骨科手术患者深静脉血栓形成预防措施

鼓励病人早期下床活动,进行功能锻炼,固定关节进行肌肉等长收缩锻炼,未固定关节进行主动及被动活动,尽量减少卧床时间.避免在下肢输液.鼓励患者进行深呼吸及咳嗽,手术后或创伤后应避免膝下垫枕,过度曲髋,下肢弹力绷带包扎或穿弹力袜等均可以防止深静脉血栓的发生.     

3.1～10.6 GHz低功耗超宽带低噪声放大器

采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺库,设计并验证了一种应用于3.1～10.6 GHz频段的超宽带低噪声放大器。该放大器分为两级:采用跨导增强技术的共栅结构作为输入级,实现了输入阻抗匹配,提高了增益并降低了噪声;第二级是放大输出级,由两个共源放大管和源跟随器缓冲管构成,并采用两级电流复用配置将它们连接在一起,不但对信号进行了二次放大,降低了功耗,而且实现了输出匹配。仿真结果表明,在3.1～10.6 GHz频带范围内,放大器增益为14.8 dB,增益平坦度为SymbolqB@0.6 dB,噪声系数介于2.9～4.5 dB,输入和输出的回波损耗均优于-11 dB,1 dB压缩点为-20.8 dBm,在1.8 V电压下,静态功耗仅为8.99 mW。     

糯扎渡±800kV直流输电工程交/直流PLC噪声滤波器研究

笔者根据糯扎渡±800 kV直流工程招标文件对于PLC干扰水平限制值的要求,提出了交流侧加装2个带调谐装置的1.5 mH电抗器和1个不带调谐装置的100 nF电容器而在直流侧极母线和中性母线上不安装PLC滤波器的噪声滤波器配置方案,并进行了PLC滤波器性能与定值的计算。该研究对于特高压和超高压直流工程交/直流PLC滤波器的设计具有一定的借鉴意义。     

横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参量的影响

为了分析了发射极条宽、条长、条数等横向结构参数对SiGe HBT小信号模型参数的影响,通过Jazz 0.35μm BiCMOS SiGe HBT的Y参量,得出了在不同横向结构参数下SiGe HBT的小信号模型参数.结果表明:增加发射极条宽、条长、条数时,小信号模型中的等效电阻值减小、等效电容增大、跨导也增大.在此基础上,分析了SiGe HBT横向结构参数对合成的有源电感特性的影响.在设计不同性能的有源电感时,所得结果对有源器件横向结构参数的选取有一定的指导意义.     

2.4GHz/5.2GHz dual-band LNA based on reuse of active inductors

为了同时满足无限局域网(wireless local area network,WLAN)和新一代无限保真(wireless fidelity,WIFI)无线通信标准,设计实现了一款增益可多重调节的低功耗双频段低噪声放大器(dual-band low noise amplifier with multiple gain-tunability,MGT-DBLNA).输入级采用串-并联谐振滤波网络以实现双频段输入匹配.放大级采用可调谐的有源电感作负载和偏置电压可变的电流复用结构,一方面,可通过调节有源电感的外部偏压和偏置电路的电压2种不同方式,对MGT-DBLNA的增益进行单独或联合调节,另一方面降低了功耗.输出级采用由电流镜以及共集电极放大器构成的可控缓冲器,可实现增益的进一步调节.基于WIN 0.2μm GaAs HBT工艺库进行验证,结果表明:在不同工作频率2.4、5.2GHz下,MGT-DBLNA的增益(\t\t\t\t\tS\t\t\t\t\t₂₁)可分别在3.9~12.3dB、12.6~20.2dB范围内调节;输入回波损耗(\t\t\t\t\tS\t\t\t\t\t₁₁)与输出回波损耗(\t\t\t\t\tS\t\t\t\t\t₂₂)均小于-10.0dB;噪声系数(noisefigure,NF)小于3.4dB;在5.0V的工作电压下,静态功耗小于20.0mW.所提出的MGT-DBLNA不仅实现了增益的大范围调节,同时也降低了功耗.\t\t\t\t

     

基于噪声抵消的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器设计

基于Jazz0.35μmSiGe工艺,设计了一种满足2G、3G和WIMAX标准的有源匹配SiGe HBT低噪声放大器.利用共基极晶体管输入阻抗小和共集电极晶体管输出阻抗较小的特点,通过选取晶体管的结构和偏置电流,实现了输入、输出有源阻抗匹配.由于未采用占芯片面积大的电感,减少了芯片面积,芯片面积(含焊盘)仅为0.33mm×0.31 mm;由于共基极晶体管的噪声系数比共射极晶体管的噪声系数高,采用噪声抵消结构减少了其引入噪声.低噪声放大器在(0.6~3)GHz工作频带内,增益为17.8~19.2dB,增益平坦度为±0.7dB;有源输入、输出匹配良好;在整个频段内,无条件稳定.     

直流断路器转移直流电流过程的仿真计算研究

介绍了直流断路器的职能和结构 ,分析了直流断路器转移直流电流的工作原理。依据上海 -嵊泗高压直流工程接线及数据 ,应用EMTP程序对直流断路器转移直流电流的过程进行了研究 ,获得了直流断路器所要求的电流转移能力 ,恢复电压耐受能力及能量吸收能力。     

对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进

本文描述了改进的Fukui法.利用改进的Fukui法可以精确地测量GaAsMESFET的栅极串联电阻.实测结果表明,漏-源电阻的测量受栅势垒内建电势影响较小而受夹断电压影响较大,从漏-源电阻与X(X为栅势垒内建电势、夹断电压和栅-源电压的函数)关系曲线的弯曲方向可以定性地判断夹断电压的误差方向     

砷化镓欧姆接触中的能带工程

介绍了欧姆接触中运用能带工程的原理，评述了近年来ＧａＡｓ欧姆接触中能带工程应用的研究状况。具体分析了用薄的窄能隙材料做帽层降低势叁高度和基于Ｉｎ金属化系统的欧姆接触两方面的应用。     

等效器件补偿法提高功率放大器的线性

针对减少功放的非线性交调失真,提出了一种简单有效的线性化电路设计方法,并以pHEMT功放为例,通过在栅漏之间并联一个变容二极管,对引起非线性失真的pHEMT输入端电容进行补偿,使功率放大器的三阶交调减少了30 dB,并且提高了功率放大器的增益、稳定性系数等参数.通过研究可知,直接对非线性元器件进行补偿能使功放的整体性能得到提高.