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71.
Bi2Te3基热电材料需与电极Cu连接构成热电模块.采用无铅钎料Sn-Bi及钎剂实现了大气环境中分别直接钎焊p型(Bi,Sb)2Te3与无氧Cu和n型Bi2(Te,Se)3与无氧Cu.观察了接头的组织及Sn,Cu,Bi元素在接头处的线分布和面分布.通过研究表明,Sn元素与p型(Bi,Sb)2Te3的反应比与n型Bi2(Te,Se)3剧烈,在(Bi,Sb)2Te3与Sn-Bi界面处形成了5~7 μm的Sn反应层;Cu元素在Cu/Sn-Bi界面处也形成几微米的反应层;温度增加,两种反应的程度均有增加趋势.利用Gleeble1500D试验机测试了两种类型接头的抗剪强度,结果表明,(Bi,Sb)2Te3/Sn-Bi/Cu接头平均抗剪强度为5.1MPa,Bi2(Te,Se)3/Sn-Bi/Cu接头则为4.4 MPa,(Bi,Sb)2Te3/Sn-Bi/Cu接头强度分散性高于Bi2(Te,Se)3/Sn-Bi/Cu接头.接头主要断裂于反应层,反应层的成分、组织和厚度是影响接头强度的关键因素. 相似文献
72.
73.
研究了用Ti-15Cu-15Ni合金薄片TLP扩散连接O相合金Ti-22Al-25Nb.结果表明,短时间保温时接头连接区还残留了含微量Al和Nb的Ti2(Cu,Ni)与Ti(Cu,Ni)脆性组织;保温时间足够长且采用快速冷却工艺时,连接区组织为B2相,反之,慢速冷却工艺下连接区组织为基体相B2和一定量的α2,O相.与快速冷却工艺相比,慢速冷却措施可改善连接区组织和明显提高接头强度,在连接温度为990℃并保温90 min的优化工艺下,接头在室温和650℃的抗拉强度分别为1 041 MPa和659 MPa,达到原始母材强度的95%和81%. 相似文献
74.
75.
真空热处理对Al2O3陶瓷化学镀Ni-P膜及金属钎焊接头的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用化学镀Ni-P膜法金属化Al2O3陶瓷,并用63Sn-34Pb-2Ag-1Bi钎料膏实现了95%Al2O3陶瓷与45钢之间的低温钎焊.为提高镀膜结合强度并最终提高钎焊接头强度,钎焊前对镀膜陶瓷进行真空热处理.研究了钎焊前真空热处理对Ni-P膜显微组织、钎焊接头显微结构及其强度的影响.结果表明,150~650 ℃高真空热处理会改变Ni-P膜的显微组织,且适当热处理可显著提高钎焊接头强度,在350℃保温1 h可使接头剪切强度到达最高值38 MPa.接头显微结构一般为Al2O3陶瓷/Ni-P镀层/扩散层Ⅰ/富Sn层/钎缝金属层/扩散层Ⅱ/45钢.剪切断裂主要发生在Al2O3陶瓷/Ni-P镀层界面附近,少量扩展到钎缝金属中. 相似文献
76.
采用程序升温碳化法(TPC)研究了用共沉淀法和浸渍法制备的费托合成(F-T合成)Fe、Fe/K、Fe/Cu及Fe/Cu/K催化剂在原料气(H_2/CO=2.1)气氛下的碳化过程。结果表明,纯Fe催化剂的碳化过程可分为3个阶段:催化剂碳化生成金属碳化物阶段;金属碳化与表面碳气化的竞争阶段;非活性碳形成阶段。K助剂促进了碳化物的生成,也有利于表面非活性碳的积聚.Cu助剂抑制碳化物的生成,但使表面碳气化反应易于发生。 相似文献
77.
78.
79.
基于模糊控制的开关电源仿真研究 总被引:2,自引:0,他引:2
针对开关电源这一非线性对象传统PID控制的不足,提出了一种基于模糊控制的新的智能型控制方法,并在Matlab环境下实现了仿真.实验证明:与PID控制相比,模糊控制动态响应快、超调量小、负载变化引起输出电压的变化小. 相似文献
80.