圆弧形电极离子阱质量分析器的理论模拟

为了给圆弧形电极离子阱质量分析器的实验研究提供可靠的科学依据,本工作从理论上研究了一种由不同半径的圆弧形电极所组成的线性离子阱。使用SIMION和AXSIM软件对设计的线性离子阱进行计算模拟。通过分析电极半径及其比例与离子阱内的电场分布关系,各种多极场成分分布、离子阱内离子运动轨迹、质谱峰形状、分辨率及离子逐出效率等,得到了圆弧形电极所组成的线性离子阱的优化结构。     

UPLC波长切换法快速检测市售饮料中的12种添加剂

建立超高压液相色谱(UPLC)配备二极管阵列检测器(DAD)快速测定市售饮料中的安赛蜜、苯甲酸等12种添加剂残留量的检测方法。12种添加剂在0.1～20μg·m L^-1浓度范围内线性良好;相关系数均大于0.999;检测限在0.009～0.026μg·m L^-1之间;回收率(三水平)范围为95.4%～102.4%;精密度(n=6)在5.0%以内。方法具备简便、快速等特点,可以用于常见市售饮料中防腐剂、甜味剂和人工色素的检测。     

中国建筑业协会智能建筑分会十年工作总结

2003年,中国建筑业协会智能建筑专业委员会成立,2009年更名为中国建筑业协会智能建筑分会,时至今日已走过了十个年头。协会成立以来的十年,也是我国智能建筑行业发展最快的十年。十年以来,在住房和城乡建设部及中国建筑业协会领导下,在行业专家、企业的大力支持下,协会同仁集思广益、汇集合力,搭平台、谋创新、促发展,为智能建筑行业的发展做了大量的工作,取得了一定的成绩。     

稀土Ce对BaTiO_3陶瓷介电性能的影响

在-40～150℃温度范围内,测量了BaTiO_3+xwt%CeO_2陶瓷样品的介电常数ε和介电损耗tgδ及其温度特性;同时,在10Hz～500MHz频率范围(室温)内,测量了其频率特性;讨论了稀土氧化物CeO_2对BaTiO_3陶瓷介电性能影响的规律。研究结果表明,CeO_2的加入,使BaTiO_3陶瓷的ε提高,tgδ减少,居里温度Tc向低温方向漂移,居里峰展宽,其色散性明显降低。随CeO_2重量百分比含量x的增加,Tc移动很快,而ε和tgδ随频率变化愈趋于平坦。     

基于权重因子和荷电状态恢复的储能系统参与一次调频策略

电池储能可快速吞吐功率,被视为优质调频资源,但过度充放电会导致其调频能力不足。文中提出一种改善的储能系统参与一次调频效果的控制策略。首先,将储能调频死区设置在机组死区范围内,并结合电网频率特性分析储能调频死区变化对频率的影响。在此基础上,基于权重因子和荷电状态(SOC)恢复提出储能参与的一次调频策略：在频率波动超过储能调频死区时,为避免电池过度充放电提出储能调频系数计算方法,同时引入控制虚拟惯性和虚拟下垂出力比重随频率变化而调节的权重因子,进而设计了调频控制方法;在频率不超过储能调频死区时,兼顾储能恢复需求和电网承受能力,提出储能SOC恢复方法。仿真结果表明：所提策略能有效改善电网频率波动和储能SOC。     

基于修正卡尔曼滤波SOC估算的锂电池变参数模型

现有电网侧储能系统在参与区域互联电网二次调频任务的过程中,由于其响应速率快、运行时间长,故需要建立一种能反映短时储能极化且长时运行下电池电荷状态（SOC）估算准确的电池模型。为此,本文利用自变量SOC与锂电池内部各项应变量参数的关系,提出了一种动态变参数锂电池的建模方法。首先对单体锂电池状态方程进行离散化得到参数可变的动力电池（PNGV）模型;然后采用典型储能单元级联方案对单体电池进行扩容,最后利用修正卡尔曼滤波法对模型中的SOC估算方法进行改进;最后利用MATLAB/ Simulink软件设计电池储能系统间歇性充放电实验,并在二次调频工况下对比了不同储能单元模型的差异。结果表明:本文可变参数模型在拟合实验中误差不超过1.4%,SOC估算在长时间运行工况仿真中精度比传统估算提高9.7%。本文为研究储能参与二次调频相关控制策略提供了更为精确的锂电池模型。     

低压电器的安装

1 低压电器安装基本要求 (1)低压电器安装的标高应符合设计要求,设计无具体规定时,应符合下列规定: ①落地安装的电器,其底部距地面的距离为50～100mm; ②操作手柄转轴中心与地面距离为1200～1500mm. ③侧面操作的手柄与建筑物的距离应≥200mm.     

石油企业员工培训应把握好的几个问题

<正>我国加入世界贸易组织后,全面提升技术管理水平、实施技术创新战略、提高科技竞争力已经成为石油企业新形势下提升国际竞争力、迎接挑战的必然选择。优于竞争对手的唯一途径,就是比竞争对手学得更快。重视培训、重视员工全面素质的提升,把企业建成学习型组织,通过提高企业核心竞争力,从而实现企业与员工"双赢",是企业获得发展的最根本手段。     

适用于FBAR的ZnO薄膜制备及压电特性分析

采用射频磁控溅射法在Al电极层上制备了适用于 薄膜体声波谐振器(FBAR)的ZnO薄膜, 研究了溅射功率对ZnO薄膜择优取向、压电响应和极化分布的影响。X射线衍射(XRD)测试结 果 表明,在一定范围内,随着溅射功率的增大,ZnO薄膜的择优取向和结晶质量得到提高;但 溅射功率过大,ZnO薄膜的择优取向变差。压电响应力显微镜(PFM)测量表明,溅射功率对薄 膜的压电性能和极化取向也有很大影响, 在所制备的薄膜中,多数晶粒的自发极化方向均垂直向上,表明所制备ZnO薄膜的表面主要 为O 截止;压电响应的振幅与薄膜的结晶质量和择优取向相关,在溅射功率为150W条件下制备的ZnO 在垂直于表面方向上表现出最大压电响应振幅,同时薄膜极化取向分布的一致性最好。