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81.
为了探究液晶材料的介电性能,本文研究了4PPTGS和4PUTGS两种含氟三环NCS类液晶材料的介电各向异性和介电损耗。首先用精密LCR表(Agilent E4980A)测量液晶盒的电容并用双盒模型和液晶盒电容模型得到4PPTGS和4PUTGS两种液晶材料的平行和垂直介电常数,再由电压-电容特性曲线得到它们的阈值电压,并进一步探讨了介电各向异性和阈值电压对温度的依耐性;然后,在20 Hz~10kHz范围内研究了外加电压频率对液晶材料介电损耗的影响,两种液晶材料在1kHz左右都存在介电损耗峰值,为了减小器件的功耗和提升器件的质量,液晶材料应选择在介电损耗小的频率下工作;最后,通过对平行和垂直排列向列相盒中液晶材料在不同电压下介电损耗的测试与分析,介电损耗的变化是由于在外加电场下液晶分子固有偶极矩的取向极化引起的,介电损耗值的大小与液晶分子的排列状态密切相关。此项研究对提升液晶材料在应用中的介电性能具有一定的指导意义。 相似文献
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合成孔径雷达(SAR)双通道对消技术可有效抑制单站散射波干扰,因此,文中提出对抗双通道对消系统的多站协同散射波干扰方法,结合补偿相位搜索和对消流程分别分析了多站同时工作和多站分时交替工作的干扰效果。沿方位向部署的多个干扰站可破坏SAR各通道接收干扰信号的原有相位关系,从而严重影响相位搜索结果和场景成像。理论分析与实验结果表明:多散射波干扰站同时工作时,可在对消成像中形成多个无法被消除的虚假散射场景,并伴随部分真实场景信息损失;多站分时交替工作时,可使得场景对消成像出现类似噪声的明暗斑,并且三站分时干扰效果优于双站。 相似文献
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84.
本文参比51系列单片机,系统地阐述了非常适合我国国情的新一代高性能、低价格单片机——8098的结构及应用特点. 相似文献
85.
86.
我们利用交叉分子束实验装置,在单次碰撞条件下研究了产生电子态化学发光的Ba+Cl_2、I_2反应。在基态Ba原子反应情况下,我们得到了BaCl_2电子激发态波长在4000—6000范围的连续辐射谱,以及BaCl电子激发态A~2Π,B~2∑、C~2Π→X~2∑~+的辐射谱。实验发现,亚稳态Ba原子与基态Ba原子不同,它和Cl_2反应不产生BaCl_2电子激发态的连续辐射,却增加BaCl电子激发态的辐射,特别是BaCl(C~2Π)态的辐射。用电子跳跃模型计算得到:亚稳态Ba原子产生BaCl(C~2Π)态的光子产率较基态Ba原子大近三个数量级。实验还得到Ba(~3D)+I_2反应产生的Bal(C~2Π_(3/2)-X~2∑~+)△v=0辐射带高分辨光谱,从中计算得到BaI(C~2Π_(3/2))态具有非热振动布居,近似有双模振动布居,使人设想这个反应具有比一个更多的反应机理。 相似文献
87.
88.
为方便研究电力设备中的凝露及闪络现象,文中利用模糊PID算法设计了一款凝露闪络实验系统。单片机根据模糊PID算法的结果输出相应的PWM信号,通过驱动电路控制半导体制冷片等元器件的工作状态,实时调控实验样品的温度,并始终保持箱体内部环境的温/湿度恒定,从而诱导实验样品表面产生凝露。另外通过高压电源为样品施加可控高压,可引发凝露状态下的闪络现象。系统将凝露与闪络实验相结合,实现了对不同条件下电力设备环境的模拟,且温度控制精确稳定,为凝露与闪络等相关研究的开展提供了便利。 相似文献
89.
90.