含多吸引子的忆阻混沌系统的分析与实现

采用磁控忆阻器作为Sprott-J系统的负反馈,构造了一个新的具有无限平衡点的4维忆阻混沌系统,将所有的非线性项都集中在一个方程中．分析系统的耗散性、平衡点集的存在性和稳定性,以及Lyapunov指数和维数,利用分岔图和Lyapunov指数谱观察并研究该混沌系统的动力学特征．Matlab数值仿真结果表明,新系统是耗散系统且具有1个线平衡点集．动力学分析结果表明,新忆阻Sprott-J系统在改变参数时存在反倍周期分岔现象,改变初始条件时,系统出现多吸引子共存现象．研究系统在不同初始条件和系统参数下的分岔特性,得到系统混沌与混沌、混沌与周期、周期与周期共存的多吸引子特性．采用Multisim软件对系统进行电路模拟及数值仿真,结果表明,数值仿真结果与相应的电路结果相吻合,验证了新忆阻Sprott-J混沌系统的物理可行性．研究为忆阻Sprott-J混沌系统在图像加密领域的应用提供了理论基础．     

微型气相色谱柱芯片研究进展

微型气相色谱仪可对复杂气体组分进行现场、实时、快速地定性和定量分析.微型气相色谱柱芯片作为微型气相色谱仪的核心部件之一,决定了其分离性能的好坏.微机电系统(MEMS)技术的发展为制造微型气相色谱柱芯片提供了有效的加工技术、可灵活选择的衬底材料,甚至可以通过MEMS技术制备均匀的固定相,从而获得具有更好分离性能的微型气相...     

磷石膏杂质预处理及建材资源化利用

论述了磷石膏的杂质类型以及预处理方式。指出杂质对磷石膏建材制品质量的不利影响,以及预处理工艺存在的二次环境污染、除杂效率低、经济成本高等问题,严重制约磷石膏的建材资源化利用。提出磷石膏高效、低耗能、低污染预处理工艺以及应用新途径的探索已成为磷石膏建材资源化高效利用的迫切需求。     

纳米TATB炸药贮存老化机理

为深入理解纳米三氨基三硝基苯(TATB)炸药在不同贮存环境下的稳定性,设计了90℃,不同湿度(10%RH、50%RH和90%RH)以及低气压(200 Pa)等多种贮存环境条件,借助中子小角散射(SANS)、扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、红外光谱(IR)等表征技术,对不同温度、温湿度及低气压环境纳米TATB微结构演化规律进行了研究。实验结果表明,纳米TATB经45℃、60℃和71℃热老化后,其比表面积均明显下降,且老化温度越高下降趋势越显著并出现部分晶体颗粒长大;湿热极端环境(90℃,90%RH)则显著影响纳米TATB晶粒贮存稳定性,经短期(5天)贮存纳米TATB即出现显著的颗粒长大现象,尺寸约1~3μm;纳米TATB经90℃低气压(200 Pa)环境贮存也出现晶粒长大并呈微米级片状结构;基于不同贮存环境条件的试验结果,分析了纳米TATB长大熟化机制,即纳米TATB表面能较高,在温度和湿度作用下部分TATB分子克服能垒,迁移、扩散并在晶粒表面重排长大。     

静电纺丝纳米纤维制备技术应用研究进展

静电纺丝技术是一种简单易行、性价比高及可控性好的纳米纤维制备方法。本文综述分析静电纺丝技术的装置,主要包括前端喷射驱动装置、高压电源装置、终端收集装置等,进而引出其基本原理与纺丝步骤,对比溶液静电纺丝和熔融静电纺丝两种方法的区别与联系,并探究其制备技术的工艺影响参数与技术特点。总结国内外学者的工作,通过优化静电纺丝工艺参数条件,升级改进产品,提高加工生产效率和产量,使静电纺丝所制备的纳米纤维能够广泛应用于组织工程、医药工程、电化学工程、环境工程、光学工程、食品工程、纺织工程等领域中。     

