热处理对TaN薄膜电性能的影响

采用直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备了TaN薄膜,研究了热处理温度和时间对TaN薄膜的方阻(R□)及电阻温度系数(TCR)的影响。研究发现,在热处理时间为2h的条件下,热处理温度在200℃到600℃变化时,R□从12?/□增加到24?/□,TCR从15×10-6/℃下降到-80×10-6/℃;在热处理温度为300℃的条件下,热处理时间对R□及TCR影响较小,随着热处理时间的增长,R□及TCR略有变化。     

数字油田及其基本架构

数字油田的基本架构可划分为环境层、数据层、专题库层、模型层、应用层、集成层和战略层七个层次。数字油田是油田企业信息化建设的发展趋势，是油田企业生产、科研、管理和决策的基础平台。数字油田在实现跨地域协同工作，快速获得企业外部环境信息，实现油田业务与技术的整合，实现油藏描述的可视化和互动性，实现油田状态自动监测，促进资源整合，大大增强企业竞争力等方面表现出广阔的应用前景。     

NdCl3镀液浓度对电镀CoNdNiMnP永磁薄膜阵列磁性能的影响

基于轻稀土元素-Nd与过渡金属元素-Co之间的铁磁耦合作用提高电镀CoNiMnP永磁薄膜阵列的磁性能,在电镀时引入稀土Nd元素进入CoNiMnP永磁薄膜阵列中,通过改变镀液中NdCl3的浓度而改变CoNdNiMnP薄膜中的Nd含量.对镀液中NdCl3浓度与薄膜磁性能的关系进行了分析与测试,结果表明室温下,在电流密度为5mA/cm2时,具有垂直各向异性的CoNdNiMnP永磁薄膜阵列被成功地电镀得到.随着NdCl3浓度的增加,薄膜的磁性能提高,当NdCl3浓度增加到0.25×103g/cm3时,薄膜的磁性能达到最大值,继续增加镀液中NdCl3浓度,薄膜阵列的磁性能不再增加.     

HSE/OSH体系管理"十六法"

长庆石油勘探局第二采油技术服务处(以下简称采油二处)是1999年9 月石油企业重组改制时,在原采油二厂的基础上分立组建的,是一个集井下作业、机械加工与维修、工艺技术服务、油气集输(管道、站库)工程建设、运输服务、物业管理为一体的综合性的工程技术服务企业,现有员工3359人     

后处理工艺对PCT薄膜形貌与结构的影响

采用射频磁控溅射技术,利用快速退火工艺制备出了大面积(φ120 mm)表面光滑、连续、均匀的(Pb,Ca)TiO3(PCT)薄膜。原子力显微镜和X射线衍射分析结果表明,快速退火处理工艺较常规退火处理工艺具有晶化温度低、晶化时间短、薄膜结晶性能好、易与微电子工艺兼容等优点。经500～550快速退火处理后,PCT薄膜已完全形成钙钛矿结构,最佳晶化温度约为550。     

基于多相滤波组的无“盲区”的接收机模型

介绍了利用多相滤波器组对宽带信号信道化的一般原理,在此基础上提出了一种基于双覆盖因子ωk1、ωk2的无"盲区"的数学接收机模型.并推导出此数学模型DFT结构.因此降低了硬件实现的复杂度,工程上更具有实用性.     

高安市谢家闸除险加固工程泄洪闸设计方案分析

水闸经过多年运行,受各种因素的影响,在使用到一定年限的时候,会出现诸多安全隐患,为了确保工程的运行安全,发挥其正常的作用,需要对其进行及时除险加固,以排除险情。本文选取了高安市谢家闸除险加固工程,对其泄洪闸的设计方案进行分析。     

基于氮气辅助一步溶液法的高质量钙钛矿太阳能电池光吸收层研制

有机无机杂化钙钛矿太阳能电池因其可调节的带隙、高吸收系数、宽吸收光谱、高载流子迁移率和长电荷扩散长度而被公认为是光伏领域的新希望。然而,采用一步溶液法所制备CH3 NH3 PbI3光吸收层薄膜为树枝状结晶,膜层覆盖率低,大大限制了光电转换效率的进一步提升。本文将氮气引入一步溶液法,通过发挥辅助结晶作用,获得了晶粒均匀且致密的钙钛矿薄膜,并显著提高了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。此外,系统研究了氮气起始时间、气体压强等因素对钙钛矿光吸收层表面形貌及太阳能电池光电转换效率的影响,实验证明氮气起始时间在2~5 s,氮气压强在0.4~0.8 MPa的宽操作窗口范围内,均可制备高质量CH3 NH3 PbI3光吸收层薄膜。     

布喇格反射型宽带单晶薄膜体声波滤波器

该文研究了一种新型布喇格反射型薄膜体声波（BAW）滤波器的设计方法与制备技术。BAW器件选择机电耦合系数较大的Y43° 铌酸锂（Y43° LN)单晶薄膜作为压电层材料,并以苯并环丁烯（BCB）作为晶圆键合层,采用离子注入剥离法将亚微米厚度的Y43° LN单晶薄膜转移至具有布喇格反射层的衬底。BCB既作为键合层,也作为布喇格反射层的第一低声阻抗层,实现了单晶BAW滤波器的制备。设计并制备了三阶BAW滤波器,中心频率为2.93 GHz,绝对带宽和分数带宽分别为247 MHz和8.4%。结果表明,采用薄膜转移技术制备的高机电耦合系数LN单晶薄膜能够实现大带宽BAW滤波器的制备。     

弱C轴择优AlN薄膜晶体测温技术研究

采用中频反应磁控溅射法,使氧化铝陶瓷基片上沉积了弱C轴择优的AlN薄膜。通过真空退火的方式,研究了AlN薄膜(002)晶面衍射峰晶格参数2θ随退火温度和退火时间的变化规律。采用X射线衍射仪表征了薄膜的晶体结构。研究发现,AlN薄膜的晶格参数2θ随退火温度的升高及退火时间的累积呈单调增大趋势。利用MATLAB软件线性拟合晶格参数2θ与退火温度和退火时间得出温度判读算法公式,在400~1000℃范围内,温度判读误差可以控制在7%以内。并利用MATLAB编写了温度判读软件,实现了温度的可视化判读。