高能A一辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光

采用能量2GeV、剂量1010-1013cm-2的Ar+辐照P型Cd096Zno.04Te材料,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究.实验结果和分析表明,Ar+辐照在Cd.6Zn004Te中产生了更大密度的受主型缺陷和散射中心,引起材料载流子(空穴)浓度的增大和迁移率的降低.随着辐照剂量的增大,载流子迁移率的降低要比载流子浓度增大得快,导致材料电阻随辐照剂量增大而增大.     

审时度势 创新发展——访固纬电子(苏州)有限公司产品经理蔡光跃先生

10月金秋,在苏州电博会上,本刊市场部经理李向阳见到了固纬电子(苏州)有限公司产品经理蔡光跃先生,互相交流,以下即是对话一部分。(以下简称李和蔡)     

基于盖革模式雪崩光电二极管紫外计数系统

针对工作在盖革模式下的硅基雪崩光电二极管(APD)进行了接收电路的设计,通过主动淬灭加快恢复的方式,对APD偏压进行调控,利用单稳态触发器使淬灭信号和恢复信号独立控制APD阳极的电压,从而同时控制淬灭时间和恢复时间,将死时间缩短至100.5ns,计数频率提升到10MHz,有效减少了后脉冲效应。采用脉冲甄别技术和单片机,对脉冲信号进行计数,通过对可见盲光子计数和暗计数的甄别,实现对微弱紫外信号的检测,为盖革模式下APD紫外通信奠定了基础。     

Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀AlGaN的研究

感应耦合等离子体（ICP）刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比了ICP与RIE，ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上，采用Ni作为掩膜，Cl2/Ar/BCl3作为刻蚀气体，对金属有机化学气相淀积生长的n-Al0.45Ga0.55N进行了ICP刻蚀研究。刻蚀速率随着ICP直流偏压的增加而增加，刻蚀速率随着ICP功率的增加先增加较快后增加缓慢。最后结合刻蚀表面的扫描电镜（SEM）分析和俄歇电子能谱（AES）深度分析对刻蚀结果进行了讨论。分析表明，在满足刻蚀表面形貌的同时，较低的直流偏压下刻蚀速率较慢，但损伤较小，这对于制备高性能的紫外探测器是有利的。     

基于斜投影的波束域主瓣抗干扰研究

针对雷达主瓣干扰和计算量大的问题进行深入系统的研究,给出了基于空间谱估计斜投影滤波的主瓣抗干扰方法。首先,将阵元域数据变换到波束域进行处理能够在保证感兴趣区域内性能不变的情况下大大降低计算量。其次,对波束域数据进行斜投影滤波处理,抑制主瓣干扰,具有较高的工程应用价值。最后,通过计算机仿真表明：只有保证接收数据的快拍数大于2倍阵元数目,信号与主瓣干扰方位间隔大于1/4波束宽度,并且信噪比和主瓣干噪比的差异在20dB以内时,处理后的波束域数据在信号估计时不会出现估计误差,能正确地检测出目标信号。     

GaN基p-i-n器件振动噪声研究

振动环境中,GaN基p-i-n器件的噪声会急剧增加,这限制了器件的探测能力。利用力锤和振动台分别模拟冲击振动和随机振动环境,研究了器件噪声在不同振动条件下的变化规律。实验结果表明,在冲击振动中,器件噪声呈现出周期特性,但噪声幅度随着时间减小。器件噪声主要的频率成分为429Hz,此频率下的器件噪声与激励力的大小、振动加速度的幅度成线性关系。随机振动的实验结果也表明,振动环境中测量到的噪声随着随机振动功率谱密度的增大而线性增加。     

基于梯度能带结构的高速非制冷中波红外HgCdTe探测器

报道了基于梯度能带结构的高速室温中波红外HgCdTe器件,器件设计为n-on-p同质结结构,在300 K的零偏压条件下达到了1.33 ns（750 MHz）的总的响应时间,相对于非制冷的碲镉汞器件和工作于高偏压下的碲镉汞APD器件响应速度有所提高。基于一维模型的分析表明,吸收层中的组分梯度可以形成内置电场并改变了载流子的输运特性,该模型由不同组分梯度的HgCdTe器件的实验对比验证。因此,此项工作优化了高速HgCdTe中波红外探测器的设计,并为设计超快中波红外光电探测器提供了一种可行的思路。     

空间用紫外探测及AlGaN探测器的研究进展

文中介绍了与空间应用有关的紫外探测。首先,介绍了美、欧等西方国家在空间天文以及行星、卫星探测等方面多年来的紫外应用情况,包括卫星探测器上搭载的紫外有效载荷;然后,评述了目前在空间使用的紫外探测器状况,以及在未来的空间应用中极具发展潜力的AlGaN紫外探测器;最后,对AlGaN紫外焦平面探测器国内外近年来的研究进展进行了阐述。     

ICPCVD-SiN_x对GaN/AlGaN基紫外探测器的钝化效果的研究

采用ICPCVD-SiNx薄膜对GaN/A1GaN基紫外探测器进行钝化,从薄膜绝缘特性、钝化效果两方面,对ICPCVD-SiNx、磁控溅射-SiOx、PECVD-SiOx和PECVD-SiNx四种钝化膜进行对比.制作了钝化膜/GaN MIS器件,通过测试MIS器件漏电流密度和薄膜击穿电场的大小表征薄膜绝缘性能,结果表明ICPCVD-SiNx对应的MIS器件的漏电特性最好,外加偏压为100 V时,其漏电流密度保持在1×10-7 A/cm2以下,薄膜击穿电场大于3.3 MV/cm.采用不同钝化方法制作了p-i-n型AlGaN基紫外探测器,通过计算钝化前后器件暗电流的变化,表征不同钝化方法的钝化效果.结果表明ICPCVD-SiNx钝化的器件,其暗电流比其他钝化方法的器件小近两个数量级,在-5V偏压下暗电流密度为7.52 A/cm2.