The negative differential resistance characteristics of an RC-IGBT and its equivalent circuit model

A simple equivalent circuit model is proposed according to the device structure of reverse conducting insulated gate bipolar transistors （RC-IGBT）. Mathematical derivation and circuit simulations indicate that this model can explain the snap-back effect （including primary snap-back effect, secondary snap-back effect, and reverse snap-back effect） and hysteresis effect perfectly.     

不同温度下半导体硅势垒的正向I-V特性曲线的汇聚特性

以正向电压为自变量,以正向电流的对数为应变量,以温度为参数得到的p-n结的I-V-(T)特性曲线在第一象限中近似汇聚于一点.汇聚点对应的电压近似等于半导体材料的禁带宽度.汇聚点可以用来获取任意温度下的I-V特性曲线.     

交错偏振狭缝光栅消除自由立体显示反视的研究

本文对一种交错偏振狭缝光栅消除自由立体显示反视的方法进行研究,从理论分析和实验验证两方面证明了可行性。首先讨论了狭缝光栅自由立体显示反视现象产生的机理,然后通过垂直分割成像单元,利用交错偏振狭缝光栅,在不降低立体显示的分辨率基础上消除反视,最后通过建立实验模型验证了方法的可行性。     

预放大相移无透镜傅里叶变换显微数字全息术的研究

利用菲涅耳衍射和全息理论 ,对预放大相移无透镜傅里叶变换显微数字全息术的记录和再现进行详细的理论分析和实验研究。其结果表明 :相移技术可以有效地解决数字全息再现像分离问题 ;预放大方法用透镜可以方便进行显微物体的放大 ;无透镜傅里叶变换全息术不仅可以降低数字全息采样条件的要求 ,而且在相同条件下可以记录物体更多的高频信息 ,上述三种技术的结合将是在目前CCD性能限制的条件下 ,提高显微数字全息再现像分辨率的有效途径。同时 ,也为高质量显微数字全息再现像的获得提供重要参考     

用双靶对接方法产生高强度7.9 nm类镍钕X射线激光

采用双弯曲靶对接技术和多脉冲驱动,结合新型线聚焦系统,在大阪大学激光工程研究所的Gekko装置上进行了类镍钕软X射线激光实验,以相对较低的驱动能量,获得了高强度的7.9nm软X射线激光输出。     

最近金属罐的缩颈加工技术

一、前言日本的碳酸罐自六十年代以来就以惊人的速度发展,在制罐业中占据主要地位,直到今天仍在控制着整个罐市场。其间,随着社会、经济各方面的结构变化、渡过了暂短的徘徊时期,继而进入低速发展阶段。经过7年的发展,日本罐产量几乎成倍增长,大约能形成150亿个罐的市场,其中均占整个饮料罐产量的80％,     

内输多相流与绕流耦合作用下立管非线性振动EI北大核心CSCD

对内输多相流立管在内流与外部绕流耦合作用下的振动响应进行了分析。建立了内部多相流-立管-外部绕流的耦合方程,并采用广义积分变换法(GITT)将偏微分方程转化为常微分方程进行求解。分析得到立管内两相流会引起立管自然频率的降低,管内流速越高,立管越长,两相流作用越明显;立管在内流和外部绕流共同作用下,管内含气量的增加,使立管发生涡激振动的频率降低,振动幅值增加;管内两相流的作用会引起立管在较小的外部流速下发生共振并且会诱发立管发生更高一阶模态的振动;外部绕流流速越高,管内两相流作用越小。     

透视闪盘价格上涨的内幕

自诞生至今，闪盘产品就以其小巧玲珑、储存容量高、便于携带、传输速度快等特点，讨得不少消费者的欢心；而且随着近年来闪盘技术的发展与完善，闪盘的价格已经下降到大众化的程度，因此目前许多消费者都已将内盘纳入装机必选硬件这一，闪盘也大有取代传统软盘的趋势。由于闪盘的技术含量并不高，从而造就了国内出现上百个闪盘品牌。