针对SAR双通道对消的多站协同散射波干扰

合成孔径雷达(SAR)双通道对消技术可有效抑制单站散射波干扰,因此,文中提出对抗双通道对消系统的多站协同散射波干扰方法,结合补偿相位搜索和对消流程分别分析了多站同时工作和多站分时交替工作的干扰效果。沿方位向部署的多个干扰站可破坏SAR各通道接收干扰信号的原有相位关系,从而严重影响相位搜索结果和场景成像。理论分析与实验结果表明:多散射波干扰站同时工作时,可在对消成像中形成多个无法被消除的虚假散射场景,并伴随部分真实场景信息损失;多站分时交替工作时,可使得场景对消成像出现类似噪声的明暗斑,并且三站分时干扰效果优于双站。     

GPRS中网络结构与信令研究

本文首先介绍了GPRS网络的总体逻辑结构,然后重点介绍了在GPRS网络中各个接口上的信令协议过程。     

GSMBE-Grown InGaAs/InGaAsP Strained Quantum Well Lasers at 1.84 Micron Wavelength

报道了GSMBE方法生长波长1.84μm的InGaAs/InGaAsP/InP应变量子阱激光器．40μm条宽、800μm腔长的平面电极条形结构器件,室温下以脉冲方式激射,20℃下阈值电流密度为3.8kA／cm2,外微分量子效率为9.3%．     

高性能无线局域网简介

随着无线分组数据的发展,人们对数据传输速度的要求越来越高。其中,高性能无线局域网(HiperLAN/2)是欧洲提出的一种解决方案。文章主要针对这一标准的协议和实现原理进行介绍。     

K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响

采用物理气相输运(PVT)法生长了直径为50 mm的K掺杂CdS晶体,对掺杂和未掺杂的CdS晶片进行显微观察、二次离子质谱(SIMS)成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对CdS晶体光学及电学性能的影响.生长时用KCl进行掺杂.显微观察显示,掺杂KCl后CdS晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中.红外光谱透过率发现掺杂K元素的CdS晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5～ 10 μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15％.另外,K元素掺杂CdS晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/ (V·s)下降为146 cm2/ (V·s).     

含钒云母矿的钠化焙烧工艺及机理探讨

本文对含钒云母中五氧化钒的焙烧工艺进行了详细研究 ,并结合实验结果进行了钠化焙烧机理的探讨 ,特别是氧气与氯气在焙烧中的作用以及氧化气氛与氯化气氛的关系。     

大洋锰结核资源的研究现状

概述了大洋锰结核的结构构造、矿物组成和化学成份,选冶加工试验研究的现状.     

多媒体塑料光纤通信

(一)前言 光纤是本世纪六十年代发展起来的现代光电技术的重要分支。可以说,前五年是研究开发阶段,后五年是推广应用阶段。现在是应用光缆进行光通信的阶段。常用的光纤基本上分成两类:一类是阶梯折射率光纤(SI),另一类是梯度折射率光纤(GI)。从材料上看,可以是玻璃制成的,也可以是塑料制成的。阶梯折射率光纤内芯料和皮料折射率是成阶梯状分布的。阶梯折射率光纤的传光原理是,利用芯料(折射率大)和皮料(折射率小)在其界面上产生全反射,使光线在光纤内曲折前进。梯度折射率光纤的芯料折射率是成抛物面形状变