基于粒子群算法的含光伏电站的配电网无功优化

对于含光伏电站的低压配电网,电压等级降低了,输电线路上的电压降不仅受无功功率的影响,有时有功功率引起的电压波动更加明显.由于有功和无功引起的电压变动分量是代数和的关系,因此无功补偿在一定程度上可以弥补有功功率变动造成的电压波动问题.以系统运行成本最优为目标函数,包括采用补偿措施后减小的配电网功率损耗费用和加装无功补偿装置的费用2个部分,建立含光伏电站配电网的无功补偿优化数学模型.该模型考虑了光伏电站并网逆变器的无功调节能力,采用改进的多组织粒子群算法对规划模型进行求解,通过算例分析验证了该模型与算法的可行性和有效性.     

凝固型酸牛奶发酵剂的筛选及应用

选取3种酸牛奶发酵剂SVV-A,SVV-B和09C-D,制成凝固型酸牛奶。通过单因素和正交试验确定了最佳发酵剂和制备工艺:发酵剂为SVV-B,发酵温度为37℃,蔗糖添加量为8%。在此条件下发酵的凝固型酸牛奶酸度为93°T,活菌数可达5.8×107CFU/mL,口感清爽,酸甜适口,质地均匀。     

褐色甜酒酿乳酸菌饮料的加工工艺研究

以甜酒酿汁和褐色酸乳为原料,通过单因素和正交试验确定了褐色甜酒酿乳酸菌饮料的最佳制备工艺：大豆多糖添加量为0.30%,甜酒酿汁添加量为12%,pH 值为3.9。在此条件下生产的褐色甜酒酿乳酸菌饮料活菌数可达3.12＆#215;108个/m L,稳定性良好,口感清爽,风味独特,色泽均匀。     

超声处理对蛋清粉速溶性的影响

以新鲜蛋清液为原料,采用超声处理对其进行改性后,喷雾干燥制成蛋清粉,以期改善蛋清粉的溶解性,制备速溶性蛋清粉。选择超声时间、超声功率、超声时蛋清液体积分数3 个因素,以分散性、溶解度和稳定系数作为速溶性评价指标,通过单因素试验和正交试验对超声处理条件进行优化,得出最优的超声处理条件为：超声时间10 min、超声功率120 W、超声时蛋清液体积分数50%。在此条件下制备的蛋清粉的平均分散时间为56.67 s、平均溶解度为93.56 g/100 g、平均稳定系数为97.29%,具有较好的速溶性。通过对未超声喷雾干燥和冷冻干燥蛋清粉进行十二烷基硫酸钠-聚丙烯酰胺凝胶电泳、扫描电子显微镜观察和粒径分析,发现超声之后喷雾干燥得到的蛋清粉的颗粒更小、更均匀。圆二色光谱和表面疏水性结果显示,超声后喷雾干燥蛋清粉的蛋白质结构发生了改变,超声后其蛋白质结构趋于无序,表面疏水性增加,这些结构上的变化都有助于提高速溶性。本研究结果为超声波在新型蛋制品领域的应用提供了参考。     

固定式袋物装船机

我国内河码头袋物装船最早采用人力手工方式。近年来,袋装运量大的水泥厂和化肥厂在长江的主干线上采用在趸船上行走的袋物装船机,这种装船机一般用来装载江轮、海轮等较大船型。在我国除长江主干线之外的一般内河,驳船均为300～500t的船型,如采用这种装船机,不但造价较高,而且码头环境也不允许。此外,东南亚一带地区同样也存在这些问题。因此,开发出一种适用于上述工况的经济实用的袋物装船机是市场的需求。     

几何量测量中的思维转换

思维转换在航空产品零件及工装的几何量测量中至关重要。本文总结了一些典型的思维转换方式,并举例说明了如何对难于直接测量的几何量进行思维转换,使其便于测量的方法,进而实现检测误差的减小,和测量效率的提高。     

电泳法制备碳纳米管场发射阴极的研究

利用传统的电泳方法,在玻璃基片上成功地制备了场发射用碳纳米管阴极薄膜.用扫描电子显微镜和拉曼光谱观察了薄膜的形貌和结构,并测试了所制备的薄膜阴极的场发射特性.实验结果表明在玻璃的银浆导电层上沉积了一层较薄而均匀的碳纳米管膜,其场发射特性与丝网印刷工艺制备的阴极有相似甚至更佳的性能,具有更好的发射均匀性.采用电泳方法制备场发射阴极具有简单易行,成本低廉等优势,可以避免丝网印刷工艺带来的有机杂质污染和发射不均匀等问题.     

电泳法制备场发射阴极的性能优化研究

电泳法是一种新型的大面积碳纳米管场发射阴极制备方法。文章在成功地用电泳法制备了适用于场发射显示器的碳纳米管阴极基础上,通过选用不同的碳纳米管原料、改变电泳条件等方法,进一步优化碳管阴极的性能。使用不同方法制备的碳纳米管配置电泳液,由于制备方法和碳管本身的特性,管子在电泳溶液中呈现不同的分散性。碳管管径较粗时由于表面自由能相对小,所以碳管在溶液中不易形成团聚物,电泳沉积的阴极会均匀平整;管径小的碳管则由于容易团聚,需要加入表面活性剂来改善其在电泳溶液中的分散性。场发射特性和发光显示图实验结果发现,即使得到相同均匀平整的阴极,但是由于碳管本身的发射能力的差异性最终导致电泳沉积得到的阴极的场发射特性的不同。另外,电泳的实验条件也会对沉积的阴极的场发射性能和形貌产生影响。在不同电泳直流电压条件下,碳管薄膜的密度分布和厚度不同,呈现出不同的场发射能力,结果表明当电压值在25V时可以得到性能最佳的场发射阴极。     

用表面粗化ITO的欧姆接触提高GaN基LED性能

应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片。聚苯乙烯纳米颗粒在干法刻蚀中作为刻蚀掩膜。通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数。结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%。     

白光发光二极管及其集成光源模块的研究

采用GaN基蓝色发光芯片为激发源,结合YAG荧光粉封装成白光发光二极管(W-LED).对W-LED的光电特性及其在照明光源中的应用条件作了深入的研究,测试了以串联形式集成的W-LED光源模块的功率以及发光效率.结果表明W-LED的光电特性决定了W-LED集成为照明光源的必备条件:用于集成的W-LED光电特性一致性好,且W-LED集成光源配备有稳流功能的驱动电路,才能发挥W-LED作为照明光源的节能、高可靠和稳定性等优势.