氟化物助烧PMN-PT陶瓷的制备与性能

以铌铁矿预产物合成法制备氟化物（LiF、MgF2、CaF2）助烧0.68Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.32PbTiO3弛豫铁电陶瓷。采用XRD和SEM分析陶瓷相组成和显微结构,并对介电和压电性能进行测试。结果表明,所有陶瓷样品均为纯钙钛矿相,没有检测到其它杂相; LiF和MgF2助烧PMN-PT陶瓷的晶粒较大（约3~4 μm）,而纯PMNT陶瓷和CaF2助烧PMN-PT陶瓷的晶粒较小（约0.5~1 μm）;LiF和MgF2的添加使陶瓷峰值介电常数增大,压电性能提高,相变弥散程度减小,而添加CaF2使其峰值介电常数减小,压电性能下降,相变弥散程度增大。     

两种矿渣粉掺加工艺的技术分析

<正>我公司现有的两条生产线Φ4.2m×13m水泥磨与辊压机组成的联合粉磨系统分别建于2007年和2011年。在产销对接过程中,存在一部分水泥早期强度高,后期强度增进率偏低的问题,并且由于闭路粉磨系统存在成品粒径过于集中,造成标准稠度用水量频繁超限的现象,成为广大用户特别是商混企业普遍反映的质量问题,为了进一步提高产品质量,满足不同用户的需求,我公司决定在两条生产线粉磨系统中     

放射性同位素制品技术标准建设的现状与思考

随着国家对民用核技术应用领域的大力支持,我国放射性同位素制品行业迎来了前所未有的机遇与发展.然而,行业快速扩张也带来了市场规模与行业技术标准体系发展不匹配的问题.目前有关国内放射性同位素制品行业技术标准体系建设的研究甚少,本文从行业市场规模及标准体系现状出发,分别探讨放射性药物和放射源行业在标准体系建设方面的现状及存在...     

E1数据时隙插入与提取的实现研究

E1网络可靠性高,应用广泛,卫星调制解调器中,E1接口的设计具有重要的意义,并可扩展到其他应用场合。E1接口芯片采用的是DS21354,该芯片主要实现数据编解码、数据/时钟恢复,波形成型以及帧定位功能,芯片配置由单片机完成。为了解决远端站与中心局之间的传输需求,提供了提取和插入功能,该操作用FPGA实现,通过单片机可选择性地调节提取和插入的时隙,使用了乒乓操作和FIFO来完成该功能。     

基于多像素光子计数器的三维成像方法

提出了一种基于多像素光子计数器的三维成像方法.利用高重频脉冲激光作为光源,振镜作为扫描装置,多像素光子计数器作为探测器,可编程程门控阵列作为总控制器,设计了一种基于多像素光子计数器的三维成像系统,通过光度立体算法实现对物体的三维成像.实验研究结果表明:所提方法可以实现弱光条件下对复杂物体的快速高分辨率三维成像,成像分辨...     

一种基于 Contourlet 变换的彩色图像全息水印算法

提出了一种结合了全息水印加密技术和 Contourlet 变换技术的彩色图像水印算法。 算法首先将 RGB 模式的水印载体图像转换至 YCrCb 颜色空间,选取亮度分量作为水印载体通道,对其进行多层 Contourlet 分解,得到细节子带图像;而后对二值水印图像进行傅里叶全息加密,将加密后的图像嵌入至载体图像的 Contourlet变换系数中。 仿真实验结果表明,该水印算法具有良好的不可见性,对于常见的几何变换及多种攻击具有良好的鲁棒性。     

准同型相界附近PMN-PT陶瓷的介电性能

采用铌铁矿预产物合成法制备了组成在相界附近的(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3(PMN-PT)弛豫铁电陶瓷。陶瓷样品X-射线衍射相组成和相结构分析表明:所有陶瓷样品均为纯钙钛矿相,无任何其他杂相出现;且组成在x=0.33处存在一准同型相界(MPB),在该相界附近三方相和四方相共存,而远离该相界则分别为纯三方相和四方相。相界附近组成随PT摩尔分数增加,介电峰变得尖锐,频率弥散减弱,即介电弛豫程度减弱。这主要是由于四方相增多,三方相减少,从而使弛豫铁电体变为正常铁电体。     

聚丙烯原液着色异形丝与喷汽卷曲试验机

聚丙烯纤维具有比重小、强力高、耐磨好、耐酸、耐碱等特性。因此,采用原液着色纺制聚丙烯异形丝制作丙纶地毯,不仅耐磨、轻盈、色泽鲜艳、弹性优良,而且价廉易制,作为飞机、轿车地毯尤为合适,随着     

VLSI金属互连电迁移1/fγ噪声特性研究

通过对超大规模集成电路金属互连进行电迁移加速寿命实验和不同电迁移损伤程度的金属薄膜电阻及1/f^γ噪声的测量和分析,得到了1/f^γ噪声3Hz点功率谱密度和频率指数γ均随电迁移损伤程度加剧而变大的实验规律.分析表明,在同样的电迁移损伤程度条件下,1/f^γ噪声点功率谱密度的相对变化量是电阻相对变化量的大约2000倍.此外,得到了1/f^γ噪声频率指数随电迁移过程逐渐变大的实验规律.因此,1/f^γ噪声功率谱密度和频率指数有可能作为比现在应用的电阻相对变化量更为灵敏的金属互连电迁移表征参量.     

原子层沉积氧化铝薄膜对多晶太阳能电池表面钝化的影响

A stack of Al2O3/SiNx dual layer was applied for the back side surface passivation of p-type multi-crystalline silicon solar cells, with laser-opened line metal contacts, forming a local aluminum back surface field （local Al-BSF） structure. A slight amount of Al2O3, wrapping around to the front side of the wafer during the thermal atomic layer deposition process, was found to have a negative influence on cell performance. The different process flow was found to lead to a different cell performance, because of the Al2O3 wrapping around the front surface. The best cell performance, with an absolute efficiency gain of about 0.6% compared with the normal full Al-BSF structure solar cell, was achieved when the Al2O3 layer was deposited after the front surface of the wafer had been covered by a SiNx layer. We discuss the possible reasons for this phenomenon, and propose three explanations as the Ag paste, being hindered from firing through the front passivation layer, degraded the SiNx passivation effect and the Al2O3 induced an inversion effect on the front surface. Characterization methods like internal quantum efficiency and contact resistance scanning were used to assist our understanding of the underlying mechanisms.