TD-SCDMA业务网络部署

2006年,TD-SCDMA无论从技术、标准还是产品方面都取得了很大进展;另外,TD-SCDMA在中国的第二阶段商用试验也在2007年初启动,中国移动开始在奥运会举办城市建设TD-SCDMA网络.     

优势面组合与岩坡破坏模式

依据优势面控制岩坡稳定的理论,建立了岩坡破坏模式的地质、物理、系统工程三种分析模型,进而得到了岩坡破坏的真正工程地质模型,并以苏南核电站厂后岩坡为例,阐述了三种分析模型的研究方法和相互关系。     

基于SIMULINK的PMSM控制器的建模与控制仿真

为了使用交流永磁同步电机（PMSM）设计高精度光机扫描机构的运动控制器,作者分析了PMSM及其控制器的数学模型,用SIMULINK对PMSM和控制器进行了建模和仿真。在此模型的指导下,作者搭建出了达到预期性能的物理实验系统。通过电流环的仿真和实验结果对比证明,基于SIMULINK的PMSM控制器模型仿真结果真实可信,对于设计和调试PMSM运动控制器很有帮助。     

基于日志分析的虚拟化环境故障定位系统

在云平台的运行维护中,虚拟化环境的故障定位对容错极其重要。针对虚拟化环境的空间拓扑时变性,提出了一种基于时变的节点间依赖关系的日志分析方法,为决策树故障定位提供支持。节点间依赖关系能够帮助压缩日志,只提供故障时间窗口内的有效信息作为挖掘来源,从而更快更准确地完成故障定位。实验表明,能够在较大系统规模的多变的虚拟化环境下实现有效和高效的故障定位。     

空气氧化处理的中间相沥青基炭/炭复合材料的组织和弯曲性能

通过引入225℃空气氧化处理,在较短周期内采用常压浸渍炭化工艺制备了中间相沥青基炭/炭复合材料.采用偏光显微镜、万能力学试验机及扫描电镜等检测手段研究了炭/炭复合材料微观组织和弯曲力学性能.研究结果表明,225℃空气氧化处理后,炭化收率显著提高,经过四次常压浸渍-炭化循环后炭/炭复合材料密度达到了1.73g/cm3,弯曲强度为152.39MPa,比未经过空气氧化处理的试样提高了62.87%.空气氧化处理制备的试样呈现典型的假塑性断裂特征,而未经空气氧化处理制备的试样主要从层间断裂,其弯曲强度较低.通过偏光显微分析,未经空气氧化处理的炭/炭复合材料组织大部分为小域组织,只有少量的镶嵌型组织和广域组织,而经过225℃空气氧化处理后的试样,以广域型组织为主,并在其间夹着流线型组织和小域组织.     

水土作用中铁对土体结构强度的影响

在大量实验数据的基础上，详细分析了水－土体系中铁与水溶液发生的一系列理化学反应，深入探讨了铁的含量，存在状态对土结构强度的影响机理，并指出，实验过程中土中的总铁含量和土体结构强度随着浸泡时间呈波浪状起伏，其原因是实验环境（水溶液中离子的种类和含量，水－土体系所处的氧化还原状态等）的改变。     

A2B′B″O6型双钙钛矿氧化物的研究进展

双钙钛矿氧化物具有A2B'B'O6结构通式,通常碱土金属离子占据A位,过渡金属或者镧系金属离子占据B位。由于B位离子(B'和B')的组合方式多样化,使得双钙钛矿结构氧化物拥有多种晶体畸变类型,呈现出丰富的强关联物理现象(如庞磁电阻效应、电子相分离、电荷/轨道有序等),这为人们研究电子强关联物理机制提供了一个良好的研究体系。综述了近年来双钙钛矿氧化物的研究进展:首先介绍晶体结构特征、制备方法及微结构表征技术,重点评述了其铁电、铁磁及多铁性方面的研究进展;其次讨论了它们在自旋电子学、铁电光伏及固体燃料电池领域的应用前景;最后指出了目前双钙钛矿氧化物研究需要重点关注的一些问题。     

TD-SCDMA差异化业务分析

首先分析了未来3G移动网络运营商所面临的竞争形势。接着分析了TD-SCDMA的全业务支持能力和差异化的竞争优势。最后着重分析了TD-SCDMA在典型业务方面的优势。     

探讨汽车变速箱电软轴手动换挡控制系统优化设计方法

在汽车行驶的过程中,特别是启动环节,换挡变速的流程对汽车行驶的安全稳定性至关重要。鉴于此种情形,本文提出了一种汽车变速箱电软轴手动换挡控制系统优化设计方法,能有效地保证汽车在行驶过程中变速箱换挡输出信号正确和快速响应,希望给汽车行驶带来不一样的体验。     

低压沉积温度对MoSi2涂层微观结构与性能影响

以SiCl₄和H₂为原料,采用低压化学气相沉积（LPCVD）渗硅法在Mo基体表面原位反应制备了MoSi₂涂层,研究了沉积温度对MoSi₂涂层微观形貌、物相组成、沉积速率、涂层的硬度、涂层与基体结合强度的影响. 研究结果表明：在1100~1200℃下制备的涂层结构致密,由单一MoSi₂组成,沉积速率、涂层的硬度以及与基体的结合强度均表现为増加的趋势;当沉积温度高于1200℃,涂层出现开裂现象,由游离Si和MoSi₂两相组成,涂层沉积速率、硬度和结合强度均出现下降的趋势. 1100℃以下沉积的主要控制步骤为Si与Mo反应,而1100℃以上Si在涂层中的扩散对沉积过程起控制作用.