掺硼浓度对金刚石薄膜微电极电化学氢化的影响

硼掺杂金刚石（BDD）具有高的析氧电位、低的背景电流等优异的电化学性能,但其电化学传感特性易受掺硼浓度影响。采用热丝化学气相沉积法在微细钨丝上沉积BDD薄膜,在不同沉积温度（700和800 ℃）下改变掺硼浓度而制备了系列BDD微电极,研究了掺硼浓度对BDD微电极表面电化学氢化的影响。同时,采用扫描电子显微镜、Raman光谱分析薄膜形貌和成分,采用循环伏安法在铁氰化钾溶液中检测薄膜的表面状态和电化学性能。结果表明：高温会促进薄膜中硼的掺入,降低了薄膜质量;随着薄膜中硼浓度的增加,原生BDD电极的表面状态和电化学性能改变不大,但是会降低BDD微电极从氧端基恢复到氢端基的难度。     

氧离子注入p型(Be)-GaAs形成高阻层的研究

采用氧离子注入在p型(Be)-GaAs层中形成高阻层.根据I—V测量,光致发光测量,以及TEM方法观察的结果,得知载流子补偿主要与氧注入引入的损伤相关.当退火温度高于600℃时,由于损伤的恢复,所形成的高阻层开始向原来p型层转变.由于铍与氧的相互作用,高温退火将促进二次缺陷的形成与长大,使铍、氧共注入层的导电状态难以恢复到来注氧时的导电状态.     

基于嵌入式网络单片机的变电站自动化通信研究

随着计算机技术、通信技术的发展,嵌入式以太网技术在变电站自动化通信中得到了广泛的应用。文章主要基于嵌入式网络单片机的变电自动化通信视角,对其相关实现技术进行分析,可为相关工作者提供参考。     

中国能见度长期变化及区域特征分析

为找出中国不同类型观测站点能见度的变化特征及其影响因素,对中国350余个气象观测站29年（1980-2008年）的能见度观测数据进行了分析,并使用人口密度分布数据对观测站点进行分类。结果表明,我国大气能见度在1980年后呈现缓慢下降趋势,整体表现出西高东低的特征,且东部能见度逐年下降趋势显著。能见度下降地区多集中于气候湿润或人口密度较高的地区,且人口越密集,能见度恶化程度越显著,低能见度事件发生频率越高。我国西北,包括内蒙、新疆等人口密度较小、气候较为干燥的地区,其能见度呈现逐年好转的趋势,这可能与我国北方地区沙尘暴次数减少及强度减弱有关。我国华南能见度下降幅度最为显著,人为经济生产活动可能是造成这一现象最主要的原因,而我国华北和华东的能见度变化的区域协同性正逐渐增强,从一个侧面反映了该地区所面临的区域性污染加重的现象。     

新型垂直腔面发射激光器的研制北大核心CSCD

热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一。为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一种新型内腔接触式结构VCSEL。在出光孔径为16μm时,同时制备传统结构和新型结构两种器件并对其进行测试,传统结构VCSEL的阈值电流为11.5 mA,当注入电流为34 mA时,最大输出功率达到7.3 mW;新结构器件的阈值电流为9 mA,当注入电流为35 mA时,最大输出功率达到10.2 mW;新结构的阈值电流降低了21.7%,最大输出功率提高了28%。结果表明,这种内腔接触式电极结构有望改善器件的热特性和光电性能。     

网络管理的非集中式方法

网络管理系统存在三种基本结构;,集中式,层次式和分布式,信息网络系统正朝着日益复杂化和分布化的方向发展。集中式网络管理方法已难以满足现代大型通信网络的有效管理。本文讨论了目前最重要的几种非集中式网络管理应用系统,通过比较指出了各系统的瘃及展望。     

基于自偏置电流镜的CMOS红外焦平面读出电路

针对高精度红外焦平面阵列应用设计了一种具有高注入效率、大动态范围、稳定的探测器偏压、小面积和低功耗的自偏置电流镜注入CMOS读出电路.所设计的电路结构包括一种由自偏置的宽摆幅PMOS共源共栅电流镜和NMOS电流镜构成的反馈结构读出单元电路和相关双采样电路.对所设计电路采用Chartered 0.35 μm CMOS工艺进行了流片.测试结果显示:电路线性度达到了99%,探测器两端偏压小于1mV.电路输入阻抗近似为0,单元电路面积为10μm×15μm,功耗小于0.4μW.电量存储能力3108电子.测试结果表明:电路功能和性能都达到了设计要求.     

基于改进遗传神经网络模型的通信网络故障识别和告警相关性分析方法

随着通信网络自身规模、带宽和复杂度的不断增加以及用户对网络服务质量要求的不断提高,迫切需要智能化的网络管理系统对当今高速通信网络进行有效和可靠的管理,而故障管理正在变的比以往任何时候都更加困难和重要。当网络产生某一故障或失效时,往往在短时间内产生成千上万个告警信息,因而分析这些告警的相关性也变得更加复杂。现有的一些告警分析系统均在不同程度上存在可扩充能力差,难于应付复杂局面,缺乏学习能力等不足。本文提出了一种基于改进遗传神经网络模型的故障识别和告警相关性分析方法。实验表明,这种方法可克服一般告警相关性分析方法的局限,不仅简单,而且在网络学习和训练效率上也高于传统的BP算法,标准遗传算法和一般的自适应遗传算法。     

半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR) 的分子束外延生长

用分子束外延技术(MBE)生长了以GaAs/AlAs超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的P型半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)．此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为850nm．由实验表明,19个周期的反射镜获得了高达99％以上的高反射率．与此同时,采取自行设计的二次钨丝掩膜质子注入法制成15μm×15μm的正方形电流注入区,以此测定P型反射镜的串联电阻,克服了湿化学腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点,实验得出此P型反射镜的串联电阻仅为50Ω左右．在生长过程中,发现在只含一个铝源的分子束外延生长系统中,生长这种半导体/超晶格反射镜相对其他半导体/半导体反射镜要节省很多外延生长时间,因此较适合应用于多层结构的光电器件中．