再生细骨料掺量对矿用支护砂浆动态力学性能的影响

再生混凝土骨料的高孔隙率特性对砂浆抵抗冲击荷载具有积极作用,为研究再生细骨料水泥砂浆在复杂地下环境中应用于井下支护的可能性,制备了0、10%、30%、50%四种不同再生细骨料质量替代率的水泥砂浆。使用φ50 mm的分离式变截面霍普金森压杆(Split Hopkinson Pressure Bar,SHPB)试验装置,对水泥砂浆进行0.25、0.35和0.45 MPa三种加载气压下的冲击试验,并测试再生细骨料水泥砂浆的静态抗压强度。通过比较不同替代率的再生细骨料水泥砂浆在不同冲击气压下的动态特性,研究再生细骨料砂浆的抗冲击性能。试验结果表明,随着替代率的提高,再生细骨料水泥砂浆的静态抗压强度呈先增长后降低的趋势,在替代率为10%时最大,替代率为30%以及50%时,其静态抗压强度也并未低于对照组;在相同冲击气压下,随着再生细骨料替代率的提高,试块所能承受的冲击荷载也随之提高;在相同替代率下,试块的动态抗压强度以及极限韧性随着冲击气压的增大呈现增加趋势;在应变率60.29～143.379 s-1时,50%替代率再生细骨料砂浆的动态强度增长因子(DIF)均高于其他组,该替代率的水泥砂浆的动态抗...     

聚硅氧烷改性氧化石墨烯的辐射制备及其在导热硅橡胶中的应用研究

将氧化石墨烯和乙烯基三乙氧硅烷（TEVS）混合液进行γ射线辐照处理,制备聚硅氧烷功能化的改性氧化石墨烯（GO-Si）,并通过红外光谱（FT-IR）、拉曼光谱（Raman）表征分析GO-Si的结构。在辐照时,随着吸收剂量增加,聚硅氧烷的接枝量也随之增加;由于TEVS的接枝聚合,GO-Si表面的聚硅氧烷含量明显提高。将GO-Si和羟基硅油共混,制备室温固化的硅橡胶/改性氧化石墨烯复合材料（SR/GO-Si）,与未改性氧化石墨烯（GO）相比,GO-Si与硅橡胶基体相容性更好,分散更加均匀。对SR/GO-Si和纯SR的力学性能、导热性能和辐照效应进行对比分析,结果表明,GO-Si的引入可以明显提高复合材料的综合性能,导热系数从0.13 W•m^-1•K^-1提高至1.1 W•m^-1•K^-1,拉伸强度提高了149%。在90 kGy辐照条件下,GO-Si的引入对复合材料的辐照效应起到积极作用,提高了拉伸强度和硬度,SR/GO-Si有望在低剂量辐射环境下作为电子封装热界面材料使用。     

中子屏蔽测试系统中子响应影响因素仿真分析

目前屏蔽材料的中子屏蔽性能测试还没有统一的标准,为了研究中子屏蔽测试系统中子响应可靠性和稳定性的影响因素,采用超级蒙特卡罗SuperMC程序模拟中子屏蔽测试系统建模,对探测器远近位置、探测器偏离位置、辐射源偏离位置及测试样品规格等影响因素进行了仿真分析,结合中子探测仪器的中子响应曲线对中子通量、平均能量及中子能谱等仿真数据进行比较和分析,提供了较为合理可靠的测试参数,为减少屏蔽测试系统测试误差提供理论依据。     

PSTM光纤探针几何形状研究

系统地分析了各种常见的不同形状探针，综合考虑其纳米区的能量耦合和模式耦合，并给出数值模拟结果。     

基于SuperMC对结构缝隙影响中子屏蔽的研究

本文基于Monte Carlo粒子输运计算程序SuperMC,计算了四种含硼聚乙烯(B-PE)结构缝隙对两种谱中子的衰减倍数。为了便于比较不同结构缝隙对中子屏蔽性能的影响,统一与相同厚度无缝隙材料相比得到中子衰减倍数相对减小量,并在相同条件下对计算结果进行了实验验证。结果表明:对于厚度6 cm的B-PE材料,斜缝结构的快中子衰减倍数相对减小量为直缝结构的1/8,斜缝结构的慢化中子衰减倍数相对减小量为直缝结构的1/3,斜缝结构对中子屏蔽产生的负面影响最小。