共面式波导的介质损耗和导体损耗

本文对共面式波导的导体损耗和介质损耗进行了分析,用实验验证了分析的结果。由于波导是由两种导体组成的,假设传播横向电磁波,解关于波导横截面电位分布的拉普拉斯方程。根据横截面的电位分布,求出了导体表面的电流分布和导体损耗。并且求出了表示介质衬底对波导的电性能影响的参数,即等效相对电容率,由此求出了介质损耗。为了解拉普拉斯方程,这里采用了逐次加速近似法,用电子计算机进行了处理。为了缩短电子计算机的处理时间以及减少存储器的使用量,考虑到波导横截面的对称性,只对1/4区域进行了分析。通过对由共面式波导构成的谐振器的品质因素的测量,对这些分析结果进行了实验验证。结果,对于导体损耗,两者误差则小于25％;对于介质损耗,则小于6％。     

作毫米波开关的应变层PIN二极管

ＤａｉｍｌａｒＣｈｒｙｓｌｅｒＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒａｎｄＵｍｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＵｌｍ首先报道了在ＧａＡｓ衬底上生长应变Ｉｎ 0 52Ｇａ 0 4 8ＡｓＰＩＮ二极管 ,并可用作开关ＭＭＩＣ。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,ＩｎＰ基ＩｎＧａＡｓＰＩＮ二极管胜过ＧａＡｓ开关电路 ,同时还具有低的ＤＣ功率以及极高的隔离度。为了避免ＩｎＰ衬底的有关工艺问题 ,采用ＭＢＥ方法把应变层ＩｎＧａＡｓ二极管生长在ＧａＡｓ上 ,采用线性ＩｎＡ1Ａｓ应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的ＳＰＳＴ隔离度高达 4 5ｄＢ …     

采用Cr4＋：YAG为可饱和吸收体的Nd：YAG调Q锁模

在实验上,以Cr     

机载交流电源电压采样方法研究

机载三相交流电源电压的采集是对机载电源系统实现计算机测控的关键步骤,一般包括前端传感器信号调理放大电路、采样保持电路、A/D转换电路和数据转换及存储电路组成。分别从采样原理、工程实现等方面对峰值采样和有效值采样两种主要采集方式进行分析和研究,得出两种采样方式的优缺点和适用范围。本研究成果具有工程实际应用价值。     

QoS接纳控制

网络中支持服务质量(QoS),在网络所有用户都能接受要求的服务性能情况下,决定网络是否接纳一个新的流量流的接纳控制算法,是QoS的关键技术。文中描述了接纳控制方案的基本概念及其基本结构,比较了集成服务(IntServ)和区分服务(DiffServ)的性能。IntServ框架结构流量接纳控制每个单一流的QoS性能和资源分配;DiffServ模型则必须考虑一些流的聚集,因此,DiffServ模型具有更大的可扩展性。最后,介绍了一些基本的接纳控制方法,包括以参数为基础的接纳控制和以测量为基础的接纳控制。     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.     

填充热丝激光窄间隙焊接的实验研究

将填充热丝应用到高光束质量、长焦距的光纤激光窄间隙焊接中,不锈钢母材通过激光加热,镍基焊丝通过电流加热,有效利用复合热源的优势,提高了焊丝过渡稳定性和熔覆效率。通过高速摄像机对送丝过程进行在线观察,分析工艺参数对焊丝过渡的影响。研究不锈钢和镍基合金异种金属窄间隙焊接接头的凝固组织,并对焊缝金属进行元素分布扫描。研究发现,由焊丝电流和送丝速度等工艺参数决定的送丝稳定性是影响填充热丝激光焊接质量的最主要因素。对于窄间隙焊接,采用与间隙宽度相当的离焦光斑激光热导焊,可形成较好的侧壁熔合,由熔融金属曲面和侧壁构成的激光反射是侧壁熔合的主要原因。焊缝冷却速度较快,焊缝金属的凝固组织呈明显的对生生长,在坡口侧壁附近其生长方向与侧壁近似垂直,焊缝不存在宏观偏析。在间隙底部直角处容易出现未熔合现象,采用底部圆弧过渡的U型坡口后,可较好地解决底部未熔合问题,获得了无宏观缺陷的焊接接头。     

低信噪比下脉冲重复周期渐变波形的相推测速实现

相推测速技术可以实现相位量级的测量精度,但是其存在准确提取相位和解相位模糊两大难点.本文提出了针对低信噪比条件下脉冲重复周期渐变波形的相推测速实现方法.首先,建立了考虑脉冲重复周期渐变波形的回波模型;然后介绍了基于包络测速解相位模糊的相推测速模型;进而为了提高相推测速在低信噪比条件下的适用性,分别提出了回波相位提取值修...     

一种低功耗高PSRR CMOS基准电压源

提出了一种采用新颖负温漂系数电流源补偿结构的高性能基准电压源。利用工作在亚阈值区的两个MOS管的栅源电压差与工作在线性区的MOS管的漏电流关系,产生补偿电流,使输出电压对温度不敏感。提出的负温漂电流源结构没有使用传统大电阻,不仅保证了低功耗,还有效减小了芯片面积。采用共源共栅的电流源结构,提高了电源抑制比。基于TSMC 0.18 QUOTEμmμm CMOS工艺进行设计仿真。仿真结果表明,在-35 ℃~150 ℃范围内,温漂系数为8.3×10-6/℃。电源电压为1.3~3.3 V时,电压调整率为0.21%,电源抑制比为-81.2 dB@100 Hz,功耗仅为184.7 nW。芯片面积为0.006 mm²。     

五、救灾、福利与移动通信

1.前言集中了高级电子技术,并誉为可靠性典范的日航巨型喷气机的坠落事件,向人们揭示了遇难时通信联络的重要性。有人甚至认为,若能很容易地判断飞机坠落的位置和乘客的下落,那么幸存者或许就不止是4名。