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本文利用高分辨电子显微术、电子能量损失谱和电子全息技术对Si基体上生长的SrTiO3(STO)和La0.9Sr0.1MnO3(LSMO)薄膜及其STO层和Si基体之间的界面结构进行了深入研究,结果表明在Si和STO层之间由于氧扩散会形成一层过渡的SiOx无序层,且随沉积条件不同界面原子无序层厚度稍有不同;选区电子衍射结果表明薄膜和基体之间的外延生长关系为[001]LSMO//[^-110]Si,[110]LSMO//[001]Si[001]STO,//[001]Si,[010]STO//[110]Si;电子能量损失谱分析表明界面无序层中Si离子的氧化态处于Si^2+和Si^0之间;电子全息结果清晰地显示了基体与薄膜之间存在明显的相位和势垒变化,负电荷聚集在界面SiOx的无序层中。 相似文献
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周玉清 《小型微型计算机系统》1988,(4)
该绘图系统是天津人防办公室指挥和管理远程计算机网络的一个组成部分。本文介绍了该系统的设计思想、实现方法及其功能,只要稍加修改即可将该系统移植为以其他城市或地区为背景的防空袭预案图自动绘制系统。 相似文献
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