电流源双向直流变换器的并联环流抑制方法

电池储能系统中可采用电流源型隔离双向直流变换器作为蓄电池与直流母线之间的接口。为解决多个电流源型隔离双向直流变换器挂接在母线上产生的并联环流问题,提出一种基于直流母线端口电容的并联环流抑制方法。首先基于变换器的直流母线端口导纳,分析得到并联系统稳定和并联模块间电流均衡的通用条件;进而针对电流源半桥变换器的结构特点与控制策略,以及基于通用平均模型得到的变换器的开环传递函数,结合下垂控制的控制框图,分析推导电池储能模块的直流母线侧端口导纳表达式;通过将变换器的端口导纳代入并联系统稳定和并联模块间的电流均衡条件,发现变换器内在的LC谐振结构是并联环流存在的重要原因;最后分析直流母线端口电容对端口导纳的影响。仿真结果验证了所提环流抑制方法的正确性。     

基于MMC的锂电池管理器研究

研究了一种基于MMC(modular multilevel converter)的锂电池管理器,该管理器能将充放电控制和电池均衡管理统一在同一变换器内部完成,解决了传统电池管理器将充放电控制器和电压均衡电路相互独立而使电路较为复杂的问题。首先分析了变换器的工作原理,以12 V电池包为例设定了功能需求,并依此设计了控制策略与能量管理策略,相应地得到了控制框图与控制器的程序流程图;然后设计了实验样机,进行了关键参数的设计;最后,对设计结果进行了仿真分析和实验验证。仿真结果表明该管量器能够实现双向电流控制、输出稳压控制和单体电池均衡,验证了上述分析和设计的正确性。实验验证了双向充放电电流控制与稳压环控制的可行性,而单体电池的长期电压均衡仍有待进一步实验验证。     

基于B/S结构的知识化制造自重构子系统的实现

为克服传统C/S结构的知识化制造自重构子系统维护成本高、执行效率低、通用性和可移植性差等缺点,开发了基于B/S的四层体系结构的知识化制造自重构子系统.介绍了知识化制造系统中知识的表示方法;分析了知识化制造自重构子系统的功能,讨论了知识网自重构使能工具的实现、自重构后实际软件系统的自动生成、基于混合编程的动态图形视图等难点技术;在ASP.NET平台上,基于组件技术,通过实例验证了知识化制造系统自重构的可行性及有效性.     

先进材料新挑战：记忆材料打印技术

4D打印技术可用于城市管道建设及提高建筑气候适应性，可有效实现管道自动调整，降低铺设成本，灵活应对地质灾害。4D打印技术具有艺术与科学的融合特性，兼智能化及控制化于一身，通过智能结构或材料增材制造，对构件形状功能在时间及空间上进行精确控制，满足变形和功能的多元化要求，且因其耗能低、设计自由度高等优点在医学生物、航天航空、建筑等领域广泛应用。分析了4D打印技术的研究及应用发展现状，阐述该技术可在复合材料、形状记忆聚合物、形状记忆合金等先进材料制备基础上，实现应用性与科学性的完美结合，并伴随新材料、新软件、机器设备与智能化制造等技术的不断升级而逐步趋于成熟，终将实现大规模产业化发展。     

无机为主无铬复合钝化的综合对比研究与展望

基于镀锌层表面无铬钝化技术,从钝化膜性质、钝化液稳定性和成膜耐蚀机理3大方面,总结了以硅酸盐、钼酸盐、钛盐以及稀土金属盐为主要成膜物质的4种复合钝化体系的优缺点,认为耐蚀性最优的体系为硅酸盐体系;对比了各体系钝化液稳定性的差异及不同影响因素,总结了不同体系的相应改善方法,认为硅酸盐体系稳定性最好.阐明了硅酸盐、钼酸盐和...     

塔台模拟管制中多路混音的设计与实现

基于塔台管制模拟语音通讯系统,设计并实现了多路混音功能。发送端采用双线程多缓冲区机制保证数据的实时即时发送;在混音同步机制中引入了多个缓冲队列,为成功实现同步混音创造了良好条件;在最为重要的混音算法中做了一些改进,混音效率有明显提高。在该系统中使用了专门为声音解压缩研究设计的Speex语音解压缩库,其高性能的语音解压缩效率,在应用中得到了很好的体现。系统仿真实验结果表明该套多路混音实现方式切实可行,具有一定的有效性和优越性。     

MOCVD生长的InGaN/GaN薄膜组分和表面形貌研究（参加广西南宁固体薄膜会议论文）

摘要：本文利用MOCVD方法在（0001）取向的蓝宝石衬底上实现了不同生长温度条件下的InGaN薄膜的制备。通过改变生长温度实现了InGaN薄膜中In组分可控。通过XRD、SEM、AFM等测量手段研究了生长温度和组分、形貌、缺陷等性质的关系。对比SEM和AFM形貌图像提出并探讨了3种缺陷坑（大V型坑,In-rich坑和热腐蚀坑）模型以及形成机制。通过研究不同生长温度的InGaN薄膜样品,发现较高生长温度对InGaN薄膜形貌质量和缺陷控制有至关重要的作用。     

Surface morphology and composition studies in InGaN/GaN film grown by MOCVD

InGaN films were deposited on(0001) sapphire substrates with GaN buffer layers under different growth temperatures by metalorganic chemical vapor deposition.The In-composition of InGaN film was approximately controlled by changing the growth temperature.The connection between the growth temperature,In content,surface morphology and defect formation was obtained by X-ray diffraction,scanning electron microscopy(SEM) and atomic force microscopy(AFM).Meanwhile,by comparing the SEM and AFM surface morphology images,we proposed several models of three different defects and discussed the mechanism of formation.The prominent effect of higher growth temperature on the quality of the InGaN films and defect control were found by studying InGaN films at various growth temperatures.     

一种分类方法的研究

介绍了一种基于聚类的分类方法。传统的聚类是无监督学习,也就是说不需要先验知识。基于聚类的分类方法利用样本的类标号信息进行学习,形成非层次结构的聚类,每个聚类都有类标号,用来对新的数据进行分类。对于大量的学习样本,具有很好的伸缩性。