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41.
单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率 总被引:9,自引:0,他引:9
本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的接触电阻率ρ_c的简捷方法──单点圆形模型。样品制备只需一个圆形金属电极,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了导电与绝缘界面两种情况的修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道一致。 相似文献
42.
本文研究了图像的(8×8)像素DCT快速产现的基本方法,分析了直接(8×8)2-DDCT和8点1-DDCT实现(8×8)2-DDCT的两步算法的两种矩阵分解模型,并对这两种实现方法进行了比较,在比较的基础上选用两步快速算法实现图像DCT。在硬件实现中,研究了DSP芯片TMS320C25的特点,提出了软件设计的准则和技巧,确定了硬件配置。通过上机与实验测试,取得的结果是:使用一片TMS320C25, 相似文献
43.
44.
45.
用改进的图形结构测量金属/薄层半导体的接触电阻率 总被引:1,自引:2,他引:1
提出一种诊断金属/薄层半导体欧姆接触质量的改进测试图形──单点圆环结构模型.本结构不仅样品制备简单,只需做上一个小圆点和一个同心的圆环接触,无需台面绝缘,而且还有多样的灵活性.整个测试都是定域在一个小圆环内,无需考虑边界效应以及邻近其他图形的影响.发展和讨论了此模型的两种演变结构形式,使之更为简捷实用.所得结果与文献的报道一致. 相似文献
46.
胜利油田稠油热采主要采用蒸汽吞吐的方式。其中新开发稠油区块注汽压力高、注汽干度低和老区多轮次吞吐后采收率低、油汽比低是影响热采效果的主要因素。油水之间的高界面张力导致蒸汽驱替效率低是多轮次吞吐后开发效果变差的主要原因之一。针对以上问题开展石油磺酸盐复合体系提高稠油开发效果室内研究,对石油磺酸盐复合体系配方进行优化研究,通过高温岩心驱替实验研究磺酸盐复合体系降低注汽压力的能力,研究石 油磺酸盐复合体系提高注入蒸汽驱替效率和岩心采收率的能力,研究不同注入方式对提高采收率的影响,研究结果表明石油磺酸盐体系可有效降低蒸汽注入压力,提高驱替效率和岩心采收率。2004年在胜利油田单家寺油田、孤岛油田、孤东油田现场应用12井次,单井降低注汽压力0.5~2.6MPa,周期采油量增加190~480t,截至2004年底已累计增油4600t。 相似文献
48.
This paper describes the results of structural, electronic and elastic properties of silicon nitride(in its high-pressure P61 and P62 phases) through the first-principles calculation combined with an ultra-soft pseudopotential. The computed equilibrium lattice constants agree well with the experimental data and the theoretical results. The strongest chemical bond(N–Si bond) shows a covalent nature with a little weaker ionic character. P61-Si3N4 is more stable than P62-Si3N4 due mainly to the fact that the shorter N–Si bond in the P61 phase allows stronger electron hybridizations. We have also predicted the phase stability of Si3N4 using the quasi-harmonic approximation, in which the lattice vibration and phonon effect are both considered. The results show that the β→P61 phase transition is very likely to occur at 42.9 GPa and 300 K. The reason why the β→P61→δ phase transitions had never been observed is also discussed. 相似文献
49.
50.
We study the Be-C doped MgB2 system by the first principles method based on density functional theory. The compensation effect between electron type doping and hole type doping is shown in the total density of states on the Fermi level, the real part of optical conductivity, and the number of effective carriers. The compensation mechanisms are discussed. The critical temperatures for different systems are calculated. 相似文献