基于高光谱分析的SVM马铃薯植株营养元素亏缺识别

针对目前大多数农作物缺素研究多为传统的实验室化学方法、形态法和施肥法等,检测成本较高且会破坏到植物本身,不宜在实际农业生产中推广使用的问题。研究提出一种高光谱分析结合图像处理的方法,尝试使用新型手持式高光谱相机直接到户外马铃薯示范基地进行实地采拍,通过高光谱图像不同地物的类别光谱曲线差异搭建一个1D-CNN网络结构提取感兴趣区域并进行标签化处理,建立自然环境下的正常、缺氮、缺磷、缺钾四类马铃薯植株高光谱图像数据集。在SVM下使用PCA的特征提取与特征选择方法对缺素马铃薯植株分类识别进行对比实验,结论表明经PCA特征提取降维到20后,缺素植株总识别率由91.7%提高到93.1%,在保证准确识别率的情况下,降维处理可极大提高运行速度,与特征波段选择相比特征提取更适合本次的无损定性研究分析,为高光谱技术监测农作物生长状况问题提供一个新思路。     

工业化住宅建筑施工企业核心竞争力分析

在系统梳理工业化前后影响建筑施工企业竞争力因素的基础上,分析了工业化住宅的优势,确定了适应工业化的生产方式,建筑施工企业的发展目标、发展路径和发展措施。     

一种新型时域波长交织的无源光网络

提出了一种基于时域波长交织的新型无源光网络架构,阐述了其基本工作原理,并给出了一种系统实现方案以改善光接入网物理层的安全性,并降低ONU的能耗。基于该架构,针对一个2通道,速率为1.25Gb/s的系统进行了仿真验证。结果表明,该架构在保证安全性和降低能耗的同时,能够满足光接入网的要求,实现20km的无误码传输。     

双动挤压机内置穿孔装置液压支撑系统结构强度分析

穿孔装置液压支撑系统是双动挤压机内置穿孔装置的重要组成部分,其结构强度对穿孔针运动及定位的控制以及设备结构安全有着重要影响。基于ABAQUS软件环境,分别建立了穿(扩)孔过程和固定针挤压过程的内置穿孔装置液压支撑系统结构强度分析有限元模型,并对不同工况条件下的关键零部件进行有限元分析。结果表明:Fc=(0.15~0.30)F情况下,所设计内置式穿孔装置液压系统的强度和刚度符合要求;穿(扩)孔时,穿孔缸活塞杆和缸体的应力和位移随系统压力增加而近似线性增加;而固定针挤压时,工作主缸缸体的应力和位移不随穿孔装置液压支撑系统压力变化而变化。     

基于DEA模型的高校办学效率评价及应用

效率评价是高等院校面临的重要问题之一,建立数据包络分析(DEA)模型来研究高等院校效率评价具有独特的优势.首先在建立DEA模型的基础上,以29所"985高校"为例,在7个指标上对其科研方面的办学效率进行评价,分别测算了它们的技术效率、纯技术效率以及规模效率.其次根据规模收益分析,得到高校的发展趋势;根据投影分析,得到部分高校应做出的调整方向与力度.最后通过仿真比较得到各高校目前存在的问题并提出了相应的解决措施.     

公共化学基础课程微信混合教学中教师角色的正确定位

本文通过对微信参与的混合式教学与传统教学的比较,及教师在混合式教学中重要作用的介绍,指出在微信参混合式教学中,尤其是在微信课程平台的建设与使用中教师角色的正确定位,将制约和影响着混合式教学方法的建设和使用的质量,决定着新型互联网+教学的综合效果,并对如何实现教师角色的正确定位进行了探讨。     

多座水库同时溃决的通用性数学模型研究

针对多座水库同时发生渍坝的情况,在已有可以模拟单座水库渍决数学模型的基础上,通过建立各座水库之间,水库与各自溃口之间以及溃口与计算通道之间合理的拓扑关系,将原有数学模型改进为可以模拟多座水库同时发生溃决的情况,并且对于不同的多库溃决算例,均不需要对程序体进行修改,使得溃坝水流数学模型具备了通用性.最后,以漳河水库为例证明了改进后模型的实用性.     

大青沟多金属矿床地质特征及找矿方向探讨

大青沟多金属矿床位于吉南鸭绿江多金属成矿带上,区内构造发育,岩浆岩广布,成矿地质条件十分优越。通过对该区成矿地质背景、矿床地质特征的研究,提出了新的找矿方向。     

光子晶体实验中热辐射干扰的分析

搭建了针对10.6μm波长红外光的光子晶体探测系统,分析了在使用热敏探测器测量光强时,外界的热辐射干扰对光强探测的影响及产生的原因,并计算了高斯光束在经过透镜聚焦后在焦点附近的功率密度,揭示了光阑受热后会产生大量热辐射干扰,采用窄带滤光片可显著减小前置光阑热辐射的干扰。     

TDDI产品Mo-Al-Mo膜层腐蚀原因分析及改善

为降低TDDI产品Lead Open型线不良发生率,本文对Lead Open的发生机理进行了研究及改善验证。对TDDI产品生产数据进行了对比,对Mo-Al-Mo结构的SD膜层进行研究,根据以上结果确定改善方案并投入验证。首先,明确了Lead Open发生率与Delay Time的关系。接着,对SD膜层的微观结构进行了表征。然后,根据膜层结构和不同金属的电化学特征,建立了SD膜层电偶腐蚀模型。分析表明:Mo、Al两种金属间存在1.47V的电极电位差,具有很强的电偶腐蚀倾向性,且表层Mo中存在10nm级别的贯穿性孔洞,直径为0.4nm的水分子可轻易渗入,进而引发电偶腐蚀。表层Mo厚度增加25%后,其腐蚀速度较量产条件降低30%,Lead Open发生率降低1.4个百分点,维持在0.1%的较低水平,满足TDDI产品量产对该类不良发生率的要求。