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基于片上偏差对芯片性能的影响,分析对比了时钟树设计与时钟网格设计,重点分析了时钟网格抗OCV影响的优点,并利用实际电路应用两种方法分别进行设计对比,通过结果分析,验证了理论分析的正确性,证明在抗OCV及时序优化时钟网格方法具有很大的优势。 相似文献
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纳米微孔(多孔、中空)结构乳胶粒子具有吸附、携载的功能,被广泛地应用于吸附剂、非均相催化剂、各类载体等领域。本文选用亲水性较强的AA为原料聚合单体,以P(St-BA)二元共聚物乳胶作种子乳液,通过乳液聚合方法,首先制备了表面含羧基的核壳结构乳胶粒子体系P(St-BA-AA),然后采用酸碱分步处理法,在高温条件下进行酸碱处理,得到了纳米尺寸的微孔结构乳胶粒子。通过TEM观察其内部形成的微孔结构形态,并探讨了酸碱处理时间等因素对成孔的影响。 相似文献
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以不走肩铁型平版胶印机为研究对象,提出了滚筒包衬计算方法与滚筒中心距调节方法,得出胶版印刷中印刷压力影响因素主要表现为纸张表面质量和平滑度、印刷速度、滚筒橡皮布和衬垫的选用等;印刷压力的控制主要为调节包衬和中心距;对文中研究的不走肩铁型胶印机来说,在调节印刷压力时,齿轮啮合保证接近标准啮合状态等结论,为印刷压力的控制调节提供了一定的技术支持。 相似文献
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钢芯铝绞线用镀锌荊丝是制造远距离高压输电用钢芯铝绞线不可缺少的重要配套材料。鞍钢生产钢芯铝绞线用镀锌钢丝已经有二十多年历史了。短年生产量力1000~1500吨。产品性能优良,质量稳定。实物质量已经达到国际电工协会 相似文献
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研究电-磁场协同增强高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)技术的放电特性。利用数字示波器采集Hi PIMS的基体离子电流用于表征其放电特性的变化。结果表明:当Hi PIMS电压由580增加到660 V时,随励磁线圈电流的增加,基体离子电流平均值单调增加;随辅助阳极电压的增加,基体离子电流平均值单调增加;随辅助阳极在真空室内的位置由与阴极靶成45°位置处变化为成180°位置处时,基体离子电流平均值单调减少。电-磁场协同增强Hi PIMS放电效应存在临界条件。当Hi PIMS电压为580 V、励磁线圈电流为4 A。仅阳极电压大于50 V时,电场和磁场产生协同增强放电效应。同时,当辅助阳极电压为70 V,仅励磁电流大于3 A时,电场和磁场产生协同增强放电效应。与常规Hi PIMS相比,电-磁场协同增强Hi PIMS放电时真空室内不同位置处收集的离子束流均显著增加。其中,当辅助阳极位于45°位置处时,在真空室内不同位置(与阴极靶成0°、45°、90°、135°以及180°位置)处的离子束流值最大。 相似文献
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目的研究不同靶基距对高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)在凹槽表面制备钒膜微观结构和膜厚均匀性的影响,实现凹槽表面高膜层致密性和均匀性的钒膜制备。方法采用HIPIMS方法制备钒膜,在其他工艺参数不变的前提下,探讨不同靶基距对凹槽表面钒膜相结构、表面形貌及表面粗糙度、膜层厚度均匀性的影响。采用XRD、AFM及SEM等观测钒膜的表面形貌及生长特征。结果随着靶基距的增加,V(111)晶面衍射峰强度逐渐降低。当靶基距为12 cm时,钒膜膜层表面粗糙度最小,为0.434nm。相比直流磁控溅射(DCMS),采用HIPIMS制备的钒膜呈现出致密的膜层结构且柱状晶晶界不清晰。采用HIPIMS和DCMS方法制备钒膜时的沉积速率均随靶基距的增加而减少。当靶基距为8 cm时,采用HIPIMS方法在凹槽表面制备的钒膜均匀性最佳。结论采用HIPIMS方法凹槽表面钒膜生长的择优取向、表面形貌、沉积速率及膜厚均匀性均有影响。在相同的靶基距下,采用HIPIMS获得的钒膜膜厚均匀性优于DCMS方法。 相似文献
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本文介绍了溶剂脱沥青装置通过增设抽提外混合器和下移抽提塔原料进料管的两项挖潜改造措施扩大了装置处理量,取得了较大的经济效益。 相似文献