字长可重构流水线CORDIC设计

设计了一种数据字长可重构的流水线坐标旋转数字计算(Coord inate R otation D ig ita l Com pu ting,CORD IC)单元,用于可重构DSP阵列式处理引擎的处理单元核心的设计。首先对流水线CORD IC的模校正进行改造,使流水级数有所减少,且使模校正流水的分配有利于字长可重构的设计。之后通过相邻8位流水线CORD IC单元间的横向和纵向可重构设计,使相邻的(2×2)/(3×3)/(4×4)个基本单元可以组合成数据字长为16/24/32位的CORD IC单元。     

一种深亚微米MOSFET高频噪声模型

基于深亚微米MOSFET的短沟道效应(迁移率退化、热载流子效应、体电荷效应、沟道长度调制效应等),提出了一种高频沟道噪声分析模型.该分析模型不仅具有较高的精确性,而且只包括MOSFET的工艺参数和电学参数,不含有微积分和拟合参数,较大地提高了MOSFET高频噪声模型的易用性.根据MOSFET的高频等效电路,得出了MOSFET的噪声系数模型.实验结果证明,提出的深亚微米MOSFET高频噪声模型的仿真结果与测试结果的平均误差不到0.4 dB,并与其他高频沟道噪声分析模型进行了比较.     

Design of high efficiency dual-mode buck DC-DC converter

A buck DC-DC switching regulator with high efficiency is implemented by automatically altering the modulation mode according to load current,and it can operate with an input range of 4.5 to 30 V.At light load current,the converter operates in skip mode.The converter enters PWM mode operation with increasing load current.It reduces the switching loss at light load and standby state,which results in prolonging battery lifetime and stand-by time.Meanwhile, externally adjustable soft-start minimizes the inru...     

集成于电流模降压型DC-DC变换器的电流采样电路

针对电流模降压型DC-DC变换器,提出了一种新颖的CMOS片上电流采样电路.该电路结构简单,易于集成,功率损耗小,且通过MOSFET的匹配使采样比例几乎不受温度、模型以及电源电压变化影响.并通过进一步的优化设计,使得响应速度更快,工作电压进一步降低.提出的采样电路在一款基于0.5μm CMOS工艺没计的单片电流模降压型DC-DC变换器中进行了验证.在2.5～5.5V的电压范围,0～2A的负载范围内芯片工作稳定,瞬态响应良好,且效率高达96%.     

导弹武器全制导技术发展分析

面向反舰、对地攻击和反辐射等典型精确制导武器作战的现实需求,探讨了以高精度惯导信息获取与利用为核心的导弹武器全制导技术的新概念、方法和应用,构建出导弹武器全制导技术仿真验证半实物仿真系统,进行了反舰巡航导弹全弹道飞行等仿真评估实验,充分地验证了该方案的可行性与有效性。全制导技术方案着眼于制导方式、信息融合和信号处理上的完善与改进,可为提高我军精确制导武器在复杂环境下的作战能力提供可行的技术实现途径,同时可为新一代精确制导武器的研制提供必要的技术储备。     

一种新颖的D类音频功率放大器驱动电路

在D类功率放大器的设计中,为了提高驱动效率,需要一个高电平驱动H桥的高端LDNMOS管.文中设计了一种新颖的适用于D类功放的驱动电路,在芯片内部采用一个电荷泵电路.当芯片正常工作时,H桥低端LDNMOS管的驱动电平通过较大的电荷泵电容稳定在5.5V左右,H桥高端LDNMOS管的驱动电平通过自举电容高达18.8V,从而实现对D类功放H桥高端的驱动,这样既提高了驱动效率,又减少了对外部多个电源的需求.采用此电路的一款3-W的立体声D类功放已在TSMC06BCD工艺线投片,芯片效率高达89.67%,H桥高端和低端的导通电阻为320mΩ,电源抑制比(PSRR)为-62dB,THD低至0.1%,测量结果表明该驱动电路工作良好.     

光子晶体应用于在浓度检测上的模拟研究

采用平面波展开法数值计算了对二维光子晶体在TE和TM偏振态下的带隙进行了计算,给出了光子晶体中的禁带存在的理论依据,选择二维三角晶格光子晶体(GaAs)作为基底,在空气孔内填充浓度(质量百分浓度)为一定的待测溶液硫酸铜材料,通过计算得到了温度为298K情况下介电常数在71.917-62.530变化时,待测浓度的对应关系,并由此得到液体填充的光子晶体在不同偏振模式下光子禁带结构.结果表明,以硫酸铜的水溶液作为空气圆孔中的介质材料,当溶液质量百分浓度不同时光子带隙(PBG)发生变化。这对溶液浓度检测应用方面有一定的指导作用。     

50例微波器件失效分析结果汇总与分析

对约50例微波器件失效分析结果进行了汇总和分析,阐述了微波器件在使用中失效的主要原因、分类及其分布。汇总情况表明,由于器件本身质量和可靠性导致的失效约占80%,其余20%是使用不当造成的。在器件本身的质量和可靠性问题方面,具体失效机理有引线键合不良、芯片缺陷(包括沾污、裂片、工艺结构缺陷等)、芯片粘结、管壳缺陷、胶使用不当等;在使用不当方面,主要是静电放电(ESD)损伤和过电损伤(EOS),EOS损伤中包括输出端失配、加电顺序等操作不当引入的过电应力等。     

基于单片机和组态王的陶瓷检测系统设计

针对国内的陶瓷性能检测仪自动化程度不高、检测精度低、检测范围比较窄,可视化差等情况,设计开发了一种基于AVR ATmegal28单片机和北京亚控公司的组态软件的陶瓷检测实时控制系统。该系统运用虚拟仪器组态王作为上位机,辅以ATmegal28单片机为核心的变参数的模糊神经网络PID控制器,对陶瓷性能进行检测。经现场使用表明,该系统检测精度高、范围广、可视化程度高,使用方便。     

具有APD-TIA光模块的饱和光功率偏低研究

GPON ONU用光接收模块的光接收灵敏度和饱和光功率分别要求-28dBm和-8dBm。测试表明,具有2.5Gb/s APD-TIA光接收模块在25℃和85℃下接收光灵敏度和饱和光功率一般没问题,但在-40℃下,部分模块饱和光功率低于-8dBm。分析指出,饱和光功率偏低,主要与APD的结构、温度特性以及TIA、AGC性能有关。