中国汽车电子产业现状及方向

本文通过回顾汽车电子技术的应用和发展历程，简要的介绍了国外汽车电子的技术水平及研究方向，同时也介绍了我国汽车电子行业潜在的巨大商机以及面临国外技术垄断的严峻考验，进而提出了振兴汽车工业，实现中国汽车电子产业化的几点建议。尽管我们现在的技术水平与国外相比辽存在相当的差距，但是随着我国IC产业的不断发展、壮大，相信我们国家一定能在汽车电子方面取得令世人瞩目的成绩。     

NFC移动支付未来的“杀手级”增值业务

近来，NFC（Near Field Communication，近距离通信）手机支付业务在世界范围内风生水起。其首个商用案例已在德国正式运营，我国则于今年6月份开始在厦门进行商用试验，广州随后跟进。业内相关机构预测，NFC手机支付将成为移动增值业务的下一个“杀手级”应用。本文作者认为，作为一项新兴业务，NFC手机支付要想成功尚需突破几大瓶颈。[编者按]     

千兆以太网卡芯片A/D转换电路的设计与实现

介绍了一种用于千兆以太网卡芯片的8位125 MS/s CMOS流水线A/D转换电路的设计,包括体系结构设计、电路设计与仿真、版图设计。该A/D转换电路经过TSMC 0.13μm 1P8MCMOS工艺验证,工作电压为1.5 V/2.7 V。芯片测试结果表明,设计的A/D转换电路能够满足千兆以太网卡芯片的性能要求。     

二维光子晶体异质结Order-N数值研究

把多重散射(Order-N)方法用于二维光子晶体组成异质结的传输特性研究,分别数值研究了折射率异质结、柱体形状异质结、晶格结构异质结三种情况下的透射特性,数值结果指出在折射率异质时出现类似于电子型半导体的单向导光性能,并作了简单理论类比分析。进一步对三种异质结进行研究,得出传导模的出现不只是晶格结构畸变一种情况可以产生,其他两种异质结也能产生传导模。     

IGCT三电平变流器系统的研制

本文介绍了大功率IGCT三电平变流器系统的主电路结构及控制系统的设计，实验结果证明该系统结构可靠、运行稳定，将来可以应用到大功率冷轧机传动系统中。     

军用飞机研制风险的模糊综合评价方法

针对风险评价中信息的模糊性和不确定性,提出了军用飞机研制风险的模糊综合评价方法.首先,对风险评价的一般方法进行分析;然后,确定了军用飞机研制的风险源因素和风险后果因素.采用模糊集表示风险源因素对研制失败的影响和风险后果因素的大小,并对各个因素进行模糊评价;最后,根据各个因素的模糊评价矩阵及其权重,采用模糊综合评价方法获得研制风险的失败概率和失败后果,由失败概率和失败后果可得到研制风险的大小.算例表明,模糊综合评价方法可将风险评价中的模糊和不确定信息定量化处理,能够有效地对军用飞机的研制风险进行评价.     

飞机机翼微小创伤修复模具的设计

针对飞机机翼被鸟击后的快速修复提出了简便、经济、精确的精模衬垫微敲修复法,该方法的关键是衬模设计,为此分析了机翼微小创伤的修复原理,提出了三种修复方案,并对比其优缺点,最终以木质叠板为衬模材料,三坐标测量仪为数据获取工具,数控铣床及磨床为加工设备的理念完成机翼衬模的设计,并得到实际应用验证,其结果良好能够满足修复要求。     

TIG焊快速制造激光视觉检测系统的研究

为了研究钨极惰性气体保护焊(TIG)快速制造中金属结构成形的效果及工件变形情况,获取金属结构高度及其变化范围,通过对激光视觉传感所得到的图像进行分析,采用激光视觉检测的方法,制作了一种激光视觉检测系统。经与实验获得的实际金属结构高度数据对比,得到金属结构高度检测的误差在单道焊缝的自然成形的高度误差范围内的结果。结果表明,该方法可以比较有效地获得金属结构高度及母材工件变形情况。     

硅基3C-SiC的热氧化机理

采用低压化学气相沉积(LPCVD)方法在Si(100)衬底上外延生长3C-SiC.利用干氧氧化方法对生长的SiC层进行了热氧化,氧化温度为1050℃.采用X射线光电子能谱仪(XPS),结合Ar+溅射技术,在不同的溅射时间下,对氧化生长的SiO2层及SiO2/SiC界面层的化学键和组成成分进行了深度谱分析,在此基础上提出了热氧化模型,探讨了3C-SiC的热氧化机理.     

台面结构对4H-SiC紫外探测器性能的影响

制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器#1,#2,#3和#4,并分别测试它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器#1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n层和n+衬底组成.在探测器#1的基础上用离子刻蚀的方法分别剥离透明Pt层、透明Pt层和p+层、透明Pt层和层以及p层制备出探测器#2,#3和#4.器件的紫外光响应谱表明,紫外响应率最好的是探测器#2,其次是探测器#4,#1,#3,其中探测器#2比其他类型的探测器响应率高1个数量级;4种类型的探测器峰值响应位置各不相同,其中探测器#1位于341nm处,探测器#2,#3和#4分别在312,305和297nm处.