钝化处理对Al2O3/InP MOS电容界面特性的影响

制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到最小界面态密度为1.6×10¹⁰ cm^-2·eV^-1。与硫钝化工艺对比,随测试温度升高,氮等离子体钝化工艺可以有效减少边界陷阱,边界陷阱密度从1.1×10¹² cm^-2·V^-1降低至5.9×10¹¹ cm^-2·V^-1,同时减少了陷阱辅助隧穿电流。氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺分别在降低边界陷阱和快界面态方面有一定优势,为改善器件界面的可靠性提供了依据。     

高抗冲聚苯乙烯粒子发灰原因分析及对策

针对高抗冲聚苯乙烯（HIPS）生产过程中出现的粒子发灰现象,从原料、聚合和脱挥单元分析了原因,并采取了相应对策。结果表明:原料苯乙烯的含氧储存环境、聚丁二烯橡胶（BR）中挥发分及氯离子含量高是导致产品粒子发灰的主要原因;将苯乙烯存储由有氧环境改为氮气环境,严格控制 BR 中挥发分质量分数小于 0.5%,且优选线型低顺式BR,可有效降低 HIPS 产品粒子发灰的几率。     

靖边气田低含硫天然气成因探讨

靖边气田低舍硫天然气成园问题一直认识不清.综合全烃分析,测井解释、产水、试验模拟等资料,对靖边气田H2S的生成机理、反应条件、控制因素等进行了研究.以此为基础,对靖边气田低含硫天然气的成园进行了探讨.研究表明,靖边气田H2S为硫酸盐热化学还原反应成因,地层水是该反应进行的关键,H2S生成过程始终受地层水控制,气田天然气低含硫的原因并非石膏少,而是地层水有限.研究揭示地层水分布的局限性可能是形成我国低含硫气田的一个重要机制.     

基于混沌优化的无线定位算法研究

本文提出一种抗NLOS干扰的TDOA定位算法。基于混沌优化算法对TDOA算法做了改进,采用混沌优化算法计算初值,再利用Taylor级数展开法进行定位。根据产生混沌序列的两种映射Logistic映射和Kent映射的特点,提出了Kent-Logistic模型修正Logistic映射用于定位。在移动台距服务基站较近时,直接采用该模型进行定位。通过和传统蜂窝定位算法的仿真结果进行比较,表明提出的算法能够提高NLOS传播环境下的定位精度。     

现代军用通信设备结构设计新理念

科学技术在不断发展，军用通信设备结构设计的内涵也在不断丰富，时代在不断进步，人们对设备的审美要求越来越高，设计人员应顺应时代发展的潮流，积极吸收、采用新的设计理念。本文详细讨论了有关军用通信设备结构设计新理念的主要内容-创新设计、模块化设计、小型化设计、工业设计和超前设计。     

激光熔覆对铝合金疲劳性能的影响

对模拟腐蚀损伤的铝合金试样表面进行了激光熔覆填充处理,分析了激光熔覆层的显微组织,并对熔覆试样和基材试样进行了疲劳寿命对比实验。结果表明,表面激光熔覆会显著降低材料的疲劳性能,在99%可靠度的前提下,熔覆试样的安全寿命比基材试样有所降低。其主要影响因素有熔覆层底部的枝晶、重熔区内的缺陷和熔覆层内的拉应力。经过表面机械冲击后,疲劳性能得到显著提高,提高幅度为244%,疲劳断口形貌表明,熔覆层有明显的疲劳特征。     

Effect of Ge-GeO2 co-doping on non-ohmic behaviour of TiO2-V2O5-Y2O3 varistor ceramics

An investigation was made into the effect of doping with the elemental crystal Ge or/and GeO₂ on the TiO₂-V₂O₅-Y₂O₃ varistor ceramics. The result shows that as the doping contents of V₂O₅ and Y₂O₃ are 0.5 mol%, respectively, co-doping with 0.3 mol% Ge and 0.9 mol% GeO₂ makes the highest α value (α = 12.8), the lowest breakdown voltage V_1mA (V_1mA = 15.8 V/mm) and the highest grain boundary barrier Φ_B (Φ_B = 1.48 eV), which is remarkably superior to the TiO₂-V₂O₅-Y₂O₃ varistor ceramics undoped with Ge and GeO₂ and mono-doped with Ge or GeO₂. The TiO₂-V₂O₅-Y₂O₃-Ge-GeO₂ ceramic has the prospect of becoming a novel varistor ceramic with excellent electrical properties.     

铁链镶嵌锯齿形氮化硼纳米带半金属铁磁性的第一性原理研究

基于第一性原理,研究了铁链单侧边界钝化型的锯齿形氮化硼纳米带（简称为Fe-terminated ZBNNRs）和铁链连接型的锯齿形氮化硼纳米带（简称为Fe-jointed ZBNNRs）的电子结构及磁性。Fe-terminated ZBNNRs 对于不同带宽的BN纳米带都是半导体型的,而Fe-jointed ZBNNRs 对于不同带宽的BN纳米带则为半金属型。这两种 结构各自的磁性主要都是来自于所掺杂的铁原子。Fe-jointed ZBNNRs 的半金属性源自Fe原子的3d轨道与N原子的2p轨道间的强耦合作用。通过分子动力学模拟,证实了该 结构在常温下可以稳定存在。Fe-jointed-ZBNNRs 对于两种不同自旋方向电子的选择过滤作用可以被应用于自旋电子学器件的设计。其它各种不同的过渡金属所形成的连接型的锯齿形氮化硼纳米带（简称为M-jointed ZBNNRs）既可以是金属型的、半金属型的,也可以是半导体型的。     

聚氨酯——聚丙烯酸酯复合聚合物乳液的研究

本文研究了几种聚氨酯——聚丙烯酸酯乳液复合的方法，制备了新单体N-（4’-甲基3’-二正丁脲基）苯基氨基甲酸内烯酰氧-2-丙酯，使其与丙烯酸酯类单体共聚，显著提高了聚合物的抗张强度，简单介绍了聚合物膜接技法，共混复合法和种子聚合法的实施方法，聚合物膜性能及粒子结构等有关研究内容，实验表明，用几种方法都可以获得综合性能好的复合聚合物乳液。