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101.
刘桂香  徐光亮  罗庆平 《化工进展》2007,26(2):234-237,241
分别采用低温固相化学法和共沉淀法合成掺杂ZnO粉体,并用这两种粉体在不同温度下烧结制备了ZnO压敏电阻。借助XRD、SEM、TEM、BET等检测手段对粉体产物的性能进行了表征,采用XRD、SEM等手段对ZnO压敏陶瓷的物相、结构进行了分析,并对两种方法制备的粉体及压敏电阻的性能进行了比较研究。结果表明:采用低温固相化学法合成的粉体平均粒径为23.95 nm,用其制备ZnO压敏电阻的最佳烧结温度是1 080℃,其电位梯度为791.64 V/mm,非线性系数是24.36;采用共沉淀法合成的粉体平均粒径为188 nm,用其制备ZnO压敏电阻的最佳烧结温度是1 130℃,其电位梯度为330.99 V/mm、非线性系数是19.70,低温固相化学法制备的ZnO压敏电阻性能优于共沉淀法制备的ZnO压敏电阻。  相似文献   
102.
自蔓延燃烧法合成ZnO粉体及其压敏电阻的制备   总被引:7,自引:0,他引:7  
以硝酸锌、尿素以及其它添加剂为原料,通过自蔓延燃烧法一次性合成了ZnO压敏电阻用掺杂纳米粉体.用X射线衍射、扫描电镜、比表面测试、激光粒度分析等手段对所制备粉体的性能进行了表征.研究了反应物质量比对粉体性能的影响,以及煅烧温度对ZnO压敏电阻电性能的影响,并对自蔓延燃烧合成反应进行了初步探讨.结果表明:在点火温度为600℃,尿素/金属离子盐质量比为1∶1时,所制备的掺杂纳米ZnO粉体的综合性能最好.用此粉体制备的ZnO压敏电阻的电性能最佳,电位梯度为745.27V/mm,非线性系数为56.53,漏电流为6μA.  相似文献   
103.
川西磷石膏保温、调湿功能属性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文研究了川西两种磷石膏(白、黑各一种)的保温、调湿功能属性.其导热系数分别为0.1213 W/m·K、0.2211 W/m·K;密闭条件下饱和吸水时间随温度升高而变短,且成线性关系.磷石膏的吸水率随温度的上升而增大,此过程是一个吸热和熵增的过程.常温敞开条件下,磷石膏在白天温度高湿度低时放水,晚上温度低湿度高时吸水,具有一定的调湿功能.应用差示扫描量热分析法(DSC)对磷石膏进行了试验分析,结果表明其吸热量随温度升高而减少.  相似文献   
104.
任小虎  徐光亮  余洪滔  彭承敏 《功能材料》2012,43(23):3265-3268,3273
采用热压成型工艺,以环氧树脂为基体、羰基铁粉为吸收剂制备复合微波吸收材料。对获得的羰基铁粉/环氧树脂复合吸收体的微观结构、电磁性能及微波吸收性能进行了表征和测试,并研究了该材料在隔离器中的应用性能。结果表明,调节吸收剂含量及成型压力可以制备出结构致密、吸收损耗大的微波吸收体。其中在30MPa压力下成型,羰基铁粉体积分数为65%的吸收体在8~12GHz内的吸收损耗为7.8~8.9dB/mm。隔离器负载中使用该材料,器件电压驻波比≤1.2时,隔离度≥20dB,相对带宽达20%。  相似文献   
105.
采用低温固相化学反应法制备了Pr2O3掺杂的ZnO纳米复合粉体,并用此粉体在不同烧结温度下制备了高压ZnO压敏电阻.采用X射线衍射、比表面测试、透射电镜、扫描电镜等手段对制备的ZnO纳米复合粉体及高压ZnO压敏电阻进行了表征,并与未掺杂ZnO压敏电阻进行了对比研究,探讨了稀土氧化物Pr2O3掺杂对高压ZnO压敏电阻电性能的影响机制.结果表明:较低的烧结温度(1030~1130℃)时,掺杂的稀土氧化物Pr2O3偏析于ZnO晶界中,有活化晶界、促使晶粒生长的作用;同时,Pr2O3掺杂导致1080℃烧结的ZnO压敏陶瓷体中晶体相互交织形成晶界织构,比未掺杂的更均匀和致密,这有助于高压ZnO压敏电阻晶界性能的改善,从而提高其综合电性能.当烧结温度为1080℃时,Pr2O3掺杂的高压ZnO压敏电阻的综合电性能最佳:电位梯度为864.39 V/mm,非线性系数为28.75,漏电流为35 μA.  相似文献   
106.
