国内3G网络共享问题之研究

随着国内3G时代的来临，3G网络共享问题越来越受到人们的关注。本文结合国内移动通信的现状，着重分析了3G网络共享的模式及经济效益，论述了3G网络共享的相应策略。     

钡钨阴极表面的光电子谱研究

用XPS,APES和ARPES分析技术综合探测了钡钨阴极(包括铝酸盐、钨酸盐和钪酸盐阴极)的表面化学,获得了一些新的结果。实验表明:阴极表面光电子谱峰的形貌特征与阴极的激活状态呈对应的关系;激活后钡钨阴极表面的钨是单一金属态,钡呈现氧化态。     

包头新闻准直播系统

电视节目制作涉及设备繁多，但多数设备指标较高，唯有录像机是整个系统的瓶颈。，制作中最忌讳的莫过于放录像之间的多版复制，即多次的编、解码。理论证明，经一次编、解码，仅以3dB带宽为主1．3M的色度信号为例，清晰度下降为0．92M，而经过8个编解码对后，其带宽只有0．46M了，见图1。这样大幅度的指标变劣，广播系统是不能容忍的。为尽量减少编、解码次数，我们必须充分挖掘制作流程潜力。然而，我台原有新闻制作程序多年来一直延续原始制作节目的流程。即：外采、录音、编辑、加字幕、做特技、串编直至播出。不难看出，这里进行了4…     

ArF准分子激光器的窄线宽可调谐运转及注入放大

在一台快放电泵浦的ＡｒＦ准分子激光振荡放大系统的振荡级上采用光栅、扩束镜、光阑等腔内元件，用组合输出镜获得了线宽小于０．１ｎｍ，调谐范围～１ｎｍ的激光输出。注入到非稳腔结构的放大级，注入后放大级效率提高了约５０％，获得了平均３０ｍＪ／脉冲的高光束质量的窄线宽可调谐激光，最大单脉冲能量＞５０ｍＪ，并进行了氧气的吸收光谱实验。     

HP公司推出E1测试解决方案

惠普科技日前宣布将T1系列电信测试解决方案延伸到E1网络,并依据ETSI标准和规格为全球的网络业者提供简化的测试,从而形成新系列E1测试解决方案。 HP CERJAC电信工厂的总经理EdRichards先生表示,新的E1测试解决方案具有与T1测试解决方案相同的直     

基于SDL的通信软件维护模型SMM

软件维护是软件生存周期的一个重要且花费很大的阶段，维护工作的自动化是软件行业十分迫切的需要。本文提出了一个基于ＩＴＵ－ＴＳＤＬ语言的通信软件维护模型ＳＭＭ。在此模型中，软件维护被分成三个部分：建立面向维护的数据库，制定维护规范和基于功能转换的自动维护。该模型将有助于软件维护支撑环境的建立     

程控交换机远程监控管理系统

叙述了程控交换机集中监控管理的必要性和可行性，设计了监控系统的硬件网络拓扑结构和应用软件模块，给出了系统所能完成的功能。     

生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高,InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高温度下(600和590℃)生长的In-AlGaN存在裂纹,580℃生长的四元合金表面比较平整,在570℃温度下生长的InAlGaN表面存在很多颗粒状突起.     

沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化

采用低压化学气相淀积(LPCVD)非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺.分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCVD非晶Si填槽能力的影响,通过调制P掺杂浓度和优化非晶Si淀积时间,得到槽底侧壁与槽口侧壁非晶Si厚度差值为0.022 μm的基准非晶Si填槽工艺,优化了LPCVD非晶Si反复多次填槽工艺条件.结果表明,采用优化后的工艺可实现沟槽栅IGBT器件沟槽非晶Si无缝回填,器件的栅极电阻降低了0.150 Ω,漏电流降低了1.408 nA,成品率提升了0.4％.     

基于FAHP-RS和证据推理的雷达信号特征提取评估

针对当前雷达辐射源信号特征提取评估的研究不够深入,评估方法单一和缺乏科学性等问题,提出一种新的评估方法。基于构建的雷达辐射源信号特征提取评估指标体系,首先采用模糊层次分析法和粗糙集理论分别得到主客观权重,并建立优化模型进行权重融合,然后采用证据推理方法融合指标和权重,最后基于综合置信度完成方案排序。仿真实验表明,该评估方法可用来选出最符合用户需求的方案,与改进TOPSIS评估方法的比较结果说明了所提出方法的有效性和优越性。