变压边力方式对板料U形回弹影响的有限元模拟研究

板料卸载后回弹变形对覆盖件的精度影响很大,研究回弹过程的影响因素对于板料成形过程的模具设计非常重要。基于NUMISHEET’93的U形弯曲标准考题,考虑板材与模具间的接触演变过程,建立了一个有限元模型来预测回弹。模拟中板材卸载过程采用模具反向运动方法,模拟结果与NUMISHEET’93的试验结果比较表明了模型的正确性和可行性。对不同的变压边力方式对回弹结果的影响研究发现,变压边力方式对回弹结果有较大影响。当变压边力的后半部分力较大时,能够有效降低回弹,采用阶梯型和直角梯形方式较好。     

一种用于5G终端增益可调的低噪声放大器设计

针对无线接收机需要对不同强度信号进行不同程度放大的要求,采用WIN公司的0.15 μm GaAs pHEMT工艺设计了一款工作频段为5G通信频段3~5 GHz的可变增益低噪声放大器。该放大器包含两级放大电路,均采用自偏置结构,降低了端口数量,通过调节第二级放大电路的控制电压在0至5 V之间变化,可实现系统增益的连续可调范围约39.3 dB(－3.5~35.8 dB)。放大器版图尺寸为0.94×1.24 mm²。控制电压为0 V时,系统噪声为0.53±0.01 dB,增益为35.5±0.35 dB,中心频点4 GHz处,OP1dB为13.2 dBm,OIP3达到32.7 dBm,表明系统具有良好的线性度。     

应用红外线对触头焊接温度的控制

接触器被广泛应用在接通分断带有负载的交、直流主电器或大容量控制电器中。其主要控制对象是电动机及其它电力负载,如电炉、电焊机、电容器组等设备。由于接触器不仅接通和分断电路,还具有低压释放保护、控制容量大、频繁操作和远距离控制等功能,所以是生产机械自动化...     

倒装芯片封装中多层铜互连结构的界面分层

芯片封装过程中，较高的机械热应力易导致多层铜互连结构发生分层甚至断裂失效。运用三级子模型技术建立了倒装芯片10层铜互连结构的有限元分析模型，通过计算不同界面裂纹尖端能量释放率对多层铜互连结构的界面分层展开研究。结果表明：第10层Cu/SiN和金属间电介质(IMD)/SiN界面，以及第9层Cu/SiN界面的裂纹尖端能量释放率远大于其他界面，是易发生分层失效的关键界面；总体互连线介电材料的弹性模量和热膨胀系数对关键界面能量释放率都有影响。基于此分析，对总体互连线介电材料的选取进行优化，发现第10层选择弹性模量与热膨胀系数乘积最大的非掺杂硅玻璃(USG),第9层选择弹性模量与热膨胀系数乘积最小的有机硅酸盐玻璃(OSG)时更有利于提高多层铜互连结构界面可靠性。     

基于混合介质的同轴-环形TSV传输特性分析

通过分析同轴-环形硅通孔(CA-TSV)内外层单一介质材料对传输损耗及串扰的影响，发现CA-TSV传输特性受外层介质影响较大，外层介质介电常数越大，串扰越小、传输损耗越大；外层介质选择单一材料时，两者性能不可兼顾。基于此，提出一种“BCB-Si-BCB”外层混合介质CA-TSV结构，其相比于传统CA-TSV其传输损耗进一步降低，并对不同混合介质尺寸及配比对传输损耗及串扰的影响进行研究。结果表明：“BCB-Si-BCB”混合介质层总尺寸越大，传输损耗越小、串扰越大；混合介质总尺寸固定不变时，内层BCB占比越高，传输损耗越小，串扰越大；在混合介质比为1∶3∶1时，CA-TSV串扰明显优于其他混合介质CA-TSV及同轴TSV结构，且该结论不受尺寸限制。最后建立其等效电路模型与HFSS仿真结果对比，拟合效果较好，验证了电路模型的正确性。