液相注入化学气相催化反应合成螺旋型碳纳米管

采用液相注入化学催化反应,以二甲苯为碳源和二茂铁为催化剂,加以注入乙二胺,在氩气流中和850℃合成温度下在石英基片上可控合成出卷取和螺旋型竹节状结构的碳纳米管及阵列.本过程与文献报导的合成螺旋形碳管的方法相比具有合成方法简单,为液相注入法,无需羰基铁等剧毒催化剂,催化反应在氩气中发生和相对较低的合成温度等优点.由于反应中乙二胺的引入,获得的螺旋碳管具有独特的竹节状结构,这不同于以往观察到的螺旋碳管结构.合成研究发现螺旋状碳管的形成与碳氢源结构和组成密切相关,在等同的合成条件下,当采用甲苯和乙醇为碳源替代二甲苯,产物虽也为竹节状碳管,但没有观察到卷曲和螺旋型碳管形成.分析讨论认为二甲苯的化学结构及组成特征使其在催化裂解生长碳管过程中不仅能提供碳六环生长碳管,同时提供形成碳五元环和七元环的原子,从而导致形成螺旋状碳管结构.     

光催化二氧化钛溶胶的制备

以TiOSO4为原料、氨水为沉淀剂、H2O2为络合剂合成出含有针状锐钛矿晶粒的TiO2溶胶,该溶胶具有光催化活性.用XRD、TEM等对产物结构和形貌进行了表征.结果表明钛酸沉淀pH值、H2O2的加入量、回流时间对二氧化钛溶胶光催化效果有影响.当PTA回流4.75 h所得的RS-4.75的光催化效果最好,在可见光下对甲基橙降解率为52.8%.在PTA溶胶回流过程中增加冷却过程,相对于无冷却过程,材料的光催化性能得到了提高.PTA先回流3 h,溶胶冷却至室温,再回流1 h的溶胶的甲基橙降解率为48%,高于RS-4溶胶的光催化性能.     

热处理过程中纳米非晶Si－N－C粉的晶化及微结构变化研究

本文在１４７３～１９７２Ｋ温度范围内对激光合成的、平均粒径为３０ｎｍ的非晶Ｓｉ－Ｎ－Ｃ粉进行热处理（ｌａｔｍ．Ｎ２，１ｈ）；研究了粉体的晶化及微结构变化，结果表明，纳米非晶Ｓｉ－Ｎ－Ｃ粉具有短程有序的亚稳结构，此亚稳结构在＞１５２３Ｋ发生稳定团相分离，在１７７３Ｋ开始形成α－Ｓｉ３Ｎ４；β－ＳｉＣ，此时粒子间出现明显的表面扩散形成粒子簇；到１８７３Ｋ晶化加剧，α－Ｓｉ３Ｎ４和β－ＳｉＣ明显增多，并有少量的石墨碳形成。在１７７３～１８７３Ｋ，由固相分离形成α－Ｓｉ３Ｎ４／β－ＳｉＣ纳米复合结构。     

十字型升降式自动停车楼的设计

对停车场的现状进行了分析,并在成本投入、操作人员专业要求、等候时间、占地面积比等方面进行了比较,提出了"十字型"升降式自动停车楼设计理念,在停车楼的设计上采用模块化结构,为人们的实际建造和使用带来了方便。设计中运用PLC对升降式停车楼进行控制,为解决城市停车难问题提供了思路,并对十字型停车楼的使用功能设计、总体结构设计、十字型载车盘设计、软件设计、自动存取车系统、辅助控制系统进行了研究。     

碲化锡材料的制备及其特性研究

用Bridgman法合成SnTe晶体,并用X射线衍射仪测试其显微结构,发现其晶格常数比标准值略小.以制备的晶体为原料用真空蒸镀法制备了银灰色SnTe多晶薄膜,并对薄膜的显微结构、伏安特性及表面形貌进行了研究.结果发现,薄膜上晶粒的生长有一定择优取向,其伏安特性曲线有突变点,通电后薄膜表面的原子形成了团簇.     

频谱分析原理及频谱分析仪使用技巧

频谱分析仪是功能强大并广泛应用于射频信号检测的一种仪器。通过对现代外差式频谱分析仪组成原理的论述,分析了频谱分析仪扫描时间、频率跨度与视频带宽的相关性、参考电平与射频衰减的相关性,探讨了噪声、最大输入电平、抗扰度等决定频谱分析仪性能的因素。通过对频谱分析仪原理的阐述和特性的分析,列举了对频谱分析仪使用不当导致测试结果失真的案例,避免了实践中对频谱分析仪原理了解不透彻导致的测量错误。     

转化器泄漏原因分析及改进措施

介绍了氯乙烯生产中转化器的运行现状,分析了转化器泄漏的原因,并根据实际运行工况制定了相关的改进措施,取得了良好的经济效益。     

基于欠采样技术的小型化雷达发射机测试仪

针对某型空管二次雷达发射机外场测试中,对测试设备小型化与低成本的要求,文中首先基于软件无线电技术与带通欠采样理论,提出了一种采用低速数字示波卡对特定脉宽调制信号的功率、频率与脉冲包络指标进行快速、低成本测量的方法;然后根据该方法,采用虚拟仪器的思路基于PXI平台构建了小型化的发射机测试仪原型系统;最终在实验室环境下通过对原型系统测量数据的采集和分析验证了方法和设计的有效性.     

激光诱导硅烷气相合成纳米硅粉研究

采用高功率ＣＯ２激光诱导高纯硅烷气相反应，制备出粉体平均粒径为１０～１２０ｕｍ，晶粒度与平均粒径比为０．３～０．７的各种纳米结晶硅粉。制备出的硅粉粒度均匀，粒子呈球形，但部分粒子间出现烧结。粉体粒径随激光功率、反应压力的增加而增加，随硅烷流量、稀释Ａｒ气的增加而减小。晶粒度对硅烷流量和反应压力的变化不敏感，但随激光功率的降低和混合Ａｒ气的增加而明显减小。Ｓｉ粒子的形成经历了单晶粒子的生长和这些粒子间的碰撞生长过程。     

化学氧化法合成氧化石墨及其陶瓷复合材料

基于Hummer化学氧化法,以不同纯度的石墨为原料,在氧化阶段改变氧化剂(KMnO4)的添加速率,研究了氧化石墨的制备及其结构形成。结果表明:石墨原料纯度及氧化剂添加速率对氧化石墨结构有重要影响。以高纯度石墨为原料,在合适的添加速率下制备出的氧化石墨具有高的结晶性和纯度。扫描电镜观察制得的氧化石墨呈片层结构,厚约50nm。X射线分析显示对称氧化石墨(002)强衍射峰,无残留石墨峰和其它杂质峰。红外光谱分析氧化石墨含—OH,C=O,C—O等含氧基团。Ar气氛下对氧化石墨进行热解,产物为石墨烯。将制得的氧化石墨引入聚硅氧烷中,经交联和热解制出具有层状复合结构呈一定取向分布的石墨烯和硅氧碳陶瓷复合材料。