钽材轧制和再结晶织构演变研究进展

钽作为一种稀有难熔金属,耐化学腐蚀、电子迁移率低、延展性好、价格昂贵,常用在具有特殊性能要求的苛刻环境中。近些年来,钽材的生产工艺逐步改进,性能不断提高,但生产过程中其晶粒不可避免地会出现择优取向,即织构。织构能明显影响钽材的性能,不同用途的钽制品对织构的要求也不同,深冲时要求有强烈的{111}织构,溅射时需要织构均匀分布。轧制工艺和再结晶退火作为改变晶体材料各向异性的主要手段,前者可影响滑移系的激活和晶粒的转动状态,形成不同的轧制织构,后者能使特定取向的晶粒优先形核并快速长大,形成再结晶织构。国内外对金属材料的织构进行了大量研究,然而主要集中于钢铁和面心立方晶粒材料,对于钽这样的稀贵金属的织构研究较少。主要综述了钽材在轧制和再结晶过程中织构的变化规律,重点介绍了钽材冷轧和再结晶织构演变的研究现状及最新进展。     

天然羟基磷灰石生物陶瓷的制备

用兽骨经过焚烧得到天然羟基磷灰石,采用超细粉碎法制备了亚微米羟基磷灰石粉体.进行了制备工艺的优化,同时结合SEM,XR,D等分析测试手段对获得的粉体进行了组分、颗粒尺度分布和微观形态分析.采用固相烧结技术制备天然羟基磷灰石生物陶瓷,确定了烧结工艺参数,即烧结温度1 350℃,烧结时间4h,并对制备的生物陶瓷样品进行了性能表征,利用XRD、傅立叶红外光谱及SEM对生物陶瓷样品的晶相组成、化学组成、形貌进行了表征.     

粉末冶金法制备Ta–W–Si合金

采用热压烧结和放电等离子烧结的方法制备了Ta–W–Si合金,利用X射线衍射分析、扫描电子显微镜观察、背散射电子成像及能谱分析等手段研究了合金的显微结构和相组成,并讨论了烧结方式和硅质量分数对合金烧结致密化和硬度的影响。结果表明,两种烧结方式烧结后的样品相对密度均达到了96%以上,可以实现致密化,硅元素的添加有利于合金的致密化;扫描电子显微观察和背散射电子成像显示合金中出现两种不同区域,物相分析存在Ta–W与Ta_3Si两相;硅元素的添加有利于提高合金硬度,硅化物第二相强化、细晶强化和晶界区的氧化富集是强化的主要机制。     

碳/碳化硅陶瓷基复合材料的研究及应用进展

碳/碳化硅(C/SiC)陶瓷基复合材料是重要的热结构材料体系之一.综述了近年来发展的有关制备C/SiC陶瓷基复合材料的各种技术及其在航空航天、光学系统、空间技术、交通工具(刹车片、阀)、能源技术等领域的应用,展望了可应用于玻璃工业中的纳米碳颗粒与亚微米碳化硅复合的陶瓷基复合材料制备工艺,可拓宽该陶瓷基复合材料的应用领域.     

烧结温度对碳化硅陶瓷力学性能的影响

采用硼、碳助剂无压烧结制备碳化硅陶瓷。针对烧结温度与碳化硅烧结体密度、抗弯强度以及硬度之间的关系进行了试验研究,并对不同温度下制备的烧结体进行了显微结构形貌观察和XRD图谱分析。结果表明,烧结温度在2190～2220℃范围内可以制备密度高、力学性能好的碳化硅陶瓷。其相对密度超过96%;抗弯强度接近400MPa;维氏硬度23GPa以上。在试验温度范围内,密度与抗弯强度之间的关系近似为线性关系,密度越高抗弯强度和硬度性能越好。     

树立"以生为本"、"以师立校"的理念

大众化的高等教育,应树立新的教育观、管理观.高校应树立"以生为本"、"以师立校"的理念,确立学生的主体地位和教师的主导地位,发挥教师的积极性、主动性、创造性,引导学生自主选择、自我教育、自我提高,以适应社会需要和学生、教师与学校的长远发展.     

略论现代教师的素质

我国的社会主义事业进入一个新的发展时期,教育的战略地位要求教师注重政治理论修养,树立崇高师德,提高业务能力,构建现代教育新理念和新意识。面向新世纪,广大教师要以育人为天职,在提高自身素质等方面下工夫,为社会主义教育事业作出应有的贡献。     

SiC基陶瓷高温相平衡——SiC-Si3N4-Gd203系统

通过热压烧结在1700℃,分别于Ar和N2气氛下制备了一系列SiC—Si3N4-Gd2O3陶瓷样品,采用X射线衍射技术分析了样品的相组成,确定了相关系。结果表明：在SiC-Si3N4-Gd2O3的二元子系统和三元系统中,除了二元化合物Si3N4-Gd2O3（M相）存在,尚有含氮稀土硅酸盐化合物SiEN20．2Gd2O3...     

SiC基陶瓷高温相平衡——SiC-Si3N4-Gd203系统

通过热压烧结在1700℃,分别于Ar和N2气氛下制备了一系列SiC—Si3N4-Gd2O3陶瓷样品,采用X射线衍射技术分析了样品的相组成,确定了相关系。结果表明：在SiC-Si3N4-Gd2O3的二元子系统和三元系统中,除了二元化合物Si3N4-Gd2O3（M相）存在,尚有含氮稀土硅酸盐化合物SiEN20．2Gd2O3（J相）和Gd10（Si04）6N2（H相）生成。而这些化合物的生成主要是由于SiC、Si3N4粉料表面的杂质氧（以SiO2形式存在）参与了反应,由此引入的SiO2这一组分,使原三元系统扩大成为SiC-Si3N4-SiO2Gd2O3四元系统。通过对产物相组成的分析,确定了在此四元系统中存在8个相容性四面体。基于上述结果,提出了1700℃的SiC-Si3N4-Gd2O3准三元亚固相图、Si3N4-Gd2O3-SiO2三元亚固相图以及SiC-Si3N4-SiO2-Gd2O3四元亚固相图。