首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   471篇
  免费   11篇
  国内免费   32篇
电工技术   18篇
综合类   10篇
化学工业   46篇
金属工艺   39篇
机械仪表   14篇
建筑科学   30篇
矿业工程   11篇
能源动力   8篇
轻工业   49篇
水利工程   17篇
石油天然气   8篇
武器工业   1篇
无线电   89篇
一般工业技术   11篇
冶金工业   39篇
原子能技术   7篇
自动化技术   117篇
  2024年   3篇
  2022年   2篇
  2021年   6篇
  2020年   4篇
  2019年   4篇
  2018年   3篇
  2017年   1篇
  2016年   3篇
  2015年   5篇
  2014年   7篇
  2013年   6篇
  2012年   7篇
  2011年   9篇
  2010年   13篇
  2009年   15篇
  2008年   11篇
  2007年   27篇
  2006年   5篇
  2005年   23篇
  2004年   27篇
  2003年   54篇
  2002年   12篇
  2001年   18篇
  2000年   24篇
  1999年   16篇
  1998年   10篇
  1997年   17篇
  1996年   9篇
  1995年   22篇
  1994年   12篇
  1993年   11篇
  1992年   14篇
  1991年   10篇
  1990年   12篇
  1989年   15篇
  1988年   9篇
  1987年   6篇
  1986年   10篇
  1985年   8篇
  1984年   5篇
  1983年   8篇
  1982年   11篇
  1981年   3篇
  1980年   6篇
  1978年   2篇
  1977年   2篇
  1976年   2篇
  1975年   2篇
  1966年   1篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有514条查询结果,搜索用时 15 毫秒
471.
使用自编的分析软件,根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析,给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线.一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况,并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温,还可以计算出平均结温.晶体管热谱是表示晶体管结温不均匀性的一种与热像图不同的新方法.  相似文献   
472.
A simple equivalent circuit model is proposed according to the device structure of reverse conducting insulated gate bipolar transistors (RC-IGBT). Mathematical derivation and circuit simulations indicate that this model can explain the snap-back effect (including primary snap-back effect, secondary snap-back effect, and reverse snap-back effect) and hysteresis effect perfectly.  相似文献   
473.
综述了自由电子激光在日本的应用情况。自由电子激光的应用是与量子阱,器件工艺,材料处理,等离子体分离等等联系在一起的。在展望中,描述了自由电子激光将来在高梯度加速器,能量运输和分子蜕变等方面的应用。  相似文献   
474.
针对锂电池X-Ray图像中电极排布密集且模糊导致工业生产中难以高效检测的问题,提出了一种锂电池电极位置检测的方法。首先通过调整YOLOv5的骨干网络来增强模型对于目标特征的提取能力;其次,针对目标排布密集且像素占比较小的问题,增加目标检测层来提升模型对于小目标的检测性能;同时由于图像中的阴阳极特征较弱,引入注意力机制来进一步加强网络的特征提取能力;最后选取CIoU损失函数来提高定位精度。实验结果表明,提出的方法与主流目标检测方法YOLOv3、YOLOv4、RetinaNet、YOLOv5、TPH-YOLOv5相比,在性能上具有优势,与原始YOLOv5算法相比,mAP提高了约15.2%。提出的方法可以有效改善锂电池电极位置检测的准确性,有助于提高工业生产中锂电池缺陷检测的效率。  相似文献   
475.
贾艳  陈宏  谭骥  卢烁今  朱阳军 《半导体学报》2016,37(8):084003-5
A novel high performance SemiSJ-CSTBT is proposed with the p-pillar under the bottom of the trench gate. The inserted p-pillar with the neighbouring n-drift region forms a lateral P/N junction, which can adjust the electric distribution in the forward-blocking mode to achieve a higher breakdown voltage compared to the conventional CSTBT. Also, the p-pillar can act as a hole collector at turn-off, which significantly enhances the turn-off speed and obtains a lower turn-off switching loss. Although the turn-off switching loss decreases as the depth of the p-pillar increases, there is no need for a very deep p-pillar. The associated voltage overshoot at turn-off increases dramatically with increasing the depth of p-pillar, which may cause destruction of the devices. Plus, this will add difficulty and cost to the manufacturing process of this new structure. Therefore, the proposed SemiSJ-CSTBT offers considerably better robustness compared to the conventional CSTBT and SJ-CSTBT. The simulation results show that the SemiSJ-CSTBT exhibits an increase in breakdown voltage by 160 V (13%) and a reduction of turn-off switching loss by approximately 15%.  相似文献   
476.
近几年来,朝鲜民族风味饭食,如烤牛肉,排骨,炒饭,排骨汤饭,饼汤,梅云汤等在日本各地甚为流行。在朝鲜饭菜中不可缺少的是基姆柒(gimci)。基姆柒实质上是一种盐渍菜,比日本著名的盐渍白菜,糠腌萝卜风味还好的副食品。在朝鲜,由11月末至12月中旬为冬基姆柒(gim zang gim ci积睦藏 基姆柒)的腌制季  相似文献   
477.
介绍垂直法织物阻燃性能测试仪的技术特征,在研制过程中对燃烧助剂和燃烧器的选用,火焰温度及其测量装置,燃烧试验箱的设计,试样夹固定装置的改进等。  相似文献   
478.
滚动轴承内、外环滚道和滚动体之间的间隙称作游隙,是轴承的重要精度指标。轴承游隙的大小,不仅影响轴承装配的旋转精度,而且对轴承的工作性能和疲劳寿命也有直接影响。因此,准确地保证轴承的游隙值,是轴承装配工作过程中的重要环节。一般轴承的游隙,是在装配过程中,凭实际经验经过多次合套选配而得到的。这种多次选配的过程,往往造成轴承滚道和滚动体的表面划伤,破坏了滚道及滚动体表面光洁度。这对一些较为精密的E、D级以上精度轴承是  相似文献   
479.
以正向电压为自变量,以正向电流的对数为应变量,以温度为参数得到的p-n结的I-V-(T)特性曲线在第一象限中近似汇聚于一点.汇聚点对应的电压近似等于半导体材料的禁带宽度.汇聚点可以用来获取任意温度下的I-V特性曲线.  相似文献   
480.
零件制造三个主要元件的组合对齿轮生产更为需要。同时,齿轮和齿轮机床的复杂性使得组合的需求更加急迫。本文报道了美国Gleason公司推出的有关齿轮的集成制造系统。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号