探讨了不同百分比抗菌悬浮液和涂料溶液PH值对抗菌涂料抗菌效果的影响,同时采用抗菌基元一抗菌涂料制备的一体化技术,获得了抗菌性能和基本性能都好的功能涂料,对革兰氏阴性菌(大肠杆菌)和阳性菌(金黄色葡萄球菌)的抑菌圈的宽分别达到10~12mm和8~13mm。对革兰氏阴性菌(大肠杆菌)的杀菌效率为90%。最后通过测试分析了栽锌膨润土的抗菌机理。  相似文献   
107.
隔离器负载用微波吸收材料的研制   总被引:3,自引:2,他引:1  
以环氧树脂为基体、羰基铁粉为吸收剂制备复合微波吸收材料。对获得的羰基铁粉/环氧树脂复合材料的击穿电压强度、密度和吸收损耗进行了测试,并对使用该材料的隔离器性能进行了研究。结果表明:羰基铁粉在树脂中分散性较好,颗粒之间的绝缘程度很高,吸收材料的吸收损耗大,承受功率高。密度为3.83g/cm3的试样,击穿电压强度达763V/mm,8~12GHz频率内吸收损耗在2.5~4.5dB/mm。隔离器负载中使用该材料,器件电压驻波比(VSWR)≤1.2时,隔离度≥20dB,相对带宽为25%,承受功率≥5W。  相似文献   
108.
采用自蔓延法制备了Ni-Co-Zr离子共掺BaFe12O19的前驱体,并研究了不同掺杂量对样品微结构和磁性能的影响。通过XRD、SEM、VSM和VNA等 对 样 品 进 行 性 能 表 征,发 现BaFe10Ni0.5Co0.5-Zr1.0O19在1100℃保温4h,矫顽力 Hc仅7.4×103A/m,饱 和 磁 化 强 度 Ms为28.6A·m2/kg;BaFe10.4-Ni0.4Co0.4Zr0.8O19在1100℃保温4h后,矫顽力 Hc为4.62×104A/m,饱和磁化强度 Ms却有50.2A·m2/kg。离子掺杂对M型钡铁氧体的复介电常数有一定影响;随着掺杂增加复磁导率μ′先增加后降低,减小了材料的应用频率范围。同时Ni-Co-Zr离子掺杂使得产物颗粒粉体晶粒细化,活性增加。  相似文献   
109.
Sb掺杂BaTiO_3的电磁及微波吸收特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以BaCO3、TiO2、Sb2O3为原料,采用固相法制备了Sb掺杂BaTiO3样品,借助XRD、Raman光谱以及矢量网络分析仪等分析测试手段对所制样品的晶相、晶格常数、电磁性能及微波吸收特性进行了表征。结果表明:低掺杂Sb的样品均为单一四方相BaTiO3晶体,结晶良好;随着w(Sb2O3)的增大,晶格常数减小;与未掺杂的BaTiO3相比,Sb掺杂BaTiO3的反射损耗明显提高,且反射峰向低频方向偏移;当w(Sb2O3)为0.6%时,制得BaTiO3的反射损耗在3.7 GHz处达到最大值–28.2 dB。  相似文献   
110.
以甲基丙烯酸(MAA)、丙烯腈(AN)、丙烯酰胺(AM)和甲基丙烯酸甲酯(MMA)为单体,用γ射线辐射引发聚合,形成MAA\AN\AM的共聚物和PMMA,然后使用热处理酰亚胺化制备了聚甲基丙烯酰亚胺(PMI),同时PMMA降解形成微孔结构.红外光谱分析表明:在选定温度条件下热处理过程中,相应基团酰亚胺化和PMMA降解成...  相似文献   
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