糯扎渡±800kV直流输电工程交/直流PLC噪声滤波器研究

笔者根据糯扎渡±800 kV直流工程招标文件对于PLC干扰水平限制值的要求,提出了交流侧加装2个带调谐装置的1.5 mH电抗器和1个不带调谐装置的100 nF电容器而在直流侧极母线和中性母线上不安装PLC滤波器的噪声滤波器配置方案,并进行了PLC滤波器性能与定值的计算。该研究对于特高压和超高压直流工程交/直流PLC滤波器的设计具有一定的借鉴意义。     

基于噪声抵消的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器设计

基于Jazz0.35μmSiGe工艺,设计了一种满足2G、3G和WIMAX标准的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器.利用共基极晶体管输入阻抗小和共集电极晶体管输出阻抗较小的特点,通过选取晶体管的结构和偏置电流,实现了输入、输出有源阻抗匹配.由于未采用占芯片面积大的电感,减少了芯片面积,芯片面积(含焊盘)仅为0.33mm×0.31 mm;由于共基极晶体管的噪声系数比共射极晶体管的噪声系数高,采用噪声抵消结构减少了其引入噪声.低噪声放大器在(0.6~3)GHz工作频带内,增益为17.8~19.2dB,增益平坦度为±0.7dB;有源输入、输出匹配良好;在整个频段内,无条件稳定.     

Si／SiGe／Si HBT直流特性的解析模型与模拟

在考虑了重掺杂效应、异质结构垒效应、各物理量随温度的变化以及背注入空穴电流、ＢＥ结空间电荷区复合电流、中性基区复合电流对基极电流贡献后,对Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ的常温和低温直流特性进行了解析模拟。给出了Ｔ＝７７Ｋ和３００Ｋ时的Ｓｉ／ＳｉＧｅ ＨＢＴ Ｇｕｍｍｅｌ图和电流增益β与集电极电流密度ＪＣ的关系。研究了基区少子寿命对β的影响。模拟显示,Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ在电流和中等电流下有良     

单载流子传输双异质结光敏晶体管频率特性分析

为了缓解光敏晶体管探测器在响应度和响应速度优化时存在的矛盾并提高响应度和响应速度,分析了单载流子传输( uni-travelling-carrier,UTC)双异质结光敏晶体管( double hetero-junction phototransistor,DHPT)中光生载流子对发射结结电容和集电结结电容的影响,建立了UTC-DHPT的频率特性模型. 基于所建模型,研究了UTC-DHPT在电学晶体管工作状态( double hetero-junction transistor, DHBT)、基极光偏置的二端工作模式( two terminal, 2T)和基极光电混合偏置的三端工作模式( three terminal, 3T)的光电流增益和光学特征频率. 结果表明:UTC-DHPT比传统的単异质结光敏晶体管( single hetero-junction phototransistor,SHPT)有更好的频率特性,3T工作模式下的UTC-DHPT可以同时提供高响应度和高响应速度.     

乡土元素在美丽乡村建设中的应用研究

在以美丽乡村的建设为背景条件下,对乡土元素进行分类讨论研究.对乡土元素在美丽乡村建设中存在的问题进行了分析,从乡土元素的分类、应用原则和应用方法进行论述,将乡土元素分为物质与非物质元素并提出保护,尊重和创新的原则,提出乡土元素应用的方法,为今后乡土元素在美丽乡村建设的应用提供参考借鉴.     

±800 kV特高压直流工程直流滤波器设计关键问题研究

依据±500kV高压直流输电工程直流滤波器设计经验,研究分析了±800kV特高压直流输电工程直流滤波器设计需要考虑的关键问题,包括：直流侧谐振,直流滤波器可能发生的典型故障;介绍了用于计算直流滤波器典型故障的模型和方法。以云广±800kV特高压直流输电工程为例,对直流侧谐振进行了校核,对直流滤波器设备暂态定值进行了计算。研究结果表明,云广±800kV特高压直流输电工程直流滤波器设计是合理的,可满足直流系统安全可靠运行要求。     

直流断路器转移直流电流过程的仿真计算研究

介绍了直流断路器的职能和结构 ,分析了直流断路器转移直流电流的工作原理。依据上海 -嵊泗高压直流工程接线及数据 ,应用EMTP程序对直流断路器转移直流电流的过程进行了研究 ,获得了直流断路器所要求的电流转移能力 ,恢复电压耐受能力及能量吸收能力。     

采用Cascode拓扑和RC反馈网络的高Q差分有源电感

针对传统全差分有源电感在高频下品质因子Q较低的问题,联合使用Cascode拓扑和RC反馈网络对其进行优化。组合电路引入的双重负阻有效抵消了有源电感的寄生电阻,进而有效提高了高频下的Q值。基于Jazz 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,利用射频仿真软件ADS完成电路设计与仿真。仿真结果表明,在联合采用了Cascode拓扑和RC反馈网络后,在频率大于1 GHz时,有源电感的Q值明显提高;在1.3～3 GHz频率范围内,Q值均大于20;在2.1 GHz时,Q值达到最大值4 416,电感值变化范围为6.9～12 nH。     

微波功率器件金属化布线回流加固结构

在回流动力学理论和实验研究的基础上,将回流加固结构应用于实际微波功率器件.结合器件具体结构和制备工艺,对金属化布线电流分布和最佳回流长度进行了模拟计算和分析,结合实际工艺优化设计了回流加固结构,制备了六种结构样管,电热应力试验结果表明:采用一个缝隙、缝隙宽度为3μm的结构回流加固效果最好,抗热电徙动能力最强.利用回流效应可有效降低微波管中的纵向(Al-Si界面)电迁徙失效,提高器件可靠性.     

一种双回转器有源电感

针对基于共源-共栅负跨导器的传统单回转器有源电感(TSAI-CS-CG)的不足,联合采用双回转器结构、负阻网络和负反馈网络,提出了一款兼有大电感值、高Q值、高线性度、宽频带、可调谐特性的双回转器有源电感(DGAI)。基于TSMC 0.13μm RF CMOS工艺,利用是德科技公司的射频高级设计系统（ADS）进行验证。结果表明：电感工作频率范围为0~22.5GHz;Q峰值可达6883;电感的-1dB压缩点高达-17dBm;调节外部偏置,在频率为15GHz下,在频率为15GHz下,电感值可从19.59nH到73.41nH之间进行大范围调节。