Optimized power simulation of AlGaN/GaN HEMT for continuous wave and pulse applications

An optimized modeling method of 8 × 100 μm AlGaN/GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) for accurate continuous wave (CW) and pulsed power simulations is proposed. Since the self-heating effect can occur during the continuous operation, the power gain from the continuous operation significantly decreases when compared to a pulsed power operation. This paper extracts power performances of different device models from different quiescent biases of pulsed current-voltage (I-V) measurements and compared them in order to determine the most suitable device model for CW and pulse RF microwave power amplifier design. The simulated output power and gain results of the models at V_gs = -3.5 V, V_ds = 30 V with a frequency of 9.6 GHz are presented.     

水利施工中软土地基处理技术探讨

伴随科学技术的飞速发展,我国社会经济取得了很大进步。工程施工技术同样获得了很好的发展。其中,水利工程项目不断增加,其工程技术获得了很大的成就。强化水利工程项目施工建设,与社会经济发展息息相关。因此,进行水利工程项目施工建设阶段,需合理选用建设工艺,以保证工程项目质量符合标准,以充分发挥水利项目在未来运用中的作用。     

浅议环境岩土工程应用现状及发展趋势

随着工业经济的发展,人们对环境造成日益严重的污染,致使生态破坏。为此．环境岩土工程学应运而生,它主要是研究岩石、土的物理化学性质及其与大气圈、生物圈、水圈、岩石圈、生物圈和微生物圈相互作用的交叉学科。简要的论述环境岩土工程的概念及其基本观点、方法,结合目前环境岩土现状对其作出合理的展望。     

多元化和多样性——第二届世界规划院校大会论文综述

第二届世界城市规划院校大会(WPSC2006)于2006年7月在墨西哥城召开.大会主题为"多元化和多样性",并通过设立的20个专题来体现.笔者对大会各专题的主要内容、新观点和新思想、新动态和新趋势进行了介绍,期望有助于了解本次大会的主要议题及学术意义.     

高漏偏压下AlGaN/GaN HEMT噪声性能的研究

The advent of fully integrated GaN PA-LNA circuits makes it meaningful to investigate the noise performance under high drain bias. However, noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias has not received worldwide attention in theoretical studies due to its complicated mechanisms. The noise value is moderately higher and its rate of increase is fast with increasing high voltage. In this paper, several possible mechanisms are proposed to be responsible for it. Impact ionization under high electric field incurs great fluctuation of carrier density, which increases the drain diffusion noise. Besides, higher gate leakage current related shot noise and a more severe self-heating effect are also contributors to the noise increase at high bias. Analysis from macroscopic and microscopic perspectives can help us to design new device structures to improve noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias.     

特高压直流输电换流阀用晶闸管反向恢复特性研究与分析

为了掌握直流输电换流阀现场检测关键技术,搭建了晶闸管反向恢复特性实验电路,实验研究了正向电流幅值、换向电流变化率等参数对特高压换流阀用晶闸管反向恢复特性的影响。基于工频条件下晶闸管单元反向恢复特性研究结果,并结合特高压直流输电工程实际,从晶闸管器件物理特性的角度对上述影响的机制进行了分析。结果表明:反向恢复电荷随着正向电流、换向电流变化率的增大而增多,导致反向恢复时间增长、恢复电流峰值增大,从而引起反向恢复特性的改变;当换向电流变化率较小时,正向电流对反向恢复电荷量影响不大,反之亦然;反向恢复时间在某一正向电流幅值下发生跃变,而后随着正向电流的增大而缓慢增长。该研究可为换流阀晶闸管级单元现场检测试验提供可靠的理论依据。     

考虑参数空间潮流可行域的交直流混合微电网下垂系数选取

孤岛运行模式下,交直流混合微电网中的分布式电源逆变器的下垂系数会影响系统潮流可行域,而传统的下垂系数由逆变器的容量、频率和电压调节范围决定,并未充分考虑这一影响。针对上述问题,首先建立了考虑逆变器控制方式的交直流混合微电网潮流计算模型,基于此提出了参数空间下的潮流可行域快速计算方法,进一步分析了下垂系数对潮流可行域的影响,综合考虑负荷稳定裕度和小信号稳定因素求取下垂系数最优值。最后,针对改进的12节点的交直流混合微电网算例进行仿真计算,验证了所提方法的有效性与适用性,与传统方法相比系统电压稳定裕度显著提升。     

脉冲电压作用下晶闸管反向恢复期二次导通特性

为了更好地认识脉冲电压作用下晶闸管反向恢复期二次导通特性,搭建了对应的实验研究平台,在利用小信号模型对二次导通过程进行理论分析的基础上,研究了脉冲电压幅值及脉冲施加时刻对高压大功率晶闸管反向恢复期二次导通特性的影响.结果表明,高压大功率晶闸管在反向恢复期内,容易因脉冲电压作用而发生二次导通,正向电压临界上升率极大降低;当通态电流幅值相同时,随施加脉冲延时的增大,引起晶闸管二次导通的脉冲电压幅值呈S型增长.     

基于模板攻击的AES差分能量分析

将AES算法中S-Box的运算输出作为差分能量分析的中间值,设计基于特征点分布和汉明重量模型的模板构建策略,并以贝叶斯定理优化攻击。该方法可降低计算复杂度和模板数量,实验结果验证了其有效性。