了分析，并对系统的前景做了展望。该系统已在苏州供电局现场投运。     

新型单相防窃电电子式电能表

针对当前的窃电现象以及现有防窃电技术的不足,介绍了基于MSP430系列单片机的新型单相防窃电电子式电能表的设计及其如何实现多功能的防窃电计量。实际应用表明,该电能表成本低,能够准确、实时地检测出窃电并进行防窃电测量,运行稳定可靠。     

稠油热采保温管线外表面发射率获取方法及实验

稠油热采保温管线外表面发射率是表征辐射本领的物理量,是一项很重要的热物性参数。利用红外热像仪测温原理的通用基本公式推导出发射率的数学模型,得出两种管线外表面发射率的测量方法,对两种方法进行了室内实验验证。通过实验研究了有人工太阳辐射和没有人工太阳辐射对管线外表面发射率测量的影响。结果表明人工太阳辐射对发射率的影响较大,两种计算发射率方法中,得出管线外表面发射率误差值分别为37.5%和25%。